絶縁放熱基板
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP6375086B1

    公开(公告)日:2018-08-15

    申请号:JP2018527989

    申请日:2018-01-17

    Abstract: 冷熱サイクルに対する耐久性を高め、且つ、半導体モジュールの小型化に寄与する絶縁放熱基板を提供する。セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、下面と、上面及び下面を連結する側面1とを有し、前記セラミックス基板は最低部と、最低部及び前記導体層の側面1を連結する側面2と、該最低部よりも高い位置にあり、前記導体層の下面に接合する接合面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記下面の高さにおける側面1の前記下面に対する仰角αと、前記接合面の高さにおける側面2の前記接合面に対する仰角βの差の絶対値が平均で20°以下であり、側面1は前記上面の端部よりも導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向に後退した箇所を有する絶縁放熱基板。

    絶縁放熱基板
    6.
    发明专利
    絶縁放熱基板 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2018155014A1

    公开(公告)日:2019-02-28

    申请号:JP2018001257

    申请日:2018-01-17

    Abstract: 冷熱サイクルに対する耐久性を高め、且つ、半導体モジュールの小型化に寄与する絶縁放熱基板を提供する。セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、下面と、上面及び下面を連結する側面1とを有し、前記セラミックス基板は最低部と、最低部及び前記導体層の側面1を連結する側面2と、該最低部よりも高い位置にあり、前記導体層の下面に接合する接合面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記下面の高さにおける側面1の前記下面に対する仰角αと、前記接合面の高さにおける側面2の前記接合面に対する仰角βの差の絶対値が平均で20°以下であり、側面1は前記上面の端部よりも導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向に後退した箇所を有する絶縁放熱基板。

    絶縁放熱基板
    9.
    发明专利
    絶縁放熱基板 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2018154692A1

    公开(公告)日:2019-02-28

    申请号:JP2017006947

    申请日:2017-02-23

    Abstract: 隣接する導体層間の電気絶縁性を確保しながらも、半導体チップのボンディングエリアを大きくすることのできる絶縁放熱基板を提供する。セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、前記セラミックス基板に接合する下面と、上面及び下面を連結する側面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記上面の先端は前記下面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退しており、前記側面は前記上面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退した箇所を有する内側に窪んだ湾曲線状の輪郭を有しており、前記上面と前記側面の連結部は、前記上面の先端に内接し、且つ、前記上面及び前記側面の内側に形成することのできる円の最大半径Rが平均で0.1μm≦R≦5μmとなるような丸み形状を有する絶縁放熱基板。

    絶縁放熱基板
    10.
    发明专利
    絶縁放熱基板 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018160706A

    公开(公告)日:2018-10-11

    申请号:JP2018136024

    申请日:2018-07-19

    CPC classification number: H01L23/13

    Abstract: 【課題】冷熱サイクルに対する耐久性を高め、且つ、半導体モジュールの小型化に寄与する絶縁放熱基板を提供する。 【解決手段】セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、下面と、上面及び下面を連結する側面1とを有し、前記セラミックス基板は最低部と、最低部及び前記導体層の側面1を連結する側面2と、該最低部よりも高い位置にあり、前記導体層の下面に接合する接合面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記下面の高さにおける側面1の前記下面に対する仰角αと、前記接合面の高さにおける側面2の前記接合面に対する仰角βの差の絶対値が平均で20°以下であり、側面1は前記上面の端部よりも導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向に後退した箇所を有する絶縁放熱基板。 【選択図】図1

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