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公开(公告)号：JP2016167527A
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：JP2015046623
申请日：2015-03-10
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265
Abstract: 【課題】 高温環境であっても接続信頼性に優れる半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明に係る半導体モジュールは、配線層を有する基板と、基板に搭載され、表面に電極を有する半導体素子と、半導体素子の電極と焼結金属層を介して接合された導電板と、を備え、半導体素子表面の電極は、非アクティブエリアであるゲート配線部によって複数の電極に分割されており、焼結金属層は、非アクティブエリア上の領域が他の領域よりも焼結密度が低いことを特徴とする。 【選択図】図4
Abstract translation: 要解决的问题：即使在高温环境下也提供连接可靠性优异的半导体模块。本实施方式的半导体模块包括：具有布线层的基板; 半导体元件，其安装在所述基板上并且在表面上具有电极; 以及通过烧结金属层与半导体元件的电极接合的导电板。 半导体元件表面上的电极通过作为非活性区域的栅极布线部分分成多个电极，并且在烧结金属层中，非活性区域上的区域的烧结密度低于其它区域的烧结密度。 选择图：图4
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公开(公告)号：JP2016143685A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015016283
申请日：2015-01-30
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265
Abstract: 【課題】ジャンクション温度が高くなっても接続信頼性に優れる半導体モジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】表面電極及び裏面電極を備える半導体チップ101が回路基板に搭載された構成の半導体モジュールであって、半導体チップの裏面電極106’と回路基板の配線102を接続した第1の焼結接合層105と、半導体チップの表面電極106と導電板150とを接続した第2の焼結接合層105’を備え、第2の焼結接合層105’よりも第1の焼結接合層105の剛性が高いことを特徴とする。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供即使结温变高，连接可靠性优异的半导体模块。本发明公开了一种半导体模块，其具有如下构造：具有表面电极和背面电极的半导体芯片101 安装在电路板上。 该半导体模块包括：第一烧结结层105，其中半导体芯片的背电极106'和电路板的布线102连接; 和第二烧结结层105'，其中半导体芯片的表面电极106和导电板150连接。 第一烧结结层105的刚性高于第二烧结结层105'的刚性。图2
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公开(公告)号：JP2019016755A
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017135137
申请日：2017-07-11
Applicant: 株式会社日立製作所
Abstract: 【課題】 焼結金属接合層の緻密化による厚さ変化に追従することで接合界面の剥離を抑制することが可能な半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 第1の冷却部材と、前記第1の冷却部材の上方に第1の接合層を介して設けられた半導体素子と、前記半導体素子の上方に第2の接合層を介して設けられた加圧部材と、前記第1の冷却部材の上方であって、前記半導体素子及び前記加圧部材の側面方向に位置する領域を封止する第1の封止材を有し、前記加圧部材は、第1のブロック部材と、前記第1のブロック部材の上方に設けられた第2のブロック部材と、前記第1のブロック部材と前記第2のブロック部材の間の領域に設けられたバネ部材及び第2の封止材で構成することで達成される。 【選択図】 図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018060822A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2015003784
申请日：2015-01-13
Applicant: 株式会社日立製作所
Abstract: 【課題】薄膜状の熱電変換素子を用いた熱電変換モジュールの電力変換効率を向上することを目的とする。 【解決手段】絶縁層と、絶縁層の表面に形成された配線層と、配線層を介して交互に直列接続された薄膜状のP型及びN型熱電変換素子と、熱電変換素子が搭載される基板と、を備える熱電変換モジュールであって、熱電変換素子は、隣り合う熱電変換素子の素子面が対向し、素子面の長手方向が熱伝達方向となるように配置しており、配線層は、熱電変換素子の熱伝達方向の両端側に配置していることを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017139345A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016019554
申请日：2016-02-04
Applicant: 株式会社日立製作所
Abstract: 【課題】 回路基板と放熱基板が焼結金属によって高強度に接合され、かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置が、複数の半導体素子101と、複数の半導体素子が搭載される絶縁回路基板と、接合層を介して絶縁回路基板と接合される放熱基板105と、を備え、接合層は、複数の半導体素子の直下に位置する複数の第一焼結金属層102aと、第一焼結金属層よりも空隙率が大きく、かつ、絶縁回路基板の外周部に接すると共に、複数の第一焼結金属層の各々を囲む第二焼結金属層102bと、を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019157052A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018048930
申请日：2018-03-16
Applicant: 株式会社日立製作所 , 国立大学法人横浜国立大学
Abstract: 【課題】溶融温度の上昇や結晶化を伴わないエポキシ樹脂を用いて、耐熱性を示すガラス転移温度が従来になく高く、かつ、電気絶縁性に優れるエポキシ樹脂硬化物を作製する。 【解決手段】アミド化フェノールフタレイン骨格が二量化した構造に少なくとも2個のグリシジルエーテル基が結合した構造を有するエポキシ樹脂を用いる。当該エポキシ樹脂と、硬化剤と、を含むエポキシ樹脂組成物を硬化反応させることにより、所望のエポキシ樹脂硬化物が得られる。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2017208554A1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017009137
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社日立製作所
Abstract: 耐酸化性に優れるとともに良好な接合強度を示す金属接合材料及びその製造方法、並びにそれを使用した金属接合体の製造方法を提供する。このために、0.1nm以上10nm以下の粒径を有する単結晶が複数集合してなり、表面に酸化銅を含んで構成される酸化銅層が形成された銅ナノ粒子と、沸点が200℃以上250℃以下であって、鎖状構造を有するとともに当該鎖状構造の末端に水酸基を有する有機溶剤と、を含むことを特徴とする、金属接合材料とする。また、これを製造するため、前駆体溶解工程と、銅生成工程と、酸化銅層形成工程と、分離工程と、混合工程と、を経るようにする。さらに、これを使用して金属接合体を製造するため、塗布工程と、接触工程と、接合工程と、を経るようにする。
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