公开(公告)号：JP4732469B2

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：JP2008013588

申请日：2008-01-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 薫 前川 ,  光太郎 宮谷 ,  保男 小林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：JP4720266B2

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：JP2005112625

申请日：2005-04-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 隆季 亀嶋 ,  保男 小林 ,  剛平 川村

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

公开(公告)号：JP5271426B2

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：JP2011554343

申请日：2010-01-22

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 正弘 堀込 ,  託也 黒鳥 ,  保男 小林 ,  孝明 松岡 ,  俊久 野沢

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

公开(公告)号：JP2012516065A

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：JP2011554343

申请日：2010-01-22

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 正弘 堀込 ,  保男 小林 ,  孝明 松岡 ,  俊久 野沢 ,  託也 黒鳥

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 半導体デバイスの製造方法は、絶縁性層をアニーリングする工程と、金属元素を含んだ障壁層を前記絶縁性層上に形成する工程とを含んでいる。 前記絶縁性層は、フッ化炭素（ＣＦｘ）膜を含んでいる。 前記障壁層は、前記アニーリング工程後に、高温スパッタリングプロセスによって形成される。

公开(公告)号：JP4750176B2

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：JP2008322099

申请日：2008-12-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 薫 前川 ,  光太郎 宮谷 ,  保男 小林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：JP4536333B2

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：JP2003100170

申请日：2003-04-03

Applicant: 忠弘 大見 ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： 忠弘 大見 ,  章伸 寺本 ,  保男 小林 ,  秀利 若松

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

公开(公告)号：JPWO2012011480A1

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：JP2012525404

申请日：2011-07-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 光太郎 宮谷 ,  光太郎 宮谷 ,  剛直 根本 ,  剛直 根本 ,  託也 黒鳥 ,  託也 黒鳥 ,  保男 小林 ,  保男 小林 ,  野沢　俊久 ,  俊久 野沢

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

Abstract: 機械的強度及び耐吸湿性に優れた低誘電率の層間絶縁層を形成することができる層間絶縁層形成方法を提供する。また、配線遅延を低減させた半導体装置を提供する。半導体装置の層間絶縁層をプラズマCVD法にて形成する方法において、減圧された処理容器内へ基板を搬入する工程と、前記基板から離隔した第1空間1aにプラズマ生成ガスを供給する工程と、前記第1空間1aにて前記プラズマ生成ガスを励起する工程と、前記第1空間1aと前記基板との間の第2空間1bに、少なくとも水素基又は炭化水素基を含むボロン化合物を含む原料ガスを供給する工程とを有する。また、ホウ素、炭素及び窒素を含むアモルファス構造が形成された層間絶縁層を介して多層配線された半導体装置において、前記層間絶縁層に、六方晶及び立方晶の窒化ホウ素を含むアモルファス構造中に炭化水素基又はアルキルアミノ基を混在させる。

公开(公告)号：JP4843274B2

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：JP2005225717

申请日：2005-08-03

Applicant: 大見 忠弘 ,  大陽日酸株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： 隆季 亀嶋 ,  隆一郎 伊崎 ,  保男 小林 ,  学 神力 ,  賢一 西澤

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4402 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

公开(公告)号：JP4715207B2

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：JP2005006206

申请日：2005-01-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 隆季 亀嶋 ,  保男 小林 ,  孝明 松岡 ,  賢一 西澤

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

公开(公告)号：JP4612063B2

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：JP2008013592

申请日：2008-01-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 薫 前川 ,  光太郎 宮谷 ,  保男 小林

IPC: H01L21/3065