公开(公告)号：JP2022002320A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021145866

申请日：2021-09-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021108385A

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：JP2021065725

申请日：2021-04-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  神長 正美 ,  島 行徳 ,  保坂 泰靖 ,  中澤 安孝 ,  羽持 貴士 ,  佐藤 貴洋 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体を有する半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、 信頼性を向上させる。 【解決手段】基板上に酸化物半導体を形成し、酸化物半導体上に絶縁体を形成し、絶縁体 上に金属酸化物を形成し、金属酸化物上に導電体を形成し、酸化物半導体上の導電体、金 属酸化物、絶縁体を除去することで、酸化物半導体の一部を露出し、露出した酸化物半導 体の表面にプラズマ処理を行い、露出した酸化物半導体、及び導電体上に窒化物絶縁体を 形成し、プラズマ処理は、アルゴンガス及び窒素ガスの混合雰囲気下で行う。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021073718A

公开(公告)日：2021-05-13

申请号：JP2021010769

申请日：2021-01-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  佐々木 俊成 ,  横山 周平 ,  羽持 貴士

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、当該トランジスタ上に形成される 保護膜とを有する半導体装置において、真空排気された処理室内に載置された基板を18 0℃以上260℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を1 00Pa以上250Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に0.17W/cm 2 以上 0.5W/cm 2 以下の高周波電力を供給する条件により、上記保護膜として化学量論的 組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を形成する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020109866A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：JP2020050341

申请日：2020-03-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  神長 正美 ,  島 行徳 ,  羽持 貴士 ,  中澤 安孝

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供 する。 【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2の トランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタ は構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構 造のトランジスタであって、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極として機能する導 電膜が重ならない。また、酸化物半導体膜において、ゲート電極と、ソース電極及びドレ イン電極と重ならない領域に不純物元素を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020074402A

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2019222031

申请日：2019-12-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 三宅 博之 ,  岡崎 健一 ,  肥塚 純一 ,  神長 正美 ,  羽持 貴士

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】配線が視認されることを抑制する。または、視認性に優れた表示装置、またはタ ッチパネルを提供する。 【解決手段】半導体装置は、透光性を有する基板上にトランジスタと、トランジスタと電 気的に接続する配線とを有する。さらに、配線による光の反射を抑制する反射抑止層とし て、配線と重なるように配線よりも基板側に酸化物半導体を含む層を配置する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020047935A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2019218069

申请日：2019-12-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30 ,  C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019186581A

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：JP2019142096

申请日：2019-08-01

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 佐々木 俊成 ,  横山 周平 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/318 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する 。 【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装 置において、スピン密度が1×10 18 spins/cm 3 以下、好ましくは1×10 1 7 spins/cm 3 以下、より好ましくは1×10 16 spins/cm 3 以下の酸化 物半導体膜を有する。また、該酸化物半導体膜は、導電率が1×10 3 S/cm以下、好 ましくは1×10 2 S/cm以下、より好ましくは1×10 1 S/cm以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019114815A

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：JP2019066595

申请日：2019-03-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  神長 正美 ,  島 行徳 ,  羽持 貴士 ,  中澤 安孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供 する。 【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2の トランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタ は構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構 造のトランジスタであって、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極として機能する導 電膜が重ならない。また、酸化物半導体膜において、ゲート電極と、ソース電極及びドレ イン電極と重ならない領域に不純物元素を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6537264B2

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：JP2014250748

申请日：2014-12-11

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岡崎 健一 ,  羽持 貴士 ,  島 行徳 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6516811B2

公开(公告)日：2019-05-22

申请号：JP2017176316

申请日：2017-09-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786