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    データ処理方法及び装置、並びにフラッシュデバイス
    2.
    发明专利
    データ処理方法及び装置、並びにフラッシュデバイス 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018527688A

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：JP2018526989

    申请日：2016-09-29

    申请人： 華為技術有限公司 ,  HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.

    发明人： 周 建▲華▼ ,  ▲張▼ ▲頗▼

    IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/00

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/06 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0644 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0253 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7211

    摘要： 本発明の実施例は、データ処理方法及び装置、並びにフラッシュデバイスを提供する。方法は、ホストにより送信された操作命令を受信し、操作命令に従って、フラッシュデバイスに記憶されたデータに対して操作を実行し、操作後に取得され且つユーザによりフラッシュデバイスに保存されたデータのサイズを決定するステップと、操作後に取得され且つユーザによりフラッシュデバイスに保存されたデータのサイズ、及び各オーバープロビジョニングレベルに対応しているユーザ記憶空間容量の区間に従って、目標オーバープロビジョニングレベルを決定するステップと、目標オーバープロビジョニングレベル、及び各オーバープロビジョニングレベルと調整パラメータとの間の対応関係に従って、目標調整パラメータを決定するステップと、目標調整パラメータに従って、フラッシュデバイスのオーバープロビジョニング空間容量を調整するステップとを含む。本発明の実施例によれば、オーバープロビジョニング比が動的に調整でき、フラッシュデバイスの信頼性及び性能安定性が改善でき、フラッシュデバイスの耐用寿命が延長できる。

    情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
    3.
    发明专利
    情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラム 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018124717A

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：JP2017015414

    申请日：2017-01-31

    申请人： キヤノン株式会社

    发明人： 宮田 孝明

    IPC分类号： G06F12/00

    CPC分类号： G06F3/0653 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/068

    摘要： 【課題】HDDに対する読み書きの失敗や、物理故障を抑止することが可能となる情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラムを提供する。 【解決手段】MFP8において、ファイルディスクリプタを扱うシステムコールへのフックを行うAPIフッカを用いて、HDD15へのアクセス頻度がファイル毎に記録される。また、この記録されたアクセス頻度が一定量を超過したファイルに対して、APIフッカを用いて、そのファイルのアクセス先がHDD15からRAM24のRamdisk上に移動する。 【選択図】図2

    半導体記憶装置
    5.
    发明专利
    半導体記憶装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018088137A

    公开(公告)日：2018-06-07

    申请号：JP2016231246

    申请日：2016-11-29

    申请人： 東芝メモリ株式会社

    发明人： 松山 元彦 ,  小島 慶久

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC分类号： G06F3/0611 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688

    摘要： 【課題】半導体記憶装置の信頼性、装置寿命、及び、性能を向上させる。 【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、一括して無効化されることが期待されるデータの集合であるストリームデータを識別子に関連付け、複数のストリームデータのそれぞれを識別子により識別可能に送信するホストと通信可能である。また、第1の単位ごとにデータの書き込みが行われ、複数の第1の単位からなる第2の単位ごとにデータの消去が行われる不揮発性半導体メモリと、バッファと、コントローラと、を具備する。コントローラは、複数のストリームデータのうち優先度の高いストリームデータについては、第2の単位の1つに、単一の識別子に関連付けられるストリームデータを書き込み、複数のストリームデータのうち優先度の低いストリームデータについては、第2の単位の1つに、それぞれ異なる識別子に関連付けられる複数のストリームデータを書き込む。 【選択図】図13

    メモリ制御装置、ストレージ装置、ストレージ装置の制御プログラム、及び、ストレージ装置の制御方法
    7.
    发明专利
    メモリ制御装置、ストレージ装置、ストレージ装置の制御プログラム、及び、ストレージ装置の制御方法 有权

    公开(公告)号：JP2017162260A

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：JP2016046934

    申请日：2016-03-10

    申请人： 株式会社東芝

    发明人： 小石 真人

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/16 ,  G06F12/02

    CPC分类号： G06F3/0659 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0688 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

    摘要： 【課題】複数の不揮発性メモリの寿命を長期化する。 【解決手段】メモリ制御装置5は、複数の不揮発性メモリ18を所定サイズで区分けした複数の領域に対する書き込み量を含む第1のデータと複数の不揮発性メモリに対応する書き込み状態を含む第2のデータとを格納するメモリ51と、第1のデータと第2のデータとに基づいて複数の不揮発性メモリに対する第1の評価値を計算し、データの書き込み先の不揮発性メモリを選択する補正手段15と、補正手段によって選択された不揮発性メモリに対して書き込み対象データを書き込み、第1のデータと第2のデータとを更新する書き込み手段13と、複数の不揮発性メモリの使用開始後に、第1のデータと第2のデータとに基づいて複数の不揮発性メモリに対する第2の評価値を計算し、第2の評価値に基づいて、複数の不揮発性メモリのうちの少なくとも1つに対して使用可能容量の設定を変更する設定変更手段16を備える。 【選択図】図1