公开(公告)号：JP6050491B2

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：JP2015522459

申请日：2013-06-21

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 岡本 圭司 ,  大関 和之 ,  新井 宏征

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/20 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/12 ,  H01L29/42328 ,  H01L22/12

公开(公告)号：JP2015170763A

公开(公告)日：2015-09-28

申请号：JP2014045202

申请日：2014-03-07

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 庄司 健一 ,  近藤 由憲 ,  太田 裕樹 ,  岡本 圭司 ,  鈴木 裕一 ,  土持 秀太郎 ,  松本 賢吾 ,  大関 和之

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11573

Abstract: 【課題】半導体装置の特性を向上させる。 【解決手段】フォトレジスト膜PRをマスクとして、素子分離領域STIをエッチングすることにより、素子分離領域STIの下層部であるp型ウエルPWを露出させた後、フォトレジスト膜PRの表面の堆積物POをエッチングする。そして、このフォトレジスト膜PRをマスクとして、露出したp型ウエルPWに、不純物イオンを注入することによりソース領域MSを形成した後、フォトレジスト膜PRを除去する。これにより、フォトレジスト膜PRの表面の堆積物POに不純物イオンが打ち込まれることにより硬化層が形成されることを防止することができる。その結果、フォトレジスト膜PRの除去の際のポッピング現象を抑制することができ、ゲートGなどのパターンが破壊することを防止することができる。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提高半导体器件的特性。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：通过使用光致抗蚀剂膜PR作为掩模来蚀刻元件隔离区域STI以暴露p型阱PW 元件隔离区STI的下层部分，然后蚀刻在光致抗蚀剂膜PR的表面上的沉积PO; 并通过使用光致抗蚀剂膜PR作为掩模将杂质离子注入到曝光的p型阱PW中，以形成源极区域MS并随后除去光致抗蚀剂膜PR。 这可以防止通过将杂质离子离子注入到光致抗蚀剂膜PR的表面上的沉积PO中而形成的硬化层。 结果，在去除光致抗蚀剂膜PR时可以抑制爆裂现象，并且可以防止栅极G的图案的崩溃等。