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公开(公告)号：JP6116631B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2015167583
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/15 , H01J2237/0216 , H01J2237/0807 , H01J2237/28
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公开(公告)号：JP6282030B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2012226519
申请日：2012-10-12
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/244 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/026 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/04756 , H01J2237/12 , H01J2237/2448 , H01J2237/2449 , H01J2237/31749
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公开(公告)号：JP2017126570A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017026542
申请日：2017-02-16
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/062 , H01J2237/0807
Abstract: 【課題】イオン照射系をコンパクトにして、イオン光学長を短くして、かつエミッタティップからのイオンの放出方向を精度よく試料の方向に調整する機構を実現する。 【解決手段】ガス電界電離イオン源1、該イオン源から放出されたイオンを加速・集束する集束レンズ5、該集束レンズを通過したイオンビームを制限する可動な第1アパーチャ6、該第1アパーチャを通過したイオンビームを走査あるいはアラインメントする第1偏向器35、該第1アパーチャを通過したイオンビームを偏向する第2偏向器7、該第1アパーチャを通過したイオンビームを制限する第2アパーチャ36、該第1アパーチャを通過したイオンビームを試料上に集束する対物レンズ8、および該第2アパーチャを通過した該イオンビーム電流に略比例した信号量を計測する手段から構成される荷電粒子線顕微鏡とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019114567A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2019079805
申请日：2019-04-19
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/252 , H01J37/317 , H01J37/145 , H01J27/26 , H01J37/06 , H01J37/26
Abstract: 【課題】イオン照射系をコンパクトにして、イオン光学長を短くして、かつエミッタティップ(21)からのイオンの放出方向を精度よく試料の方向に調整する機構を実現する。 【解決手段】 ガス電界電離イオン源(1)、該イオン源から放出されたイオンを加速・集束する集束レンズ(5)、該集束レンズを通過したイオンビームを制限する可動な第1アパーチャ(6)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを走査あるいはアラインメントする第1偏向器(35)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを偏向する第2偏向器(7)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを制限する第2アパーチャ(36)、該第1アパーチャを通過したイオンビームを試料上に集束する対物レンズ(8)、および該第2アパーチャを通過した該イオンビーム電流に略比例した信号量を計測する手段から構成される荷電粒子線顕微鏡とする。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6093752B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2014263843
申请日：2014-12-26
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/16 , H01J27/26 , H01J37/244 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/26 , H01J37/09 , H01J37/28 , H01J2237/062 , H01J2237/0807
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公开(公告)号：JP2016027525A
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：JP2012228993
申请日：2012-10-16
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Inventor： 荒井 紀明
CPC classification number: H01J27/26 , H01J37/08 , H01J2237/002 , H01J2237/0216 , H01J2237/0807 , H01J2237/1502
Abstract: 【課題】本発明は、荷電粒子線源の冷却機構を具備する荷電粒子線装置において、イオン銃を小型化してチップと熱交換器との間の伝熱効率を向上させつつ、イオン銃内の断熱性能を向上させる技術を提供する。 【解決手段】荷電粒子線装置は、荷電粒子線を放出する荷電粒子線源と、荷電粒子線を集束して試料に照射する荷電粒子線光学系と、チップを冷却する冷却機構とを備える。前記荷電粒子線源は、前記チップと高電圧端子との間に、大気側からの熱流入を抑制する断熱構造を有する断熱構造部材を備え、断熱構造部材における高電圧端子側の端部からチップ側の端部への伝熱経路が、断熱構造部材における高電圧端子側の端部からチップ側の端部への直線距離よりも長くなっている。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种提高离子枪绝热性能的技术，通过使离子枪致密化，在提高芯片与热交换器之间的传热效率的同时，在包括冷却机构的带电粒子束装置中， 带电粒子束源。解决方案：带电粒子束装置包括放电带电粒子束的带电粒子束源，用于照射聚焦的带电粒子束的样品的带电粒子束光学系统和用于冷却芯片的冷却机构。 带电粒子束源包括绝热结构构件，其具有用于抑制从大气侧的热量，芯片和高压端子之间的热隔离结构以及绝热结构构件中的从高压的热传递路径 端子侧端部到芯片侧端部比隔热结构构件从高压端子侧端部到芯片侧端部的直线距离长。选择的图示：图4
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公开(公告)号：JPWO2018070010A1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：JP2016080357
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/06 , H01J9/02 , H01J37/073
Abstract: CFE電子源にCeB 6 を用いて低加速観察する場合であっても、高い空間分解能を安定して得られる電子線装置を提供する。 CFE電子源(929)を備えた電子線装置において、CFE電子源の電子線(931)の放出部はCeの六硼化物、又は、Ceよりも重いランタノイド金属の六硼化物であり、六硼化物は{310}面から電子線を放出し、{310}面のランタノイド金属の原子数は、{310}面の六個の硼素からなる硼素分子数よりも多くする。
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公开(公告)号：JP2018142453A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017035882
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Abstract: 【課題】六ホウ化物を用いた場合であっても、長時間安定に使用できる電子源およびそれを用いた電子線装置を提供する。 【解決手段】金属製のフィラメント103と、フィラメント103に固定され、外周において中心軸を囲むように少なくとも2軸方向に配置された複数の凹部117を有する金属管112と、電子を放出し、金属管112の内部からフィラメント103の反対側に突き出て配置され、金属管112の複数の凹部117のそれぞれの底部と接触している柱状の六ホウ化物のチップ104と、を備えた電子源とする。 【選択図】図15
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公开(公告)号：JP2017157368A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016038898
申请日：2016-03-01
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
IPC: H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/02 , H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/02
Abstract: 【課題】安定して加熱フラッシングが可能な六硼化物単結晶電界放出電子源を提供する。 【解決手段】金属フィラメント107と、それに接合される金属管108と、電子を放出する六硼化物チップ104と、金属管および六硼化物チップとは独立したグラファイトシート109とを備え、六硼化物チップは、グラファイトシートにより金属管に構造的に接触しない様に配置され、且つ六硼化物チップとグラファイトシートと金属管が機械的、電気的に接触した構造を有する電界放出電子源とする。 【選択図】図4A
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