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公开(公告)号：JPWO2016052301A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016551958
申请日：2015-09-24
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： 本発明は、露光後の加熱処理における膜のシュリンクが抑制されたネガ型のパターン形成方法、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明のネガ型のパターン形成方法は、レジスト組成物によって基板上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物膜を形成する膜形成工程と、上記膜に活性光線又は放射線を照射する露光工程と、上記活性光線又は放射線が照射された膜に加熱処理を施す加熱処理工程と、上記加熱処理が施された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する現像工程と、を備える、ネガ型のパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が、特定の式で表される基を有する繰り返し単位Aを含む樹脂Aと、特定の式で表される基を有する繰り返し単位Bを含む樹脂Bと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する。
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公开(公告)号：JPWO2016052313A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016551963
申请日：2015-09-25
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/12 , C08F220/18 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/3021 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , H01L21/0274 , H01L21/0276
摘要： 本発明は、使用されるレジスト組成物のDOFが大きく、露光後の加熱処理における膜のシュリンクが抑制されたネガ型のパターン形成方法、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明のネガ型のパターン形成方法は、レジスト組成物によって基板上にレジスト膜を形成する膜形成工程と、上記膜に活性光線又は放射線を照射する露光工程と、上記活性光線又は放射線が照射された膜に加熱処理を施す加熱処理工程と、上記加熱処理が施された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する現像工程とを備える、ネガ型のパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が特定の式で表される基を有する繰り返し単位Aを含む樹脂Aと特定の式で表される基を有する繰り返し単位Bを含む樹脂Bと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する。
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公开(公告)号：JPWO2016035585A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016546423
申请日：2015-08-21
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/12 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F220/36 , C08F228/06 , C08F230/08 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/365 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , C08F2220/1858 , C08F2220/1866 , C08F2220/185 , C08F2220/1825 , C08F2220/1875 , C08F2230/085 , C08F220/22
摘要： 本発明は、DOFが大きく、かつ、LWRが小さい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、樹脂Pと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記樹脂Pが特定の式で表される繰り返し単位p1及び繰り返し単位p2を有し、上記繰り返し単位p2がヒドロキシアダマンチル基のヒドロキシ基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された基を有さない。
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公开(公告)号：JPWO2015190174A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016527679
申请日：2015-04-20
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/32 , C08F220/28 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/322 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/2006 , G03F7/325
摘要： 下記式(1)により表されるΔDthが0.8以上を満たす感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。(式中、Dth(PTI)は、アルカリ現像液を用いた現像後における感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚に対する酸分解性基の閾値脱保護率を表し、Dth(NTI)は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像後における感活性光線性又は感放射線性膜の膜厚に対する酸分解性基の閾値脱保護率を表す。)
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公开(公告)号：JPWO2016006489A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016532884
申请日：2015-06-29
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/26 , C08F220/36 , C08F2220/1858 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： DOFが大きく、かつ、LWRに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。上記組成物は、樹脂(P)を含有し、上記樹脂(P)が、特定の一般式(1)で表される繰り返し単位(a1)を少なくとも含む、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位(a)と、ラクトン構造、スルトン構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b1)と、上記繰り返し単位(b1)とは異なる、ラクトン構造、スルトン構造、及び、カーボネート構造の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b2)と、を含み、上記繰り返し単位(b1)の大西パラメータが、上記繰り返し単位(b2)の大西パラメータよりも大きく、両者の差が0.85以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。
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公开(公告)号：JPWO2016006406A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016532844
申请日：2015-06-18
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/26 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： フォーカス許容度が大きく、かつ、解像力に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。上記組成物は、樹脂(P)を含有し、上記樹脂(P)が、酸分解性基を有する繰り返し単位(a)と、ラクトン構造等を有する繰り返し単位(b)とを含み、上記繰り返し単位(a)が、特定の一般式(1)で表される繰り返し単位(a1)を少なくとも含み、上記樹脂(P)の全繰り返し単位に対する上記繰り返し単位(a1)の含有量が、35モル%以上であり、上記樹脂(P)が、特定の一般式(X1)で表される基、特定の一般式(X2)で表される構造、ヒドロキシアダマンチル基、及び、ヒドロキシアダマンチル基のヒドロキシ基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された基をいずれも含まない、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である。
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