-
公开(公告)号：JP2017045762A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015164905
申请日：2015-08-24
Applicant: 株式会社デンソー , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】熱電性能に優れたスピン熱電変換素子を提供する。 【解決手段】スピン熱電変換素子10は、磁性体20の一面21に形成されている電極30を備える。スピン熱電変換素子10は、磁性体20に生じる温度勾配に起因して磁性体20と電極10との間に発生するスピンゼーベック効果によって電極30に起電力が誘起される。電極30は、PtとFeとを含む合金によって構成されている。Feの原子数濃度が40at%以上で60at%以下の範囲内に入るように電極30が構成されている。好ましくは、Feの原子数濃度が45at%以上で55at%以下の範囲内に入るように電極30が構成されている。 【選択図】図1
Abstract translation: 为了提供良好的旋转热电转换元件的热电性能。 一种自旋热电转换元件10包括形成在磁性体20的一个表面21上的电极30。 旋热电转换元件10，电动势在电极30通过磁性体20与电极10之间产生的自旋塞贝克效应由于在磁性体20中产生的温度梯度引起的。 电极30由含Pt和Fe的合金构成。 铁电极30的原子浓度，以落入以下60原子％或范围在更％40内构成。 优选地，Fe的电极30原子浓度以下的55原子％的范围以上45at％构成内。 点域1
-
公开(公告)号：JP2017045763A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015164906
申请日：2015-08-24
Applicant: 株式会社デンソー , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L37/00 , H01L29/82
Abstract: 【課題】高いスピンゼーベック係数SSSEを得ることができるスピン熱電変換素子10を提供する。 【解決手段】スピン熱電変換素子10は、磁性体20と、この磁性体20の一面21に形成されている電極30とを備える。スピン熱電変換素子10は、磁性体20に生じる温度勾配に起因して磁性体20と電極10との間に発生するスピンゼーベック効果によって電極30に起電力が誘起される。電極30は、PtとCuとを含む合金によって構成されて、Ptの原子数濃度が50at%以上で70at%以下の範囲内に入るように電極30が構成されている。 【選択図】図1
Abstract translation: 提供一种自旋热电转换元件10，其能够获得高自旋塞贝克系数SSSE。 一种自旋热电转换元件10设置有磁性体20，形成在该磁性体20的一个表面21上的电极30。 旋热电转换元件10，电动势在电极30通过磁性体20与电极10之间产生的自旋塞贝克效应由于在磁性体20中产生的温度梯度引起的。 电极30包含Pt和Cu，电极30的Pt作为原子浓度落在％以下70以上50原子％构成内的合金形成。 点域1
-
公开(公告)号：JP6792841B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2017076621
申请日：2017-04-07
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
-
公开(公告)号：JP2021027088A
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：JP2019141973
申请日：2019-08-01
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 【課題】より高効率で、機能的なスピン軌道材料を提供する。 【解決手段】スピン材料は、レニウムの酸化物(酸化レニウム)から構成されてスピン軌道トルクを生成する。このスピン材料は、酸化の状態を制御することで、スピン材料のスピン軌道トルク生成効率を制御することができる。例えば、スピン材料の成膜時の温度により、スピン材料の酸化の状態を制御することができる。また、スピン材料の成膜時の成膜レートにより、スピン材料の酸化の状態を制御することができる。スピン材料の成膜は、例えば、酸素を用いた反応性スパッタ法により実施することができる。 【選択図】 なし
-
公开(公告)号：JP6222737B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014107791
申请日：2014-05-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5920927B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2012284410
申请日：2012-12-27
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
-
-
公开(公告)号：JP2018181975A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017076621
申请日：2017-04-07
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 【課題】より低コストで実用化できるスピンデバイスを提供する。 【解決手段】Cuからなる金属材料層に窒素を添加して金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させる。Cuは、スピン軌道相互作用が弱い材料であり、スピンデバイスに適用できない材料である。これに対し、銅の薄膜(金属材料層)に対し、窒素を不純物として添加することで、スピン軌道相互作用が増大し、スピンデバイスに適用可能となる。安価な材料であるCuおよび窒素により、スピン軌道相互作用の強さを白金などの希少金属と同程度にすることができ、これら高価な材料系を安価な材料で代替することが可能となり、スピンデバイスのコスト削減につながる。スピン注入磁気メモリは、スピン注入層(窒素を添加した金属材料層)101と、スピン注入層101の上に形成された強磁性体からなる自由層102とを備える。 【選択図】図5
-
公开(公告)号：JP2020043222A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018169479
申请日：2018-09-11
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】スピンの流れを任意の場所に運べるようにする。 【解決手段】半導体からなる量子井戸構造101と、量子井戸構造101の上に形成されたゲート電極102と、偏光の光をゲート電極102が形成されている領域の中央部に照射する光照射部103とを備える。量子井戸構造101は、化合物半導体から構成され、主表面が(001)面とされていればよい。ゲート電極102は、例えば、平面視で円環状に形成されている。光照射部103は、ゲート電極102が形成されている領域の内部おける井戸層にスピン偏極電子を生成するための円偏光の光を、ゲート電極102が形成されている領域の中央部に照射する。 【選択図】 図2
-
公开(公告)号：JP2017199743A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016087730
申请日：2016-04-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 【課題】より高い自由度でスピン流の状態が制御できるようにする。 【解決手段】金属から構成された金属薄膜の厚さにより、スピン軌道相互作用の強さを制御する。まず、金属薄膜の結晶状態を結晶状態または多結晶状態のいずれかにすることによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。また、結晶状態に加えて金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。 【選択図】 なし
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.032 seconds)
