公开(公告)号：JPWO2015011829A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015528082

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 康寿 坪田 ,  優一 和田 ,  賢治 亀田 ,  真 檜山

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L27/10852

Abstract: 【課題】基板面内において、高い選択性を有するエッチングを実現する。【解決手段】上記課題を解決するために、少なくともシリコンを含有する第一の膜と、前記第一の膜よりもシリコン含有率が少ない第二の膜とが形成された基板が載置される載置部と、前記載置部が設けられた処理容器と、前記基板へエッチングガスを供給するガス供給系と、前記エッチングガスを前記基板と接触する間、前記第二の膜のエッチング速度よりも前記第一の膜のエッチング速度が高くなるよう前記基板の温度を制御する温度制御部と、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、を有する基板処理装置を提供する。【選択図】図3

Abstract translation: 公开了一种基板平面，实现具有高选择性的蚀刻。 解决上述问题，是所述第一膜和所述第二位置和与所述膜形成在所述衬底是小的硅含量比含有所述第一膜的至少硅 和安装单元，一个处理容器配置部被提供，并且用于供给的蚀刻气体进入所述衬底中的气体供给系统，而在与基板接触蚀刻气体，比所述第二膜的蚀刻速率 提供温度控制单元还控制所述基板的温度为所述第一膜的更高的蚀刻速率，和用于在所述处理室排出的大气的排气系统中，具有一个基板处理装置。 点域

公开(公告)号：JPWO2014115702A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2014558567

申请日：2014-01-21

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 康寿 坪田 ,  康寿 坪田

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3494 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/012 ,  B23K1/203 ,  B23K1/206 ,  B23K3/04 ,  B23K3/06 ,  B23K3/082 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67207 ,  H01L24/11 ,  H01L24/741 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 要約課題半導体装置の製造品質を向上させると共に、製造スループット向上させる。解決手段表面に酸素含有膜が形成されたハンダを表面に有する基板を、処理室内に設けられた基板支持部に載置させる工程と、処理室内に還元性ガスを供給し、処理室内の熱伝導率を第1の熱伝導率として酸素含有膜を除去する酸化層除去工程と、処理室内に熱伝導性ガスを供給して処理室内の熱伝導率を第2の熱伝導率としてハンダを溶融させるリフロー工程と、を有する。

Abstract translation: 提高了摘要任务半导体器件的制造质量，提高生产量。 具有一个解决手段在基板表面膜的表面上形成焊料含氧，将基板支撑在处理室提供单元，供给还原气体进入处理腔室的步骤中，在处理室的热传导率 氧化物层去除去除含氧膜作为第一热导率，以熔化焊料和通过提供导热性气体进入处理室作为第二热导率的处理腔室的热导率的步骤 有一个回流的过程中，。

公开(公告)号：JPWO2015016149A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015529550

申请日：2014-07-25

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 康寿 坪田 ,  真 檜山 ,  優一 和田 ,  賢治 亀田

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01J37/321 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

Abstract: 要約課題半導体装置の品質を向上させると共に、製造スループットを向上させることが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体を提供する。解決手段 Si含有膜上に変性層が形成された基板を収容する処理容器と、前記基板に除去剤を供給する除去剤供給部と、前記基板にハロゲン元素を2つ以上含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記除去剤を前記基板に供給する変性層除去工程と、前記処理ガスを前記基板に供給する膜除去工程と、を実行するよう前記除去剤供給部と前記処理ガス供給部とを制御する制御部と、を有する。

Abstract translation: 提高了摘要任务半导体装置，能够提高制造生产率，制造半导体器件的方法，提供一种记录介质的基板处理装置的质量。 上供给含Si-SOLUTION膜片收容所述基板形成，并且为卤族元素在衬底上供给清除剂，两种或更多种，包括工艺气体至该基片去除剂供给部的处理容器变性层 的处理气体供给单元，所述变性层除去供给去除剂到所述衬底的步骤中，执行供给处理气体，以在衬底的去除剂供应单元的膜除去步骤，并且处理气体供给单元 和用于控制和控制单元。