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公开(公告)号：JP6429168B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2015110673
申请日：2015-05-29
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L29/739
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903
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公开(公告)号：JP2016219523A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015100718
申请日：2015-05-18
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/48 , H01L21/301
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/83192
摘要： 【課題】サークルカット等による凸状縁部切り分け工程のような特殊作業が必要な工程及び凸状縁部を欠いた薄い半導体ウエハを取り扱わなければならない工程を削減し、かつ、チップ突き上げによる半導体チップ等の割れや欠けの発生を抑制し歩留り低下を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】外部接続電極が形成された第1主面112と第1主面の縁部114よりも更に外側に形成された凸状縁部116と第2主面118とを備えた半導体ウエハ100を準備する半導体ウエハ準備工程S10と、外部接続電極と接するように導電性接合材120を配置する導電性接合材配置工程S12と、第1主面側から導電性接合材120に達するまで研削する研削工程S14と、第1主面側からダイシングテープ122を貼り付けるテープ貼付工程S16と、第2主面側よりダイシングしてチップ単位に分割するチップ分割工程S18を含む半導体装置の製造方法。 【選択図】図1
摘要翻译： 必须处理的薄半导体晶片特殊操作，例如凸边切割过程的还原步骤缺乏过程和由圆圈所需要的凸缘部切断等，并通过向上推动芯片中的半导体芯片 提供一种制造能够抑制抑制的半导体器件的方法产率降低破裂和碎裂发生等。 进一步形成在外侧具有外部连接的第一主表面112与凸边116的半导体晶片比在其上形成电极的边缘部114和第二主表面的第一主表面118 设置在第二工序S12的半导体晶片制备步骤S10描述的制备100中，接地的导电性接合材料的导电性接合材料120安排，以便在与所述外部连接用电极接触，从第一主表面到达导电性接合材料120 磨削步骤S14中，带贴附步骤S16从第一主表面侧，一种制造半导体器件，包括：芯片分割步骤S18，通过从所述第二主面侧切割分成芯片的方法粘贴切割带122。 点域1
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公开(公告)号：JP6130695B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013059076
申请日：2013-03-21
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
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公开(公告)号：JP2016225469A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015110673
申请日：2015-05-29
申请人： 新電元工業株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L29/739
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903
摘要： 【課題】クレタリングが発生し難いパワー半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体基体110と、半導体基体110の第1主面側に不純物を導入した後、レーザ光を照射して形成された第1半導体領域120と、第1電極層130と、第2主面側に形成された第2電極層140と、第2電極層140に超音波接合により接合された接続部材160とを備え、半導体基体110の厚さ及び接続部材160の断面積は、第2電極層140に接続部材160を接合する際にクレタリングが発生するおそれがある厚さ及び断面積であるパワー半導体装置であって、平面的に見て、第2電極層140に接続部材160が接合された接続部材接合領域R1においては、第1半導体領域120が形成されていない、又は、接続部材非接合領域R2においてよりも第1半導体領域120の形成密度が低いことを特徴とするパワー半導体装置100。 【選択図】図1
摘要翻译： 甲缩孔提供了一种硬的功率半导体装置中发生。 和半导体衬底110，引入的杂质进入半导体衬底110，通过将激光束照射形成的第一半导体区域120的第一主面侧之后，并且第一电极层130，第二 形成在主表面上的第二电极层140，并且通过超声波接合接合到第二电极层140的连接构件160，在半导体主体110的厚的和连接构件160的横截面区域包括第一 的厚度和横截面面积，其是连接构件160接合到第二电极层140时产生缩孔，在平面视图中的功率半导体器件的可能性，连接到第二电极层140构件160 其被接合到第一半导体区域120的功率在有连接构件接合区域R1不形成，或者，其特征在于，所述第一半导体区域120的形成密度比连接部件非粘结区域R2低 半导体器件100。 点域1
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