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    多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子
    6.
    发明专利
    多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子 有权

    公开(公告)号：JP2017057141A

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：JP2016241058

    申请日：2016-12-13

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 渡邊 守道 ,  吉川 潤 ,  倉岡 義孝 ,  七瀧 努

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/38

    CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B28/04 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  C30B9/12 ,  H01L33/16

    摘要： 【課題】略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される多結晶窒化ガリウム自立基板を提供する。 【解決手段】この自立基板は、基板表面の電子線後方散乱回折法(EBSD)の逆極点図マッピングによって測定した各窒化ガリウム系単結晶粒子の結晶方位が特定結晶方位から様々な角度で傾斜して分布し、その平均傾斜角が1〜10°である。また、本発明の発光素子は、上記自立基板と、基板上に形成され、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層とを備える。本発明によれば、基板表面の欠陥密度を低減可能な多結晶窒化ガリウム自立基板を提供することができる。また、本発明の多結晶窒化ガリウム自立基板を用いて高い発光効率が得られる発光素子を提供することもできる。 【選択図】図2

    結晶の製造方法
    7.
    发明专利
    結晶の製造方法 有权
    用于生产结晶方法

    公开(公告)号：JP2017024985A

    公开(公告)日：2017-02-02

    申请号：JP2016185984

    申请日：2016-09-23

    申请人： 京セラ株式会社

    发明人： 堂本 千秋 ,  久芳 豊 ,  正木 克明 ,  林 雄一郎

    IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/36

    CPC分类号： C30B19/10 ,  C30B15/14 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  C30B9/06

    摘要： 【課題】結晶の成長速度を向上させ、生産効率を向上させることが可能な溶液法による炭化珪素結晶の製造方法の提供。 【解決手段】炭素を溶解した珪素溶媒が液状である温度範囲内において溶液の温度を所定の第1温度域T1まで上げて、種結晶の下面に炭化珪素の結晶の成長を開始する結晶成長開始工程と、結晶成長開始工程の後に、珪素溶媒が液状である温度範囲内において溶液の温度を第1温度域T1から所定の第2温度域T2まで下げながら、種結晶を引き上げることによって炭化珪素の結晶を成長させる第1結晶成長工程Aと、溶液の温度を第2温度域T2から第1温度域T1まで上げる溶液昇温工程Cと、溶液昇温工程Cの後に、溶液の温度を第1温度域T1から第2温度域T2まで下げながら、種結晶を引き上げることによって炭化珪素の結晶を引き続き成長させる第2結晶成長工程Bとを備える炭化珪素結晶の製造方法。 【選択図】図2

    摘要翻译： 甲提高晶体的生长速度，对于由溶液工艺制造碳化硅晶体，以提高生产效率提供一种方法。 含的温度范围是通过溶液的温度提高到预定的第一温度范围T1内的液体溶解的碳的硅溶剂，晶体生长开始以引发籽晶的下表面上的碳化硅的晶体生长 的步骤，晶体开始生长步骤，同时降低从在温度范围内硅溶剂的第一温度范围T1中的溶液的温度是碳化硅的液体到预定的第二温度范围T2，通过拉晶种后 第一晶体生长第一步骤a晶体生长，将溶液阿茨希·诺博里步骤C中，以提高从第二温度范围T2至第一温度范围T1中的溶液的温度，将溶液阿茨希·诺博里步骤C中后，将溶液的温度 同时降低的温度范围T1到第二温度范围T2中，碳化硅晶体的制造方法和第二结晶生长工序B继续通过拉动晶种上生长碳化硅的晶体。 .The

    アルミナ基板
    8.
    发明专利
    アルミナ基板 有权
    铝基材

    公开(公告)号：JP2016040208A

    公开(公告)日：2016-03-24

    申请号：JP2014164068

    申请日：2014-08-12

    申请人： TDK株式会社

    发明人： 山沢 和人 ,  大井戸 敦 ,  川崎 克己

    IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B19/12 ,  C30B29/38

    CPC分类号： C30B19/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

    摘要： 【課題】高品質AlN結晶の育成に使用されるソリが少なく、表面にAlN層が形成されたアルミナ基板の提供。 【解決手段】炭素含有相31を含むAlN層30が形成されたアルミナ基板であって、炭素含有相31が(AlN)x(Al4C3)yで示される組成、例えばAl5C3Nで示される組成を有し、(a)窒化されていないアルミナ基板33とAlN層30の界面、(b)AlN層30の内部、あるいは、(c)AlN層30の上部表面に層状に配置される。AlN層30の厚さは0.02〜100μmであり、アルミナ基板10はサファイアであることが望ましい。このような構造とすることにより、アルミナ基板33とAlN層30の格子不整合及び熱膨張係数差に起因する応力を層状の炭素含有相31に集中させ、集中させた応力の分だけ、層状の炭素含有相31より表面に近い側に位置するAlN層30にかかる応力が減少し、ソリが低減する。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供用于生长高品质AlN晶体的氧化铝基底，经纱较少并且在表面上形成AlN层。解决方案：氧化铝基底具有包含含碳相31的AlN层30。 含有碳的相31具有（AlN）x（Al 4 C 3）y所示的组成，例如Al 5 C 3 N所示的组成，并且在不被氮化的氧化铝基板33之间的界面上排列成层状（a） AlN层30，（b），AlN层30的内侧或（c）的AlN层30的上表面.AlN层30的厚度为0.02〜100μm，氧化铝基板10优选为蓝宝石。 通过形成这样的结构以减少施加的应力，通过集中由层状碳相31上的氧化铝基板33和AlN层30之间的晶格失配和热膨胀系数差引起的应力来降低氧化铝基板的翘曲 通过集中应力到位于距层状含碳相31更靠近表面的一侧的AlN层30.选择图：图1

    SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法
    10.
    发明专利
    SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法 有权
    SiC晶粒，SiC晶体的工作影响层的去除方法和SiC衬底的生产方法

    公开(公告)号：JP2015196616A

    公开(公告)日：2015-11-09

    申请号：JP2014074742

    申请日：2014-03-31

    申请人： 東洋炭素株式会社

    发明人： 矢吹 紀人 ,  鳥見 聡 ,  野上 暁

    IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B33/12

    CPC分类号： C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

    摘要： 【課題】切断加工されたSiC種結晶を用いてMSE法を行う場合であっても成長速度が低下しない方法を提供する。 【解決手段】準安定溶媒エピタキシー法(MSE法)の種結晶として用いられるSiC種結晶を、Si雰囲気下で加熱して表面をエッチングすることで、切断加工により生じた加工変質層を除去する。SiC種結晶に生じている加工変質層はMSE法での成長を阻害するため、この加工変質層を除去することで成長速度の低下を防止できる。 【選択図】図6

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够防止生长速度下降的方法，即使通过使用切割的SiC晶种进行MSE方法。解决方案：用于亚稳溶剂外延法的晶种的SiC晶种（MSE 方法）在Si气氛下加热，并且表面被蚀刻，从而除去由切割产生的工作影响层。 由于在SiC晶种中产生的受影响层在MSE方法中阻止生长，所以可以通过去除受影响层来防止生长速率的下降。