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公开(公告)号：JPWO2012147343A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013511931
申请日：2012-04-25
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/683
CPC分类号： B32B38/1833 , B32B37/0046 , B32B37/08 , B32B38/1841 , B32B38/1875 , B32B2307/208 , B32B2309/60 , B32B2457/14 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L21/6838 , H01L21/68735 , H01L23/12 , H01L2924/0002 , Y10T156/1002 , Y10T428/24628 , H01L2924/00
摘要： 位置合わせして基板を貼り合わせる。基板貼り合わせ装置は、互いに貼り合わされる二つの基板のずれを補正すべく少なくとも一方の基板を変形する変形部と、変形された前記一方の基板が変形部により変形された状態で保持される保持部と、変形された一方の基板が保持部に保持される位置から保持部を一方の基板が変形された状態で搬出する搬送部と、搬送部により搬送された一方の基板と他方の基板とを互いに貼り合わせる貼り合せ部とを備える。上記基板貼り合わせ装置において、変形部は、基板が保持部に保持されていない状態で保持部を第一状態から第一状態よりも変形量が大きい第二状態に変形させ、基板を保持部に保持した状態で保持部の変形量を第二状態における変形量よりも小さくすることにより基板を変形させてもよい。
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公开(公告)号：JP5434910B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2010505358
申请日：2009-03-26
申请人： 株式会社ニコン
发明人： 功 菅谷
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/67092 , H01L21/68
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5.发明专利
公开(公告)号：JP5418499B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2010539162
申请日：2009-11-20
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/67276 , H01L21/67294 , Y10T29/49998
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公开(公告)号：JP5315688B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2007339005
申请日：2007-12-28
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/32145
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer type semiconductor device having enhanced dissipation efficiency of heat generated on respective substrates. SOLUTION: The multilayer type semiconductor device has a plurality of semiconductor chips 12 stacked at intervals, wherein thermally conductive members 16 for improving thermal conductivity between the semiconductor chips 12 are disposed between the semiconductor chips 12. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JPWO2009017070A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：JP2009525379
申请日：2008-07-25
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/34 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/473 , H01L25/0657 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00014
摘要： 熱分散を向上させ、さらに放熱効率を向上させることができる積層型半導体装置を提供する。複数の半導体チップ(20−1、20−2)が積層され、該半導体チップの各々が少なくとも一つの回路領域を有する積層型半導体装置(100)であって、回路領域の駆動に伴って回路領域から発せられた熱が分散するように、回路領域が配される。上記積層型半導体装置(100)において、回路領域から発せられた熱を放熱する放熱部(50)をさらに備え、複数の回路領域のうち単位面積当たりの発熱量が多いものほど放熱部との間における熱抵抗がより小さくなるように、回路領域が配置されてもよい。
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公开(公告)号：JP5600939B2
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：JP2009525379
申请日：2008-07-25
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/34 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/473 , H01L25/0657 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/00014
摘要： Provided is a multi-layered semiconductor apparatus with improved heat diffusion and improved heat release. The multi-layered semiconductor apparatus (100) includes a plurality of layered semiconductor chips (20-1, 20-2) that each include at least one circuit region, and the circuit regions are arranged such that heat generated by the circuit regions as a result of the circuit regions being driven is spread out. The multi-layered semiconductor apparatus (100) further comprises a heat releasing section (50) that releases the heat generated by the circuit regions, and the circuit regions are arranged such that there is less thermal resistance between the heat releasing section and circuit regions that generate a greater amount of heat per unit area.
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公开(公告)号：JP5459224B2
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：JP2010543784
申请日：2009-11-27
申请人： 株式会社ニコン
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/67253
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