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公开(公告)号：JP2018503127A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2017535384
申请日：2015-12-28
发明人： ト、 ビン , ドリー、 トーマス , ボイッツァカ、 ウィリアム エー.
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0026 , C11D3/2006 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/261 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： この開示は、1)少なくとも1種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と;2)少なくとも1種のアルコール溶媒と;3)少なくとも1種の水酸化第4級アンモニウムと;4)水と;5)6−置換−2,4−ジアミノ−1,3,5−トリアジン類から選択される少なくとも1種の銅腐食抑制剤と;6)場合により、少なくとも1種の脱泡界面活性剤とを含有するフォトレジスト剥離組成物に関する。【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021181572A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021119729
申请日：2021-07-20
摘要： 【課題】多工程製造プロセスにおける中間工程として、主に半導体基板から残渣(例えば、プラズマエッチング及び/又はプラズマアッシング残渣)及び/又は金属酸化物を除去するのに有用な非腐食性洗浄組成物を提供する。 【解決手段】a)組成物の0.05重量%〜1重量%の量である、HF; b)組成物の少なくとも95重量%の量である、少なくとも1種の有機溶媒; c)トリアゾール、芳香族無水物、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1種の腐食防止剤であって、組成物の0.01重量%〜1重量%の量である、腐食防止剤;並びに d)組成物の0.28重量%〜2重量%の量である、水 を含む洗浄組成物とする。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6856684B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2019039176
申请日：2019-03-05
发明人： 高橋智威 , ドゥ、 ビン , ウォジャック、 ウィリアム エー. , ドリー、 トーマス , ニア、 エミル エー.
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D17/08 , C11D7/22
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公开(公告)号：JP6599322B2
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：JP2016525614
申请日：2014-09-15
发明人： ドリー、 トーマス , ドゥ、 ビン , 高橋智威 , クニール、 エミル エー.
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/304 , C11D7/60
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公开(公告)号：JP6550123B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2017501072
申请日：2015-03-17
发明人： ドリー、 トーマス , クニール、 エミール エー. , 高橋 智威
IPC分类号： H01L21/308
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公开(公告)号：JP2019116634A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2019039176
申请日：2019-03-05
发明人： 高橋智威 , ドゥ、 ビン , ウォジャック、 ウィリアム エー. , ドリー、 トーマス , ニア、 エミル エー.
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/22
摘要： 【課題】洗浄用組成物、並びに半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法の提供。 【解決手段】1)少なくとも1つの酸化還元剤、2)ポリアミノポリカルボン酸である少なくとも1つの第1のキレート剤、3)前記第1のキレート剤と異なり、少なくとも2つの窒素含有基を含む少なくとも1つの第2のキレート剤、4)置換または非置換ベンゾトリアゾールである少なくとも1つの金属腐食抑制剤、5)水溶性アルコール、水溶性ケトン、水溶性エステル、および水溶性エーテルからなる群より選択される少なくとも1つの有機溶媒、6)水、および7)所望により、金属イオンを含まない塩基である少なくとも1つのpH調整剤を含む洗浄用組成物、並びに半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021102773A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2021044568
申请日：2021-03-18
发明人： 高橋智威 , ドゥ、 ビン , ウォジャック、 ウィリアム エー. , ドリー、 トーマス , ニア、 エミル エー.
IPC分类号： C11D7/26 , C11D3/30 , C11D3/20 , H01L21/304 , C11D7/32
摘要： 【課題】洗浄用組成物、および半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法を提供する。 【解決手段】】1)少なくとも1つの酸化還元剤、2)ポリアミノポリカルボン酸である少なくとも1つの第1のキレート剤、3)前記第1のキレート剤と異なり、少なくとも2つの窒素含有基を含む少なくとも1つの第2のキレート剤、4)置換または非置換ベンゾトリアゾールである少なくとも1つの金属腐食抑制剤、5)水溶性アルコール、水溶性ケトン、水溶性エステル、および水溶性エーテルからなる群より選択される少なくとも1つの有機溶媒、6)水、および7)所望により、金属イオンを含まない塩基である少なくとも1つのpH調整剤を含む洗浄用組成物、並びに半導体基板を洗浄するための前記組成物の使用法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6494627B2
公开(公告)日：2019-04-03
申请号：JP2016536210
申请日：2014-12-03
发明人： 高橋智威 , ドゥ、 ビン , ウォジャック、 ウィリアム エー. , ドリー、 トーマス , ニア、 エミル エー.
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/50 , H01L21/304 , C11D7/22
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公开(公告)号：JP2018528284A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018501912
申请日：2016-07-14
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/247 , C11D7/26 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , C11D7/5022 , C23G5/032 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02057
摘要： 本開示は、多工程製造プロセスにおける中間工程として、主に半導体基板から残渣(例えば、プラズマエッチング及び/又はプラズマアッシング残渣)及び/又は金属酸化物を除去するのに有用な非腐食性洗浄組成物に関する。
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