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公开(公告)号:JP2016536325A
公开(公告)日:2016-11-24
申请号:JP2016535444
申请日:2014-08-18
申请人: ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG , ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ヴォルフ・ショルン , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァス−ナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
IPC分类号: C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/205
CPC分类号: C07F5/00
摘要: 本発明は、アルキルインジウムセスキクロリドを、高収率、並びに高い選択性及び純度で、コスト効率が良く、かつ環境に優しく製造するための方法に関する。本発明により製造されるアルキルインジウムセスキクロリドは、高純度かつ高収率であることからも、インジウム含有前駆体を高収率並びに高い選択性及び純度で、必要に応じて製造するのに特に好適である。高純度であることから、製造可能なインジウム含有前駆体は、有機金属気相成長法(MOCVD)又は有機金属気相エピタキシー法(MOVPE)に特に好適である。本発明による新規方法は、特に短時間のプロセス制御による、本方法の実施の改善を特徴とする。コスト効率が良く環境への影響の少ない原料を、標的を絞って高効率で利用することから、本方法は工業規模での使用にも適する。
摘要翻译: 本发明是烷基倍半氯化铟,高收率,高选择性和纯度,成本有效的序列,以及一种用于制造环境友好的方法。 烷基倍半氯化铟通过本发明生产的,由高纯度和高收率,在高收率的含铟前体和高选择性和纯度,这一事实特别适用于生产任选 它是。 由于纯度高,它可以生产的含铟的前体是特别适合于金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)。 根据本发明,特别是通过短的过程控制的新方法,并且本发明方法的其中的改进。 受成本效率更好的环境,采取以高效率压缩目标的优点较少的原材料,该方法也适合于在工业规模上使用。
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公开(公告)号:JP2017512827A
公开(公告)日:2017-05-25
申请号:JP2016574486
申请日:2015-03-12
申请人: ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG , ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG
发明人: ヴォルフ・ショルン , ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァス−ナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
IPC分类号: C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/205
CPC分类号: C07F5/00 , C23C16/18 , H01L21/0262
摘要: 本発明は、一般式:R3Gaのトリアルキルガリウム化合物を、高い収率及び選択性で安価かつ環境に無害であるように調製するための改善されたプロセスに関し、式中、Rは、1〜4個の炭素原子のアルキルである。トリアルキルガリウムは、本発明に従って、中間段階であるアルキルガリウムジクロリド(RGaCl2)又はジアルキルガリウムクロリド/アルキルガリウムジクロリド混合物(R2GaCl/RGaCl2)を介して調製される。得られるRGaCl2又はR2GaCl/RGaCl2混合物も、本発明の主題の一部を形成する。本発明の新規のプロセスは、改善されたプロセス管理のため注目に値する。本プロセスは、環境への影響が低い安価な出発材料及び試薬の実質的な使用を意図的に行い、そのため工業規模で有用でもある。得られるトリアルキルガリウム化合物は非常に純粋であり、そのため、半導体及びマイクロシステム技術において有機金属化学蒸着法(MOCVD)又は有機金属気相エピタキシー法(MOVPE)のための有機金属前駆体として特に有用である。
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公开(公告)号:JP2016532699A
公开(公告)日:2016-10-20
申请号:JP2016535443
申请日:2014-08-18
申请人: ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG , ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトUmicore AG & Co.KG
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ヴォルフ・ショルン , ダーヴィト・グロッセ−ハーゲンブロック , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァスナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
IPC分类号: C07F5/00
CPC分类号: C07F5/00
摘要: 本発明は、ジアルキルインジウムクロリドを、高収率、並びに高い選択性及び純度で、コスト効率が良く、かつ環境に優しく製造するための方法に関する。本発明により製造されるジアルキルインジウムクロリドは、高純度かつ高収率であることからも、インジウム含有前駆体を高収率並びに高い選択性及び純度で、必要に応じて製造するのに特に好適である。高純度であることから、製造可能なインジウム含有前駆体は、有機金属気相成長法(MOCVD)又は有機金属気相エピタキシー法(MOVPE)に特に好適である。本発明による新規方法は、特に短時間のプロセス制御による、本発明の実施の改善を特徴とする。コスト効率が良く環境影響の少ない原料を、標的を絞って高効率で利用することから、本方法は工業規模での使用にも適する。
摘要翻译: 本发明是二烷基氯化铟,高收率,高选择性和纯度,成本有效的序列,以及一种用于制造环境友好的方法。 由本发明生产的二烷基氯化铟,从高纯度的事实,并以高收率,以高收率和高选择性和纯度的含铟的前体,特别适用于生产任选 一。 由于纯度高,它可以生产的含铟的前体是特别适合于金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)。 根据本发明,特别是通过短的过程控制的新方法,并且本发明的其中的改进。 更少的原材料成本有效和环境的影响,采取以高效率压缩目标的优点,该方法也适合于在工业规模上使用。
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公开(公告)号:JP2021014459A
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:JP2020179553
申请日:2020-10-27
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ヴォルフ・ショルン , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァス−ナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
摘要: 【課題】本発明は、一般式R 3 In 2 Cl 3 で特徴づけられるアルキルインジウムセスキクロリド(以下化合物(A)とも呼ぶ)を、高収率並びに高い選択性及び純度で調製するプロセスを提供する。 【解決手段】本発明は、アルキルインジウムセスキクロリドを、高収率、並びに高い選択性及び純度で、コスト効率が良く、かつ環境に優しく製造するための方法に関する。本発明により製造されるアルキルインジウムセスキクロリドは、高純度かつ高収率であることからも、インジウム含有前駆体を高収率並びに高い選択性及び純度で、必要に応じて製造するのに特に好適である。高純度であることから、製造可能なインジウム含有前駆体は、有機金属気相成長法(MOCVD)又は有機金属気相エピタキシー法(MOVPE)に特に好適である。本発明による新規方法は、特に短時間のプロセス制御による、本方法の実施の改善を特徴とする。コスト効率が良く環境への影響の少ない原料を、標的を絞って高効率で利用することから、本方法は工業規模での使用にも適する。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2021507102A
公开(公告)日:2021-02-22
申请号:JP2020532735
申请日:2018-12-12
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , ズザネ・プルズ , ファビアン・シュレーダー
IPC分类号: C07C245/24 , C07F5/06 , C07F5/00 , C07F15/06 , C07F15/00 , C07F1/08 , C07F3/04 , C07F7/02 , C07F9/90 , C07F9/94 , C07F3/10 , C07F7/00 , C07F1/12 , C07F1/10 , C07F3/00 , C23C16/18
摘要: 本発明は、式R 1 −N 3 −R 2 [式中、R 1 及びR 2 は炭化水素部分である]の少なくとも1つの配位子を有する金属錯体の使用であって、気相から金属又は金属の化合物を堆積させるための使用に関する。本発明は、金属錯体から金属を堆積させる方法、並びに金属錯体、置換トリアゼン化合物、及びそれらの製造方法に更に関する。
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公开(公告)号:JP6742921B2
公开(公告)日:2020-08-19
申请号:JP2016574486
申请日:2015-03-12
发明人: ヴォルフ・ショルン , ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァス−ナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
IPC分类号: C23C16/18 , H01L21/205 , C07F5/00
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公开(公告)号:JP6662875B2
公开(公告)日:2020-03-11
申请号:JP2017527870
申请日:2015-11-25
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , カトリン・シュレヒター
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公开(公告)号:JP2021531243A
公开(公告)日:2021-11-18
申请号:JP2020568807
申请日:2019-07-26
发明人: ニコラス・ラウ , ヨルク・ズンダーマイヤー , アンドレアス・リーヴァス・ナス , ラルフ・カルヒ , アニカ・フレイ , アンゲリノ・ドッピウ , アイリーン・ヴェルナー
摘要: 本発明は、ALD及びCVDプロセスで使用するための、シクロペンタジエニド及びアルキル配位子と組み合わせたビス(アルキルイミン)グリオキサール及びビス(ジアルキルヒドラゾン)グリオキサール配位子に基づく、新規の部類の揮発性金属有機化合物の規定及び合成に関する。
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公开(公告)号:JP6877492B2
公开(公告)日:2021-05-26
申请号:JP2019124481
申请日:2019-07-03
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , アニカ・フレイ , ヴォルフ・ショルン , ラルフ・カルヒ , アンドレアス・リーヴァス−ナス , アイリーン・ヴェルナー , アンゲリノ・ドッピウ
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公开(公告)号:JP2018500296A
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:JP2017527870
申请日:2015-11-25
发明人: ヨルク・ズンダーマイヤー , カトリン・シュレヒター
CPC分类号: C07F5/069 , C07C281/16 , C07F3/003 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F5/022 , C07F5/027 , C07F5/05 , C07F5/065 , C07F15/0066 , C07F15/025 , C08F10/00 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/45553
摘要: 本特許出願は、少なくとも1個のN−アミノグアニジナート配位子を有する新規金属錯体に関する。本特許出願は、新規金属錯体の調製に更に関し、また、その使用に関する。新規金属錯体は、CVD、MO−CVD、MOVPE、及びALDなどの気相薄膜処理による機能層の調製用の前駆体として特に好適である。加えて、新規金属錯体はまた、オレフィンヒドロアミノ化用の触媒及びオレフィン重合用の触媒としても好適である。
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