ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法

    公开(公告)号:JP2018170504A

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:JP2018043491

    申请日:2018-03-09

    IPC分类号: H01L23/12 B23K20/00 H01L23/36

    摘要: 【課題】金属層とヒートシンクとを確実に固相拡散接合でき、金属層とヒートシンクとの接合信頼性に優れたヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、前記金属層のインデンテーション硬度が50mgf/μm 2 未満であり、ヒートシンクは、絶縁回路基板との接合面が、固相線温度が650℃以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、前記金属層の前記絶縁層とは反対側の面に、固相線温度が650℃以下のアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム接合層を形成するアルミニウム接合層形成工程S02と、前記アルミニウム接合層と前記ヒートシンクの接合面との間に、銅又は銅合金からなる銅接合材を積層し、前記アルミニウム接合層と前記銅接合材、前記銅接合材と前記ヒートシンクとを固相拡散接合するヒートシンク接合工程S03と、を備えている。 【選択図】図4