公开(公告)号：KR102225215B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020140154464A

申请日：2014-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전현석 ,  박종우 ,  박철용 ,  윤정원

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L24/05 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/94 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/13

Abstract: MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터의 형상 및, MIM 캐패시터와 단자 패드 사이의 위치 관계 조절하여, MIM 캐패시터의 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 기판 상의 층간 절연막, 상기 층간 절연막 내에 배치되고, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극과, 제1 캐패시터 절연막과, 제1 상부 전극을 포함하는 제1 캐패시터 구조체, 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 단자 패드를 포함하는 금속 배선으로, 상기 단자 패드는 상기 제1 캐패시터 구조체와 비오버랩되는 금속 배선을 포함한다.

公开(公告)号：JP6436247B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2017555889

申请日：2015-12-14

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 浜口 卓也 ,  中田 洋輔 ,  中野 誠也 ,  多留谷 政良

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L29/45 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001

公开(公告)号：JP6399887B2

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：JP2014210044

申请日：2014-10-14

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 朴 在 化 ,  文 光 辰 ,  方 碩 哲 ,  朴 炳 律 ,  秦 正 起 ,  金 泰 成 ,  姜 聖 嬉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/10 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/14511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2018152506A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048800

申请日：2017-03-14

Applicant: エイブリック株式会社

Inventor： 五十嵐 覚 ,  加藤 伸二郎 ,  長谷川 尚 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

Abstract: 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜上にシリコン酸化膜が設けられていても、窒化チタンからなる反射防止膜の腐食が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド部を開口できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線膜6と、配線膜6上に設けられた窒化チタン膜7とからなる配線層5と、配線層5の上面5aおよび側面5bを覆う保護層9と、保護層9と窒化チタン膜7とを貫通し、配線膜6が露出されてなるパッド部8とを有し、保護層9が、第1シリコン窒化膜41と酸化膜3と第2シリコン窒化膜42とが配線層5側からこの順で積層されたものである半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152505A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048799

申请日：2017-03-14

Applicant: エイブリック株式会社

Inventor： 森田 健士 ,  加藤 伸二郎 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

Abstract: 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの腐食が生じにくく、製造における工程数も少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタン膜7と、窒化チタン膜7上に設けられた酸化膜3と、酸化膜3上に設けられたシリコン窒化膜4とを有し、シリコン窒化膜4に形成された第1開口部91と窒化チタン膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置であって、酸化膜3に形成された第3開口部93の平面視内側の位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、第3開口部93の平面視内側に配置された窒化チタン膜7上に接してシリコン窒化膜4が形成されている半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018511180A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2017550148

申请日：2016-03-23

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： ヘルムート リンク ,  ゲーノット バウアー ,  ロベルト ツリレ ,  カイアレクサンダー シャハトシュナイダー ,  ミカエル オーテ ,  ハールド ウィーズナー

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53204 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01051

Abstract: 記載される例において、ボンドパッドを形成する方法(100)が、その上に形成される少なくとも一つの集積回路(IC)デバイスを含む基板を提供すること(101)を含み、ICデバイスは、易酸化性最上金属相互接続層を有し、易酸化性最上金属相互接続層は、ICデバイス上の回路ノードに結合される複数のボンドパッドを提供する。複数のボンドパッドは、金属ボンドパッドエリアを含む。コバルト含有接続層が、金属ボンドパッドエリアの直接上に堆積される(102)。コバルト含有接続層は、複数のボンドパッドのためのコバルトボンドパッド表面を提供するためにパターニングされ(103)、はんだ材料が、コバルトボンドパッド表面上に形成される(104)。

公开(公告)号：JP6282454B2

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：JP2013255414

申请日：2013-12-10

Applicant: 新光電気工業株式会社

Inventor： 町田 洋弘

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13694 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81047 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01R43/0235 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0541

公开(公告)号：JP6279339B2

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：JP2014022742

申请日：2014-02-07

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 川邉 直樹

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85365 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

公开(公告)号：JP6277693B2

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：JP2013247862

申请日：2013-11-29

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 小山 英寿

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/4827 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/054 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0539 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/034

公开(公告)号：JP2017183571A

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2016070283

申请日：2016-03-31

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 原野 英樹

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/92125 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751

Abstract: 【課題】半導体装置における信頼性を向上させる。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の電極パッド1cのそれぞれを露出させる開口部1fが形成された絶縁膜1eを有する半導体基板10を準備し、複数の電極パッド1cのそれぞれに導電性粒子8を有するフラックス材7を配置する。配置後、フラックス材7を介して複数の電極パッド1cのそれぞれの上に半田ボール3を配置し、さらに、フラックス材7を介して半田ボール3を加熱して半田ボール3を複数の電極パッド1cのそれぞれに接合する。その際、絶縁膜1eにおける開口部1fの幅D1は、半田ボール3の幅(直径D2)より小さい。 【選択図】図9