公开(公告)号：JP2015518492A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：JP2015510912

申请日：2013-04-29

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  宙幹 野口 ,  宙幹 野口 ,  スウィーメン アン ,  スウィーメン アン ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク

IPC: C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D209/86 ,  C07D307/78 ,  C07D307/87 ,  C07D333/52 ,  C07D333/72 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549

Abstract: 式(I)のフェナセン化合物が開示される。前記式の全ての変化形は、明細書中において定義されるものと同一である。上記化合物を含む薄膜半導体、および前記薄膜を含む電界効果トランジスタ、光起電素子、有機発光ダイオード素子、および単極型もしくは相補型回路素子も開示される。

Abstract translation: 公开式（I）的化合物Fenasen。 其中公式中的所有变化是一样的，在说明书中所定义。 薄膜半导体包含所述化合物，和一个场效应晶体管，包括薄膜，光伏器件，有机发光二极管装置，并且还单极型或互补电路器件中公开。

公开(公告)号：JP5649977B2

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：JP2010545464

申请日：2009-02-05

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： ファケッティ アントニオ ,  ファケッティ アントニオ ,  チェン ジーホア ,  チェン ジーホア ,  ヤン ヘ ,  ヤン ヘ ,  ツェン ヤン ,  ツェン ヤン ,  クイン ジョーダン ,  クイン ジョーダン ,  カストラー マルセル ,  カストラー マルセル ,  デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン ,  ケーラー ジルケ ,  ケーラー ジルケ

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C09B5/62 ,  C09B69/102 ,  C09B69/105 ,  C09B69/106 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5683274B2

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：JP2010545465

申请日：2009-02-05

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： ファケッティ アントニオ ,  ファケッティ アントニオ ,  チェン ジーホア ,  チェン ジーホア ,  ヤン ヘ ,  ヤン ヘ ,  ルー シャオフェン ,  ルー シャオフェン ,  ジェイ マークス トービン ,  ジェイ マークス トービン ,  ツェン ヤン ,  ツェン ヤン ,  カストラー マルセル ,  カストラー マルセル ,  ヴァイディアナザン スブラマニアン ,  ヴァイディアナザン スブラマニアン ,  デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン ,  ケーラー ジルケ ,  ケーラー ジルケ

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C09B5/62 ,  C09B69/102 ,  C09B69/105 ,  C09B69/106 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2016504455A

公开(公告)日：2016-02-12

申请号：JP2015548815

申请日：2013-12-12

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク ,  グワン ユーツゥイ ,  グワン ユーツゥイ ,  宙幹 野口 ,  宙幹 野口 ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/413 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

Abstract: 本発明は、式(I)の単位を含むポリマーであって、R1及びR2が互いに独立してC1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル、C2〜C30−アルキニル、フェニル又は5〜8員の複素環系であり、その際、C1〜C30−アルキル、C2〜C30−アルケニル又はC2〜C30−アルキニル基が、それぞれ、ハロゲン、−CN、−NO2、−OH、−NH2、−NH(C1〜20−アルキル)、−N(C1〜20−アルキル)2、−NH−C(O)−(C1〜20−アルキル)、−S(O)2OH、−CHO、−C(O)−C1〜20−アルキル、−C(O)OH、−C(O)−OC1〜20−アルキル、−C(O)NH2、−CO(O)NH−C1〜20−アルキル、−C(O)N(C1〜20アルキル)2、−O−C1〜20アルキル、−OC(O)−C1〜20−アルキル、−SiH3、SiH2(C1〜20−アルキル)、SiH(C1〜20−アルキル)2、Si(C1〜20−アルキル)3、C4〜8−シクロアルキル、フェニル、及び5〜8員の複素環系からなる群から独立して選択される1〜10個の置換基で置換されてよく、且つフェニル及び5〜8員の複素環系はC1〜16−アルキル基で置換されてよく、oは1、2又は3であり且つnは2〜10000の整数である前記ポリマー、前記ポリマーの製造方法、及び前記ポリマーを含む電子デバイスを提供する。

Abstract translation: 本发明具有下式，其包括（I）单元，R 1和R 2彼此独立地为C1〜-C 30烷基的，C2〜-C 30烯基，C2〜-C 30炔基，苯基或5-8元的聚合物 的杂环体系，其中，C1至C30烷基，C2〜-C 30链烯基或C2分别〜-C 30炔基，卤素，-CN，-NO 2，-OH，-NH 2，-NH（C1〜 20-烷基）， - N（C1〜20-烷基）2，-NH-C（O） - （C1〜20-烷基）， - S（O）2 OH，-CHO，-C（O）-C1〜 20 - 烷基，-C（O）OH，-C（O）-OC 1〜20-烷基，-C（O）NH 2，-CO（O）NH-C1〜20-烷基，-C（O）N（ C 1-20烷基）2，-O-C1〜20烷基，-OC（O）-C1〜20-烷基，-SiH3，的SiH 2（C1〜20-烷基硅烷），SiH（C1〜20-烷基）2，硅 （C1〜20-烷基）3，C 4〜8 1〜10的环烷基，独立地选自苯基的组中选择，和5-8元杂环环系 可以用取代基，苯基和5-8元杂环系统被取代可与C1〜取代16-烷基，o为1，2或3，n是2至10000的整数 聚合物，该聚合物的制造方法，以及提供了包括该聚合物是一种电子装置。

公开(公告)号：JP2014525949A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2014517784

申请日：2012-07-04

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： 宙幹 野口 ,  デッツ フローリアン ,  クマール ミシュラ アショク ,  ヴァイディアナサン スブラマニアン ,  ミン−ティエン マイ

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

Abstract: 本発明は式（Ｉ）［式中：Ｍ１は任意に置換されたジチエノフタルイミド式（ＩＩ）（式中：ＸはＮまたはＣ−Ｒであり、ここでＲはＨまたはＣ
1 〜Ｃ
40 アルキル基であり、Ｒ
1 は、それぞれの場合で、独立してＨ、Ｃ
1〜40 アルキル基、Ｃ
2〜40 アルケニル基、Ｃ
1〜40 ハロアルキル基、および単環式または多環式部分から選択され、ここで：Ｃ
1〜40 アルキル基、Ｃ
2〜40 アルケニル基、およびＣ
1〜40 ハロアルキル基のそれぞれは、ハロゲン、ＣＮ、−ＮＯ
2 、ＯＨ、ＮＨ
2 、−ＮＨ（Ｃ
1〜20 アルキル）、Ｎ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−Ｓ（Ｏ）
2 ＯＨ、−ＣＨＯ、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ
2 、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−ＯＣ
1〜20 アルキル、−ＳｉＨ
3 、−ＳｉＨ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−ＳｉＨ
2 （Ｃ
1〜20 アルキル）、および−Ｓｉ（Ｃ
1〜20 アルキル）
3 から独立して選択される１〜１０個の置換基で任意に置換されていてよい；そして単環式または多環式部分は、任意のリンカーを介してイミド窒素と共有結合していてよく、ハロゲン、オキソ、−ＣＮ、−ＮＯ
2 、ＯＨ、＝Ｃ（ＣＮ）
2 、−ＮＨ
2 、−ＮＨ（Ｃ
1〜20 アルキル）、Ｎ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−Ｓ（Ｏ）
2 ＯＨ、−ＣＨＯ、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ
2 、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ
1〜20 アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−ＳｉＨ
3 、−ＳｉＨ（Ｃ
1〜20 アルキル）
2 、−ＳｉＨ
2 （Ｃ
1〜20 アルキル）、−Ｓｉ（Ｃ
1〜20 アルキル）
3 、−Ｏ−Ｃ
1〜20 アルキル、−Ｏ−Ｃ
1〜20 アルケニル、−Ｏ−Ｃ
1〜20 ハロアルキル、Ｃ
1〜20 アルキル、Ｃ
1〜20 アルケニル、Ｃ
1〜20 ハロアルキル、Ｃ
7〜20 アリールアルキル、Ｃ
6〜20 アリールオキシおよびＣ
7〜20 アリールカルボニルから独立して選択される１〜５個の置換基で任意に置換されていてよい）であり、Ｍ
2 は、１以上の環状部分を含む繰り返し単位である；そしてｎは２〜５，０００の整数である］のポリマーに関する。

Abstract translation: 本发明涉及式（I）的聚合物：其中：M1是任选取代的二噻吩邻苯二甲酰亚胺式（II）：其中：X是N或C-R，其中R是H或C 1 -C 40烷基， 独立地选自H，C1-40烷基，C2-40烯基，C1-40卤代烷基和单环多环部分，其中：C 1-4烷基，C 2-40 烯基和C 1-4卤代烷基可以任选地被1-10个独立地选自卤素，CN，-NO 2，OH，NH 2，-NH（C 1-20烷基），N（C 1-20烷基） 2，-S（O）2 OH，-CHO，-C（O）-C 1-20烷基，-C（O）OH，-C（O）-OC 1-20烷基，-C（O）NH 2，-C （O）NH-C 1-20烷基，-C（O）N（C 1-20烷基）2，-OC 1-20烷基，-SiH 3，-SiH（C 1-20烷基）2，-Si H 2 ）和-Si（C 1-20烷基）3; 并且单环或多环部分可以经由任选的接头与酰亚胺氮共价结合，并且可以任选地被1-5个取代基取代，所述取代基独立地选自卤素，氧代，-CN，-NO 2，OH，= C（CN）2 ，-NH 2，-NH（C 1-20烷基），N（C 1-20烷基）2，-S（O）2 OH，-CHO，-C（O）OH，-C（O） -C（O）-OC 1-20烷基，-C（O）NH 2，-C（O）NH-C 1-20烷基，-C（O）N（C 1-20烷基）2，-SiH 3，-SiH C 1-20烷基）2，-SiH 2（C 1-20烷基），-Si（C 1-20烷基）3，-O-C 1-20烷基，-O-C 1-20烯基，-O-C 1-20卤代烷基， C 1-20烷基，C 1-20烯基，C 1-20卤代烷基，C 7-20芳基烷基，C 6-20芳氧基和C 7-20芳基羰基。 M2是包含一个或多个环状部分的重复单元; n为2〜5,000的整数。

公开(公告)号：JP2013538257A

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：JP2013522215

申请日：2011-07-29

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： クマール ミシュラ アショク ,  ヴァイディアナサン スブラマニアン ,  宙幹 野口 ,  デッツ フローリアン ,  チュー ボー ,  セバスチャン バスキ ジョアン

IPC: C08G61/12

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C07D513/14 ,  C08G61/123 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/226 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/596 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545

Abstract: 本発明は、式（１）で示され、その式中、Ａ
1 およびＡ
2 が、同一もしくは異なってよく、かつＳまたはＳｅであり、Ｅが、特定のものから選択される半導体化合物、オリゴマーおよびポリマーを提供する。 式（１）の化合物、オリゴマーおよびポリマーは、有機電界効果トランジスタなどの電子デバイスで使用するのに適している。

公开(公告)号：JP5591229B2

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：JP2011511026

申请日：2009-05-29

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： ファケッティ アントニオ ,  チェン ジーホア ,  デッツ フローリアン ,  カストラー マルセル ,  ジェイ． マークス トービン ,  ヤン ヘ ,  ツェン ヤン

IPC: C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: C07D471/06 ,  C09B3/78 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2014514414A

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：JP2014506832

申请日：2012-04-24

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： クマール ミシュラ アショク ,  ヴァイディアナサン スブラマニアン ,  宙幹 野口 ,  デッツ フローリアン ,  グワン ユーツゥイ

IPC: C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C09B57/00 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0558

Abstract: 本発明は、式（１）の構成単位を含むポリマー、および半導電性材料として当該ポリマーを含む電子デバイスを提供する。

公开(公告)号：JP5523351B2

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：JP2010545463

申请日：2009-02-05

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ポリエラ コーポレイションPolyera Corporation

Inventor： カストラー マルセル ,  ヴァイディアナサン スブラマニアン ,  デッツ フローリアン ,  ケーラー ジルケ ,  ヤン ヘ ,  ファケッティ アントニオ ,  ルー シャオフェン ,  ツェン ヤン

IPC: C07D471/06 ,  C09K11/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D471/06 ,  C09B5/62 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2008539189A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：JP2008508187

申请日：2006-04-03

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： ノルト ジーモン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイス ホルスト ,  レッシュ ヨアヒム

IPC: C07C17/269 ,  C07C17/266 ,  C07C17/275 ,  C07C25/22 ,  C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

Abstract: ａ）式ＩＩａのモノマーのフルオランテン誘導体を製造し、ｂ）場合により前記の式ＩＩａのモノマーのフルオランテン誘導体を式ＩＩｂの他のモノマーのフルオランテン誘導体に変換し、ｃ）式ＩＩａ又はＩＩｂのモノマーのフルオランテン誘導体を、場合により少なくとも１種の他のコモノマーと一緒に重合させる一般式（Ｉ）の繰り返し単位を有するポリフルオランテンの製造方法；前記の本発明による方法により製造可能なポリフルオランテン、本発明による少なくとも１種のポリフルオランテンを有するか又は前記ポリフルオランテンからなる塗膜及び発光層、本発明によるポリフルオランテンを有するＯＬＥＤ、本発明による発光層を有するＯＬＥＤ、本発明によるＯＬＥＤを有する装置及び本発明によるポリフルオランテンのＯＬＥＤ中の発光物質としての使用。