公开(公告)号：JP2015099893A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：JP2013240286

申请日：2013-11-20

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 松井 孝二郎 ,  阪本 雄彦 ,  梅津 和之 ,  宇野 友彰

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7835 ,  H03K17/687 ,  H01L2224/16225 ,  H01L23/53214 ,  H01L2924/19105

摘要： 【課題】半導体装置の性能を向上させる。 【解決手段】半導体基板SBの主面のLDMOSFET形成領域LRに、互いに並列に接続されてパワーMISFETを構成する複数の単位MISFET素子が形成されている。また、半導体基板SBの主面のドライバ回路領域DRに、パワーMISFETのゲート電圧を制御する制御回路が形成されている。また、半導体基板SB上に、同種の金属材料からなる複数の配線層を有する配線構造が形成されている。LDMOSFET形成領域LRに形成された複数の単位MISFET素子のゲート電極GE同士は、同種の金属材料からなる複数の配線層の全ての配線層にそれぞれ形成されたゲート配線M1G,M2G,M3Gを介して互いに電気的に接続されている。 【選択図】図14

摘要翻译： 要解决的问题：提高半导体器件的性能。解决方案：在半导体衬底的主表面的LDMOSFET形成区域LR中形成多个并联连接以构成功率MISFET的单元MISFET元件 SB。 控制电源MISFET的栅极电压的控制电路形成在半导体衬底SB的主表面上的驱动电路区域DR中。 在半导体衬底SB上形成具有由相同种类的金属材料制成的多个布线层的布线结构。 形成在LDMOSFET形成区域LR中的多个单位MISFET元件的栅极电极GE通过形成在由相同种类的金属制成的多个布线层中的每一个中的栅极线M1G，M2G和M3G彼此电连接 材料。

公开(公告)号：JP6295065B2

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2013240286

申请日：2013-11-20

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 松井 孝二郎 ,  阪本 雄彦 ,  梅津 和之 ,  宇野 友彰

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/19105 ,  H03K17/687