半導体リソグラフィー用共重合体、レジスト組成物、及び、基板の製造方法
    9.
    发明专利
    半導体リソグラフィー用共重合体、レジスト組成物、及び、基板の製造方法 审中-公开
    共聚物用于半导体光刻,抗蚀剂组合物,及其制造方法的基板

    公开(公告)号:JPWO2015033960A1

    公开(公告)日:2017-03-02

    申请号:JP2014546002

    申请日:2014-09-03

    摘要: 濁度度Th(80)が、1.0以上、4.6NTU以下であり、濁度Tm(80)が、1.0以上、3.8NTU以下である、リソグラフィー用共重合体であって、この濁度度Th(80)は、リソグラフィー用共重合体の含有量がPGMEA溶液の総質量に対して20wt%であるこのPGMEA溶液に、n−ヘプタンを添加した際の濁度が10NTUになるn−ヘプタン添加量を(X)hとし、この(X)hの80%の量のn−ヘプタンをこのPGMEA溶液に添加した際の、このPGMEA溶液の濁度であり;この濁度Tmは、このリソグラフィー用共重合体の含有量がPGMEA溶液の総質量に対して20wt%であるPGMEA溶液に、メタノールを添加した際の濁度が5.0NTUになるメタノール添加量を(X)mとし、この(X)mの80%の量のメタノールを、このPGMEA溶液に添加した際の、このPGMEA溶液の濁度である。

    摘要翻译: 浊度度TH(80)为1.0以上且小于4.6NTU,浊度的Tm(80)为1.0以上且小于3.8NTU,光刻共聚物,钍的浊度( 80)是在光刻共聚物的PGMEA溶液含量为基于的PGMEA溶液,浊度在添加正庚烷的总重量为20重量%的10 NTU正庚烷添加量 (X),它是h时,在添加正庚烷的(X)小时,以对PGMEA溶液,是在PGMEA溶液的浊度的量的80%;该浊度的Tm,光刻共聚 基于组合在PGMEA溶液的总重量的20重量%的PGMEA溶液含量,在加入甲醇的浊度的甲醇添加量5.0NTU和(X)m时,(X)米 甲醇的量,在加入的80%至PGMEA溶液,在PGMEA溶液的浊度。