公开(公告)号：JP2017045766A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015164928

申请日：2015-08-24

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 木暮 克佳 ,  堀越 孝太郎 ,  小林 嘉一郎 ,  大関 和之

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/324 ,  H01L22/20

Abstract: 【課題】ロードロックチャンバ内の圧力と大気圧との圧力差による半導体ウエハの跳ねによる製造不良を低減する。 【解決手段】アッシング装置10は、ロードロックチャンバ14,15および装置制御部30を備える。ロードロックチャンバ14,15は、半導体ウエハの真空処理が行われるプロセスチャンバ11,12から半導体ウエハを取り入れまたは取り出しする。装置制御部30は、真空状態のロードロックチャンバ14,15を大気開放状態にする大気開放処理を制御する。また、装置制御部30は、大気開放される直前のロードロックチャンバ14内の圧力である第1の圧力値から大気開放直後のロードロックチャンバ14内の圧力である第2の圧力値を減算した差圧圧力値と予め設定された圧力値である−1kPaとを比較し、差圧圧力値が予め設定された−1kPsよりも低い場合にアラームを出力する。 【選択図】図1

Abstract translation: 由于响应于压力和装载锁定腔室的大气压力之间的压力差的半导体晶片的飞溅甲降低制造缺陷。 的灰化装置10包括加载互锁真空室15和设备控制单元30。 负载锁定室14和15，半导体晶片的真空处理被引入或从处理室11中，将要执行12取出的半导体晶片的。 装置控制单元30中，在真空状态下的负载锁定腔室15用于控制空气释放过程以打开到大气中。 装置控制单元30中，通过减去所述第二压力值在负载锁定腔室14中的压力从所述第一压力值空气开放后立即是压力立即负载锁定腔室14之前被向大气开放 比较-1kPa预设压力值的差压力的压力值，差压力的压力值输出警报时比预先设定-1kPs以下。 点域1

公开(公告)号：JP2016134585A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015010240

申请日：2015-01-22

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 小林 嘉一郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  F04B49/10 ,  G05B23/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/10

Abstract: 【課題】 安定稼働が可能な半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ウエハを処理する処理室と、前記処理室に連結され、前記処理室を真空排気する真空ポンプと、前記真空ポンプの駆動状態を測定するモニタと、前記真空ポンプの排気側に設けられた排気補助装置と、を備え、前記モニタは、前記真空ポンプと前記排気補助装置を駆動させた状態で前記真空ポンプの駆動状態を測定する半導体製造装置。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以稳定运行的半导体制造装置。解决方案：一种半导体制造装置，包括：用于处理晶片的处理室; 耦合到所述处理室的真空泵，以对所述处理室进行真空排气; 测量真空泵驱动状态的监视器; 以及设置在真空泵的排气侧的排气辅助装置。 显示器在真空泵和排气辅助装置被驱动的状态下测量真空泵的驱动状态。选择图：图2

公开(公告)号：JP2016219620A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015103580

申请日：2015-05-21

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 坂口 二郎 ,  小岩 章 ,  小林 嘉一郎 ,  佐藤 賢市 ,  濱田 直秀 ,  当麻 信明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67389 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67769

Abstract: 【課題】FOUPにおいてアウトガスによる半導体基板の不良発生を抑制することができる。 【解決手段】半導体ウエハ4の搬入出を行う開口部2dを備えた本体部2と、開口部2dを塞ぐように本体部2に密着し、かつ本体部2に着脱自在に設けられた蓋部3と、本体部2に形成された吸気用孔部2fおよび排気用孔部2hと、吸気用孔部2fに設けられたフィルタ2gと、排気用孔部2hに設けられたフィルタ2iと、を有するFOUP1である。さらに、FOUP1は、本体部2の内部空間2kに半導体ウエハ4を収納した状態で、吸気用孔部2fから内部空間2kにフィルタ2gを介して外気が取り込まれ、排気用孔部2hから内部空間2kのエアーが本体部2の外部に排出されることで換気を行う。 【選択図】図1

Abstract translation: A可以通过在除气FOUP抑制的半导体衬底的缺陷的发生。 并具有用于与所述主体部2进行装载和半导体晶片4的装卸，在紧密接触，以封闭该开口部2d的开口2D甲主体2，并且其被可拆卸地附接到主体2的盖部 如图3所示，进气孔2f和排气孔形成在主体部2 2H，在吸入孔2f中设置一个过滤器2G，一个过滤器2I中的排气孔部2h提供时， 它是一个FOUP1。 此外，FOUP 1是在主体部2的内部空间2K容纳半导体晶片4的状态下，外部空气被吸入通过过滤器2克到内部空间2K从吸气孔部2f，从排气孔部2h的内部空间 2K空气通过被排出到主体部2的外侧，使空气流通。 点域1