公开(公告)号：JP2017534696A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：JP2017507821

申请日：2015-08-07

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ ,  ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ

发明人： バオ ジェナン ,  バオ ジェナン ,  ティン レイ ,  ティン レイ ,  イン−チー ライ ,  イン−チー ライ ,  ワン ホゥイリアン ,  ワン ホゥイリアン ,  アヨ パスカル ,  アヨ パスカル ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス

IPC分类号： C08L65/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/172 ,  C08G61/12 ,  C08K3/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/172 ,  C01B32/174 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/122 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/92 ,  C08K3/041 ,  H01B1/04 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558 ,  C08L65/00

摘要： 半導体の単層カーボンナノチューブ、半導体ポリマー及び溶媒Aを含有する組成物(組成物A)の製造方法が提供され、この製造方法は、半導体の単層カーボンナノチューブ及び金属性の単層カーボンナノチューブ、半導体ポリマー並びに溶媒Bを含有する組成物(組成物B)から、組成物Aを分離する工程を含むものであり、ここでこの半導体ポリマーは、0.5〜1.8eVの範囲にあるバンドギャップを有し、溶媒A及びBは、芳香族又は複素芳香族の溶媒を含有する。組成物A自体、電子デバイスの製造方法であって組成物Aを電子デバイスの前駆体に適用することによって層を形成する工程を含む方法、またこの方法によって得られる電子デバイスも提供される。

公开(公告)号：JP2017528447A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2017509704

申请日：2015-08-17

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ウラディミロフ イリヤ ,  ウラディミロフ イリヤ ,  キオード ティツィアナ ,  キオード ティツィアナ ,  ザイフリート トーマス ,  ザイフリート トーマス

IPC分类号： C07D471/04 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C09K11/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0007 ,  C07D471/06 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 結晶化の条件により、有利な半導体特性を有する気液界面での結晶の形成につながる結晶性有機半導体材料の製造方法、こうして得られた結晶性有機半導体材料、及び有機半導体デバイスを製造するための、特に有機電界効果トランジスタ及び太陽電池における、前記結晶性有機半導体材料の使用が提供される。

公开(公告)号：JP2016502559A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015546122

申请日：2013-11-25

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： チョンジュン ジアオ ,  チョンジュン ジアオ ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  ユアク キアナー ハンス ,  ユアク キアナー ハンス ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク

IPC分类号： C07D495/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D495/22 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： 本発明は、式(1)の化合物[前記式中、oは1、2または3であり、pは0、1または2であり、nは0、1または2であり、mは0、1または2であり、且つAは、少なくとも1つのヘテロ原子を含有してよい単環系または多環系である]、および前記化合物を半導体材料として含む電子素子を提供する。

摘要翻译： 本发明提供式的化合物（1）[式中，o为1，2或3，p是0，1或2，n为0，1或2，m是0，1 或2，以及提供了一种电子设备，包括至少一个，并且可以含有杂原子的单环或多环，并且该化合物作为半导体材料。

公开(公告)号：JP2017528915A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2017511868

申请日：2015-08-20

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ゲースナー トーマス ,  ゲースナー トーマス ,  純一 竹谷 ,  純一 竹谷 ,  柾之 岸 ,  柾之 岸

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D471/06 ,  C08K5/3437 ,  C08L101/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D471/06 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0566

摘要： 式I又はIIの化合物、及び非導電性ポリマーを含有する薄膜半導体であって、前記式中、R1及びR2はそれぞれ独立して、C1〜30アルキル基、C2〜30アルケニル基、C2〜30アルキニル基、及びC1〜30ハロアルキル基から選択されており、R3、R4、R5、及びR6は独立して、H又は電子求引性基であり、ここでR3、R4、R5、及びR6のうち少なくとも1つが電子求引性基である。

公开(公告)号：JP2017509615A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016554206

申请日：2015-02-18

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ウー チャオ ,  ウー チャオ ,  ツァオ ワイマン ,  ツァオ ワイマン ,  チュア シーフイ ,  チュア シーフイ ,  シュテファン　ベッカー ,  ベッカー シュテファン ,  オイスタヒ ミヒャエル ,  オイスタヒ ミヒャエル

IPC分类号： C07D495/14 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D495/14 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558

摘要： 本発明は、式1で示され、その式中、X1及びX2が、互いに独立してO、S又はSeである化合物、並びに該化合物を半導体材料として含む電子素子を提供する。

公开(公告)号：JP2017535502A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2017516090

申请日：2015-09-22

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ライス ヴィーラント ,  ライス ヴィーラント ,  クラウス アレクサンダー ,  クラウス アレクサンダー ,  ミハエル ジュール ,  ミハエル ジュール ,  カイザー ミヒャエル ,  カイザー ミヒャエル ,  ゲオアク シュヴァープ マティアス ,  ゲオアク シュヴァープ マティアス ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ケットナー ミヒェル ,  ケットナー ミヒェル

IPC分类号： C01B32/172 ,  B01J21/18 ,  C01B32/159

CPC分类号： C01B32/172 ,  C01B2202/22 ,  G01N21/33 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： 本発明は、ポリタングステン酸塩の溶液を用いた密度分離により、半導体性単層カーボンナノチューブと金属性単層カーボンナノチューブとを互いに分離し、そして存在する場合には他の炭素質材料から分離するための、または半導体性単層カーボンナノチューブもしくは金属性単層カーボンナノチューブを他の炭素質材料から分離するための方法;該方法により得ることができる半導体性単層カーボンナノチューブ;および該半導体性単層カーボンナノチューブの使用;ならびに該方法により得ることができる金属性単層カーボンナノチューブ;および該金属性単層カーボンナノチューブの使用に関する。本発明はさらに、半導体性単層カーボンナノチューブを金属性単層カーボンナノチューブから分離するための、もしくは半導体性単層カーボンナノチューブを望ましくない炭素質材料から分離するための、特に半導体性単層カーボンナノチューブを金属性単層カーボンナノチューブから分離するための、または金属性単層カーボンナノチューブを望ましくない炭素質材料から分離するための、特に金属性単層カーボンナノチューブを半導体性単層カーボンナノチューブから分離するための、ポリタングステン酸塩の、特にポリタングステン酸ナトリウムの使用に関する。本発明はさらに、ホスフェート基を含む特定のポリアリールエーテルおよび界面活性化合物としてのその使用に関する。

公开(公告)号：JP2017532768A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2017509705

申请日：2015-08-17

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ウラディミロフ イリヤ ,  ウラディミロフ イリヤ ,  ブリル ヨヘン ,  ブリル ヨヘン ,  フライベルク ディーター ,  フライベルク ディーター ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ムズィオル トーマス ,  ムズィオル トーマス ,  アニカ ケーラー ズィルケ ,  アニカ ケーラー ズィルケ

IPC分类号： H01L51/40 ,  C07C69/80 ,  C07D471/06 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07D495/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC分类号： H01L51/0007 ,  C07D471/06 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 液状媒体中に少なくとも1種の有機半導体を含有する新規半導体組成物、並びに有機半導体デバイスの製造、特に有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池、発光ダイオード、及びセンサを製造するための、前記組成物の使用が開示される。

公开(公告)号：JP2017512755A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016553823

申请日：2015-02-24

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオMax−Planck−Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften e.V. ,  マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオMax−Planck−Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften e.V.

发明人： ゲースナー トーマス ,  ゲースナー トーマス ,  ライヒェルト ヘルムート ,  ライヒェルト ヘルムート ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  オイスタヒ ミヒャエル ,  オイスタヒ ミヒャエル ,  イェンシュ ダニエル ,  イェンシュ ダニエル ,  チェン ロン ,  チェン ロン ,  ニコラエヴィチ スカベエフ アルテム ,  ニコラエヴィチ スカベエフ アルテム ,  クラウス　ミュレン ,  ミュレン クラウス ,  ライヒャート ハンス ,  ライヒャート ハンス

IPC分类号： C07D471/16 ,  C07D471/22 ,  G02B5/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50 ,  H05B33/28

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D455/03 ,  C07D455/04 ,  C07D471/16 ,  C07D471/22 ,  C07D487/22 ,  C08K5/3437 ,  C08K2201/001 ,  C09B5/62 ,  C09B57/00 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549

摘要： 半導体として、特に有機エレクトロニクス及び有機光起電における半導体として使用される式(I)の化合物が開示されており、式中、X1、X2は、O、又はC(CN)2であり、Aは、式(II1)、式(II2)、式(II3)、式(II4)、式(II5)、式(II6)から選択され、X3、X4は存在する場合には、O、又はC(CN)2であり、R4a、R4b、R5a、R5b、R6a、R6b、R6c、R6d、R7a、R7b、R8a、R8b、R9、R10a、R10b、Rm1、Rm2、Rm3、及びRm4は、請求項及び明細書で定義されている。

公开(公告)号：JP2015518492A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：JP2015510912

申请日：2013-04-29

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： デッツ フローリアン ,  デッツ フローリアン ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  ジアオ チョンジュン ,  ジアオ チョンジュン ,  宙幹 野口 ,  宙幹 野口 ,  スウィーメン アン ,  スウィーメン アン ,  ジョウ ミー ,  ジョウ ミー ,  伊織 土井 ,  伊織 土井 ,  クマール ミシュラ アショク ,  クマール ミシュラ アショク

IPC分类号： C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D209/86 ,  C07D307/78 ,  C07D307/87 ,  C07D333/52 ,  C07D333/72 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549

摘要： 式(I)のフェナセン化合物が開示される。前記式の全ての変化形は、明細書中において定義されるものと同一である。上記化合物を含む薄膜半導体、および前記薄膜を含む電界効果トランジスタ、光起電素子、有機発光ダイオード素子、および単極型もしくは相補型回路素子も開示される。

摘要翻译： 公开式（I）的化合物Fenasen。 其中公式中的所有变化是一样的，在说明书中所定义。 薄膜半导体包含所述化合物，和一个场效应晶体管，包括薄膜，光伏器件，有机发光二极管装置，并且还单极型或互补电路器件中公开。

公开(公告)号：JP2015507840A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2014545196

申请日：2012-12-03

申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

发明人： ビュジャール パトリス ,  ビュジャール パトリス ,  チェボタレヴァ ナタリア ,  チェボタレヴァ ナタリア ,  ヴァイツ トーマス ,  ヴァイツ トーマス ,  アヨ パスカル ,  アヨ パスカル

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D487/04 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/226 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  C08L2205/02 ,  C09B57/004 ,  C09B69/105 ,  C09B69/109 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： 本発明は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含む電子素子またはデバイスであって、ソース電極とドレイン電極との間に備えられている有機半導体(OSC)材料をさらに含み、前記OSC材料が(a)式(I)によって示されるポリマーおよび(b)式(II)の化合物を含む、前記電子素子またはデバイスを提供する。式Iによって示されるポリマーおよび(b)式(II)の化合物から構成される半導体材料を選択することによって、高品質なOFETを製造できる。

摘要翻译： 本发明包括一个栅电极，一个电子元件或器件包括源极电极和漏极电极，其进一步包括在所述源极电极和漏极电极，OSC材料之间设置（OSC）材料的有机半导体（ 包括式（I由a表示聚合物））和（b）（Ⅱ的化合物反应），以提供所述电子装置或设备。 通过选择包含所述聚合物和（b）式由式I（II）表示的化合物的半导体材料，可以生产出高质量的OFET。