公开(公告)号：JP4998871B2

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：JP2006226112

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 慎太郎 中島 ,  敏之 五島 ,  博 仲川 ,  時彦 横島 ,  繁昌 瀬川 ,  昌宏 青柳

IPC: C25D13/20 ,  B32B27/34 ,  C09D5/44 ,  C09D179/08 ,  C23C28/00 ,  C25D13/06

公开(公告)号：JP4482659B2

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：JP2004113178

申请日：2004-04-07

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  昌宏 青柳

IPC: G01R27/26

公开(公告)号：JP4565156B2

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：JP2005180000

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  佐千子 伊藤 ,  啓孝 大里 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  昌宏 青柳

IPC: G03F7/022

公开(公告)号：JP4197403B2

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：JP2002112890

申请日：2002-04-16

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  昌宏 青柳

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

公开(公告)号：JP4711249B2

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：JP2002375882

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  昌宏 青柳

IPC: H01L39/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L27/18 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/223 ,  H01L27/18 ,  H01L39/2493

公开(公告)号：JP5252491B2

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：JP2008213697

申请日：2008-08-22

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社ピーアイ技術研究所

Inventor： 昌宏 青柳 ,  博 仲川 ,  和彦 所 ,  克弥 菊地 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

公开(公告)号：JP4956702B2

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：JP2007040627

申请日：2007-02-21

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 慎太郎 中島 ,  敏之 五島 ,  博 仲川 ,  時彦 横島 ,  繁昌 瀬川 ,  昌宏 青柳

IPC: C25D13/20 ,  B32B15/088 ,  C23C28/00 ,  C25D13/06 ,  C25D13/12

公开(公告)号：JP5240812B2

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：JP2007040640

申请日：2007-02-21

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社ピーアイ技術研究所

Inventor： 時彦 横島 ,  博 仲川 ,  昌宏 青柳 ,  敏之 五島 ,  慎太郎 中島 ,  繁昌 瀬川

IPC: C23C18/30 ,  B32B15/088 ,  C23C18/16 ,  C23C28/00

公开(公告)号：JP4204352B2

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：JP2003056962

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  昌宏 青柳

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

公开(公告)号：JP4154478B2

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：JP2002042756

申请日：2002-02-20

Applicant: 株式会社ピーアイ技術研究所 ,  独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 博 仲川 ,  和彦 所 ,  博 板谷 ,  繁昌 瀬川 ,  克弥 菊地 ,  殷實 鄭 ,  昌宏 青柳

IPC: G03F7/027 ,  H01L21/3205 ,  G03F7/037 ,  H01L23/52 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming an electrode penetrating an integrated circuit chip from the surface to the rear surface in order to mount three or more integrated circuit chips directly on a circuit board while stacking. SOLUTION: A thin conductive semiconductor substrate is bored by etching and a photosensitive polyimide insulation film is deposited thereon by rotary coating. A pattern of holes of smaller diameter is then formed by exposure and development, the through hole is filled with a metallic material, and the rear surface of the substrate is ground to expose the metal thus forming a through electrode. The inventive through electrode has such a structure as a polyimide insulation layer is formed on the side face of a through hole made through a substrate of ground potential and the center of the hole is filled with a metallic material. Since a coaxial line structure is attained, a wide range characteristic impedance can be realized by controlling the thickness of the polyimide insulation film on the side face of the hole. COPYRIGHT: (C)2003,JPO