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公开(公告)号：JP6649959B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2017543546
申请日：2016-09-29
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/115
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公开(公告)号：JPWO2017057272A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2016078266
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/20 , C01F7/02 , C01P2002/54 , C04B35/111 , C30B1/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B28/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/6835 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835
Abstract: 本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が1°以上3°以下であり、平均焼結粒径が20μm以上のものである。ここで、チルト角とは、X線ロッキングカーブ半値幅(XRC・FWHM)を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6129853B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2014534283
申请日：2013-08-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M4/485 , C01G53/006 , C01G53/42 , H01M4/131 , H01M4/366 , C01P2004/50 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M4/505 , H01M4/525 , Y02E60/122 , Y10T428/2991
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公开(公告)号：JP5830179B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2014542105
申请日：2013-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , C01G53/00 , C01G53/42 , C01G53/50 , H01M4/525 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/11 , C01P2006/14 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y02P70/54
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