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    Electronic element substrate and method of manufacturing the same
    3.
    发明专利
    Electronic element substrate and method of manufacturing the same 审中-公开
    电子元件基板及其制造方法

    公开(公告)号：JP2011187509A

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：JP2010048423

    申请日：2010-03-04

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： NARA HIROKI ,  SUZUKI MASAYUKI

    IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/479 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic element substrate, with which a variety of electronic elements are fabricated through simple processes by reducing specific resistance of a partial region or the whole region of an oxide. SOLUTION: There is provided the method of manufacturing the electronic element substrate, including a resistance reduction processing step of reducing the specific resistance of the partial region or the whole region of the oxide in a substrate at least a part of the outermost surface layer of which is made of the oxide having specific resistance of ≤1×10 9 Ωcm by applying a potential higher than the potential of the substrate to the partial region or the whole region. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电子元件基板的制造方法，通过简单的方法通过降低部分区域或氧化物的整个区域的电阻来制造各种电子元件。 提供了一种电子元件基板的制造方法，包括：电阻降低处理步骤，在基板的至少一部分表面上降低基板的氧化物的部分区域或整个区域的电阻率 通过将高于基板的电位的电位施加到部分区域或整个区域，其电阻由比电阻为≤1×10 9 Ωcm的氧化物制成。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    Thin film transistor, method for manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method for manufacturing thin film transistor
    4.
    发明专利
    Thin film transistor, method for manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method for manufacturing thin film transistor 有权
    薄膜晶体管，制造多晶氧化物半导体薄膜的方法和制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：JP2010177431A

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：JP2009018128

    申请日：2009-01-29

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： NARA HIROKI ,  UMEDA KENICHI ,  MOCHIZUKI FUMIHIKO

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor wherein a thin film comprising an oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn can have a high TFT characteristic, and also to provide a method for manufacturing a polycrystalline oxide semiconductor thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor.
    SOLUTION: In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn. In a second step, the thin film 10A comprising the amorphous oxide semiconductor is put into an electric furnace and is sintered at such a temperature range of 660 to 840°C that the thin film is polycrystallized while maintaining a surface roughness Ra of ≤1.5 nm.
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种薄膜晶体管，其中包含含有In，Ga和Zn中的至少一种元素的氧化物半导体的薄膜可以具有高TFT特性，并且还提供一种方法 用于制造多晶氧化物半导体薄膜，以及制造薄膜晶体管的方法。 解决方案：在第一步骤中，使用具有IGZO基组合物作为靶的多晶烧结体的气相沉积方法在基板12上形成包括至少包含至少一种非晶氧化物半导体的非晶氧化物半导体的薄膜10A 包含In，Ga和Zn的一个元素。 在第二步骤中，将包含非晶氧化物半导体的薄膜10A放入电炉中，在660〜840℃的温度范围内烧结，使薄膜多晶化，同时保持表面粗糙度Ra≤1.5nm 。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

    Method of manufacturing laminate comprising crystalline homologous compound layer, and field effect transistor
    7.
    发明专利
    Method of manufacturing laminate comprising crystalline homologous compound layer, and field effect transistor 审中-公开
    制造包含晶体同位素化合物层的层压体的方法和场效应晶体管

    公开(公告)号：JP2011029238A

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：JP2009170483

    申请日：2009-07-21

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： NARA HIROKI ,  SUZUKI MASAYUKI ,  UMEDA KENICHI ,  MOCHIZUKI FUMIHIKO ,  TANAKA ATSUSHI ,  TAKADA MASAHIRO

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a laminate comprising a crystalline homologous compound layer having target resistivity. SOLUTION: The method of manufacturing the laminate comprising the crystalline homologous compound layer has a step of forming the crystalline homologous compound layer represented by M 1 M 2 O 3 (M 3 O) m (M 1 is at least one type of an element selected from a group formed of Sc, In, Lu, Yb, Tm, Er, Ho and Y, M 2 is at least one type of element selected from a group formed of Fe, Ga, In and Al, M 3 is at least one type of element selected from a group formed of Cd, Mg, Mn, Co, Cu and Zn and m is a natural number of 1 or above) and a step of controlling resistivity of the crystalline homologous compound layer by forming a protection layer covering the crystalline homologous compound layer under an atmosphere where a condition that oxygen partial pressure is ≤2×10 -2 Pa or a temperature is ≥150°C is satisfied. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造包含具有目标电阻率的结晶同源化合物层的层压体的方法。 解决方案：制造包含结晶同源化合物层的层压体的方法具有形成由M＆lt; SP＆gt; M＆lt; SP＆gt; 2＆lt; SP＆gt; O＆lt; SB （M 3 O）（M 1 是选自以下组中的至少一种元素： Sc，In，Lu，Yb，Tm，Er，Ho和Y，M 2 是选自Fe，Ga，In和Al中的至少一种元素，M 3 是选自由Cd，Mg，Mn，Co，Cu和Zn形成的组中的至少一种元素，m是1或更高的自然数），以及控制结晶同源物的电阻率的步骤 化合物层通过在氧分压≤2×10 -2 Pa或温度≥150℃的气氛下形成覆盖结晶同源化合物层的保护层。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    銅化合物含有膜の製造方法、膜形成用組成物の増粘を抑制する方法、膜形成用組成物を製造するためのキットおよび固体撮像素子
    8.
    发明专利
    銅化合物含有膜の製造方法、膜形成用組成物の増粘を抑制する方法、膜形成用組成物を製造するためのキットおよび固体撮像素子 审中-公开
    含铜复合膜的制造方法，用于抑制成膜组合物变稠的方法，用于制造成膜组合物和固态图像传感器的工具包

    公开(公告)号：JP2015044188A

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：JP2014152027

    申请日：2014-07-25

    Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    Inventor： PARK XING WU ,  NARA HIROKI

    IPC: B05D7/24 ,  B05D3/00 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  G02B5/22 ,  H01L27/14

    CPC classification number: G02B5/22 ,  C09D7/43 ,  C09D7/65 ,  C09D163/00 ,  C09D201/00 ,  C09D201/02 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L2224/16225

    Abstract: 【課題】近赤外線カットフィルタの材料として用いる、ひび割れ等の不良が少ない銅化合物含有膜の製造方法、膜形成用組成物の増粘を抑制する方法、膜形成用組成物を製造するためのキット及び前記銅含有膜を用いたフィルタを備えた固体撮像素子の提供。【解決手段】銅化合物含有組成物と、硬化性化合物を含有する硬化性組成物とを混合して膜形成用組成物を調製する工程と、膜形成用組成物を調製後3日以内に基材上に適用する工程とを含む、銅化合物含有膜の製造方法。好ましくは、調製後1日以内に行い、膜形成用組成物を調製してから10分後の膜形成用組成物の初期粘度に対する、同じ温度での適用時の膜形成用組成物の粘度の変化率が140%以下である銅化合物含有膜の製造方法。前記硬化性化合物がオキサシクロ化合物を含み、更に、エポキシ化合物を含む銅化合物含有組成物。前記銅化合物が、有機配位子を含む銅錯体である、銅化合物含有組成物。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供用于近红外线截止滤光片的材料的含铜化合物的膜的制造方法，并且几乎不产生裂纹等缺陷，提供抑制膜增稠的方法 提供一种用于制造成膜组合物的试剂盒，并提供一种使用含铜化合物的膜设置有过滤器的固态图像传感器。解决方案：含铜化合物的膜的制造方法包括： 通过混合含有铜化合物的组合物和含有可固化化合物的可固化组合物制备成膜组合物以及在制备后三天内将成膜组合物涂布在基材上的方法。 在含铜化合物的膜的制造方法中，优选地，在制备后一天内将成膜组合物涂布在基材上，并且在相同温度下施用成膜组合物的粘度的变化率相对于 成膜组合物制备10分钟后的成膜组合物的初始粘度为140％以下。 在含铜化合物的膜的制造方法中，固化性化合物含有氧杂环氧基化合物，并且还含有环氧化合物。 在含铜化合物的膜的制造方法中，铜化合物是含有有机配体的铜络合物。

    赤外線遮光組成物、赤外線遮光層、赤外線カットフィルタ、カメラモジュール
    9.
    发明专利
    赤外線遮光組成物、赤外線遮光層、赤外線カットフィルタ、カメラモジュール 有权
    红外光屏蔽组件，红外光罩，红外线切割滤镜和相机模块

    公开(公告)号：JP2015028621A

    公开(公告)日：2015-02-12

    申请号：JP2014129435

    申请日：2014-06-24

    Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    Inventor： MURAYAMA SATORU ,  SHIMADA KAZUTO ,  NARA HIROKI

    IPC: G02B5/22 ,  G03B11/00 ,  H01L27/14

    CPC classification number: G02B5/208 ,  G02B1/04 ,  G02B5/206 ,  G02B13/0085 ,  G03B11/00 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L2224/13

    Abstract: 【課題】可視領域での透過性に優れ、かつ、赤外領域での遮光性に優れる赤外線遮光層を形成できる赤外線遮光組成物、及び、赤外線遮光層、赤外線カットフィルタ、カメラモジュールを提供する。【解決手段】無機微粒子と分散剤とを含有する赤外線遮光組成物であって、赤外線遮光組成物より形成される赤外線遮光層の波長1000nmの透過率が60%以下、波長1100nmの透過率が50%以下、かつ、波長500nmの透過率が80%以上である、赤外線遮光組成物。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种红外线遮光组合物，其可以形成在可见光区域具有优异的透射率和红外区域中的遮光性的红外线遮光层，以及红外线遮光层 过滤器和相机模块。解决方案：提供一种含有无机细颗粒和分散剂的红外光屏蔽组合物，其中红外光屏蔽组合物形成具有透射率为60％或更小的红外光屏蔽层，其波长为 1000nm，波长1100nm的透射率为50％以下，波长500nm的透射率为80％以上。

    Manufacturing method of flexible electronic device, multilayer substrate with resin layer, and flexible electronic device manufacturing member
    10.
    发明专利
    Manufacturing method of flexible electronic device, multilayer substrate with resin layer, and flexible electronic device manufacturing member 审中-公开
    柔性电子器件制造方法，具有树脂层的多层基板和柔性电子器件制造部件

    公开(公告)号：JP2012138547A

    公开(公告)日：2012-07-19

    申请号：JP2010291661

    申请日：2010-12-28

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： NARA HIROKI ,  MOCHIZUKI FUMIHIKO ,  YAEGASHI HIROYUKI

    IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a flexible electronic device to suppress degassing from an adhesion layer in a vacuum process, a multilayer substrate with a resin layer for manufacturing a flexible electronic device with little degassing, and a flexible electronic device manufacturing member.SOLUTION: The manufacturing method of a flexible electronic device comprises processes of: releasing at least a part of a volatile component of an adhesion layer 20 by performing a heat treatment after bonding a flexible substrate 22 via the adhesion layer 20 to a support substrate 30 excellent in dimensional stability; and suppressing degassing from the adhesion layer 20 by providing a cover resin layer 24 to cover an exposed part of the adhesion layer 20.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种柔性电子器件的制造方法，以抑制真空过程中的粘附层的脱气，具有用于制造具有少量脱气的柔性电子器件的树脂层的多层基板和柔性电极 电子设备制造商。 解决方案：柔性电子器件的制造方法包括以下过程：通过经由粘合层20将柔性基板22粘合到支撑体上之后，通过进行热处理来释放粘合层20的至少一部分挥发性成分 基板30尺寸稳定性优异; 并且通过设置覆盖树脂层24以覆盖粘附层20的暴露部分来抑制从粘合层20脱气。（C）2012年，JPO和INPIT

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