公开(公告)号：JP6449752B2

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：JP2015212830

申请日：2015-10-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 牟田 行志 ,  京田 秀治 ,  久保田 稔

IPC: G03F7/30 ,  B05C5/00 ,  B05C11/10 ,  B05D1/36 ,  B05D1/40 ,  B05D3/10 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP2018107475A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2018051407

申请日：2018-03-19

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 牟田 行志 ,  京田 秀治

IPC: H01L21/027

Abstract: 【課題】露光後のレジスト膜を効率的に現像することが可能な現像方法などを提供する。 【解決手段】 各々、基板Wの半径よりも短い線状に形成された第1の現像液供給孔318a及び第2の現像液供給孔318bと、これら第1、第2の現像液供給孔318a、318bの間に配置され、現像液を押し流す気体の供給を行う気体供給孔316bを備えたノズルヘッド部を用い、 露光後のレジスト膜が形成されている基板Wの表面に現像液を供給して現像液膜30を形成し、次いでレジスト膜から現像液膜中に溶解した成分を含む現像液を押し流して、前記現像液膜を薄くして薄膜部302を形成した後、この薄くなった現像液膜に、新たな現像液を供給する。 【選択図】図 16

公开(公告)号：JP2018022915A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017193613

申请日：2017-10-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉原 孝介 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志 ,  山本 太郎 ,  滝口 靖史 ,  福田 昌弘

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】基板の現像処理において、使用する現像液の量及び基板からの現像液の液跳ねを抑え、且つスループットが高くできる技術を提供する。 【解決手段】露光後の基板Wを基板保持部に水平に保持する工程と、基板の一部に現像液ノズル31から現像液を供給して液溜まり30を形成する工程と、基板を回転させる工程と、回転する前記基板における現像液の供給位置が基板の径方向に沿って移動するように、現像液ノズルを移動させて液溜まりを基板の全面に広げる工程と、液溜まりを基板の全面に広げる工程に並行して行われ、現像液ノズルと共に移動し、基板に対向する面が基板の表面よりも小さい接触部35を、液溜まりに接触させる工程と、を備える。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6409205B2

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：JP2017193592

申请日：2017-10-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉原 孝介 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志 ,  山本 太郎 ,  滝口 靖史 ,  福田 昌弘

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP6123880B2

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：JP2015254944

申请日：2015-12-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 滝口 靖史 ,  吉村 好貴 ,  山本 太郎 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志

IPC: H01L21/304 ,  B05C11/08 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP2017034230A

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：JP2016097646

申请日：2016-05-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 牟田 行志 ,  守屋 剛 ,  森 拓也 ,  竹下 和宏 ,  江崎 智規 ,  水永 耕市 ,  田中 雅山 ,  金川 耕三 ,  中野 圭悟

IPC: H01L21/027

Abstract: 【課題】ウエハの加熱処理を行うにあたって、ウエハの処理により生じる昇華物を分解して、昇華物が排気路へ付着することを抑えること。また光源部からの光によりウエハWに対して、加熱などの処理を行うにあたって、光透過窓に付着した昇華物を除去すること。 【解決手段】処理容器2の内面に熱触媒層5を形成し、この熱触媒層5を加熱している。このためウエハW上の塗布膜から昇華し、処理容器2内に取り込まれた昇華物が熱触媒層5の近傍に到達した時に、熱触媒層5の熱活性化により分解除去される。また光透過窓42に付着した昇華物を除去するにあたっては、表面に熱触媒層5を形成したクリーニング用基板6を処理容器2内に搬入し、熱触媒層5を光透過窓42に近づけた後、クリーニング用基板6を加熱することにより、光透過窓42の表面に付着した昇華物9を除去する。 【選択図】図3

Abstract translation: 甲进行晶片的热处理，通过分解由晶片的过程中产生的升华，升华从附着在排气通道防止。 也相对于晶片W与来自光源单元的光，当执行处理，如加热，除去附着在透光窗升华。 表单处理容器2，和热催化剂层5加热的内表面上的热催化剂层5。 因此，从晶片W上的涂膜升华，升华并入到处理容器2在它到达热催化剂层5被分解，并通过所述热催化剂层5的热活化除去的附近。 的顺序，以除去附着在透光窗42的升华，进行用于清洁的衬底6上的处理容器2的表面上形成热催化剂层5，被带到接近的热催化剂层5到透光窗42 之后，通过加热用于清洁的衬底6，以去除附着到透光窗42的表面的升华9。 点域

公开(公告)号：JP5904169B2

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：JP2013152842

申请日：2013-07-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 滝口 靖史 ,  山本 太郎 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志

IPC: H01L21/027 ,  G02F1/13 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68792

公开(公告)号：JP6447697B2

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：JP2017193613

申请日：2017-10-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉原 孝介 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志 ,  山本 太郎 ,  滝口 靖史 ,  福田 昌弘

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP6221954B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2014122683

申请日：2014-06-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉原 孝介 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志 ,  山本 太郎 ,  滝口 靖史 ,  福田 昌弘

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  B05C11/08 ,  B05C5/027 ,  B05D1/005 ,  B05D1/26 ,  G03F7/30 ,  B05C5/02 ,  H01L21/6715

公开(公告)号：JP5994749B2

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：JP2013162611

申请日：2013-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 吉原 孝介 ,  京田 秀治 ,  牟田 行志 ,  山本 太郎 ,  滝口 靖史

IPC: G03F7/30 ,  B05D1/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  B05C11/08 ,  B05C5/02 ,  B05D1/005 ,  B05D1/26