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公开(公告)号：JP2022002320A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021145866
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/42 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2022002311A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021135316
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , G02F1/1343 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/02 , H05B33/28 , H05B33/26 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 【課題】酸化物半導体膜の欠陥を低減し、電気特性を向上させ、また、信頼性を向上させる酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、基板11上に形成されるゲート電極15、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜17、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる多層膜20及び多層膜に接する一対の電極21、22、該トランジスタを覆う第1の酸化物絶縁膜24及び該第1の酸化物絶縁膜上に形成される第2の酸化物絶縁膜25を備えるトランジスタ50を有する。多層膜は、酸化物半導体膜及びIn若しくはGaを含む酸化物膜を有し、第1の酸化物絶縁膜は、酸素を透過する酸化物絶縁膜であり、第2の酸化物絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6979504B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2020192258
申请日：2020-11-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6967120B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2020109720
申请日：2020-06-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/66 , H01L21/822
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公开(公告)号：JP6925819B2
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2017027572
申请日：2017-02-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2020003055A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JPIB2019055127
申请日：2019-06-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/02 , H01L21/336
Abstract: 電気特性の良好な半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に金属酸化物層を形成し、金属酸化物層上に半導体層の一部と重なるゲート電極を形成する。そして、半導体層におけるゲート電極が重ならない領域に、金属酸化物層及びゲート絶縁層を介して、第1の元素を供給する。第1の元素としては、リン、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、及びシリコンなどが挙げられる。金属酸化物層を加工する場合は、半導体層に第1の元素を供給した後に行う。
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公开(公告)号：JP2021108385A
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：JP2021065725
申请日：2021-04-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/82 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を有する半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、 信頼性を向上させる。 【解決手段】基板上に酸化物半導体を形成し、酸化物半導体上に絶縁体を形成し、絶縁体 上に金属酸化物を形成し、金属酸化物上に導電体を形成し、酸化物半導体上の導電体、金 属酸化物、絶縁体を除去することで、酸化物半導体の一部を露出し、露出した酸化物半導 体の表面にプラズマ処理を行い、露出した酸化物半導体、及び導電体上に窒化物絶縁体を 形成し、プラズマ処理は、アルゴンガス及び窒素ガスの混合雰囲気下で行う。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6871328B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2019159379
申请日：2019-09-02
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/146 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6856398B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2017022995
申请日：2017-02-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/318 , G02F1/1368 , H01L21/336
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公开(公告)号：JPWO2019180539A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JPIB2019051968
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
Abstract: 電気特性の良好な半導体装置を提供する。電気特性の安定した半導体装置を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、導電層と、を有する。第1の絶縁層は、半導体層の上面の一部に接し、導電層は、第1の絶縁層上に位置し、第2の絶縁層は、半導体層上に位置する。半導体層は、金属酸化物を含み、導電層と重なる第1の領域と、導電層と重ならない第2の領域と、を有する。また、第2の領域は、第2の絶縁層と接し、第2の絶縁層は、酸素及び第1の元素を含み、第1の元素は、リン、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、またはシリコンのいずれか一以上である。
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