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公开(公告)号：JPWO2010137679A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011516066
申请日：2010-05-28
Applicant: 株式会社日立製作所 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L27/105 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3277 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 垂直磁化材料を適用し、TMR比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。バリア層10の上下に配置する記録層と固定層として、垂直磁化磁性層21,22と高分極率磁性層41,42からなる積層フェリ構成51,52を適用する。垂直磁化磁性層と高分極率磁性層の間に挿入する非磁性層31,32によって、垂直磁化磁性層の結晶性を良好にし、さらにMgOバリア層10を(001)に結晶配向させるとともに高分極率磁性層41,42をbcc(001)で結晶配向させる。
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公开(公告)号：JP5579175B2
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：JP2011516066
申请日：2010-05-28
Applicant: 株式会社日立製作所 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3277 , H01F10/3286 , H01L27/228
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公开(公告)号：JPWO2011033716A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2011531771
申请日：2010-08-04
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/22 , H01L43/08
Abstract: スピン注入効率が高いスピン注入素子およびそれを用いた磁界センサ並びに磁気記録メモリを提供するために、非磁性導電体で構成されるスピン蓄積部と、障壁層と、磁性導電体層とを有するスピン注入素子において、第1のスピン蓄積層103および障壁層102は体心立方格子構造とする。これにより、第1のスピン蓄積層103と障壁層102界面は結晶対称性をもつ面で接する構造となるため格子整合性が向上し、Δ1バンド内のトンネル電子の界面散乱を抑制でき、スピン分極率が向上する。また、スピン注入素子を用いたデバイスの特性が向上する。
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公开(公告)号：JPWO2014207818A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015523696
申请日：2013-06-25
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: H01L29/82
CPC classification number: H03K19/18 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/22 , H01L43/00
Abstract: 既存の同期式演算装置とコンパチブルで、消費電力が小さいスピン波導波路及びそれを用いた演算回路を提供する。基板上に設けられたスピン波を伝搬させる強磁性体線路上に、非磁性中間層を介して、強磁性層が積層された複数の領域を設け、強磁性体線路とその上に設けられた強磁性層を非磁性中間層を介して強磁性結合させ、強磁性体線路の磁化容易軸とその上に設けられた強磁性層の磁化容易軸を直交させてスピン波回路を構成する。
Abstract translation: 在现有的同步计算装置兼容，使用功率消耗提供的运算电路是小自旋波的波导和相同的。 铁磁线用于传播设置在基板上的自旋波，经由非磁性中间层，设置有多个区域，其被堆叠的铁磁层，具有强磁性体线设置在其上 经由非磁性中间层的铁磁层铁磁性耦合以形成自旋波电路是垂直于在其上的铁磁性线提供的铁磁层的易磁化轴的易磁化轴。
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公开(公告)号：JPWO2014188525A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015517972
申请日：2013-05-22
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H03K19/0016 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/22 , H01L29/1029 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H03K3/356 , H03K19/16 , H03K19/18 , H03L7/00
Abstract: 低消費電力化を図る技術として、スピン波を用いるものがあるが、スピン波発生、スピン波検出、及び情報のラッチ技術に関しての具体的な提案がされていない。第1の強磁性層と非磁性層からなる細線形状の積層体を用い、非磁性体の第1の電極に電界を印加することにより、第1の強磁性層にスピン波を発生させ、第1の強磁性層内で伝搬されたスピン波の位相または振幅を、強磁性体の第2の電極を用いて、磁気抵抗効果によって検出するデバイスとする。
Abstract translation: 作为用于减少功耗的技术，还有那些使用自旋波，产生的自旋波检测自旋波，并且不是关于锁存器技术信息的具体提案。 第一铁磁层和一个非磁性层，通过施加电场到非磁性材料的第一电极构成的细线状的层叠体，以产生在所述第一铁磁性层自旋波，则 在第一铁磁层的相位或振幅的传播自旋波的，使用强磁性体的第二电极和用于检测所述磁阻效应装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2012127606A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2013505680
申请日：2011-03-22
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: G11B5/3906 , G01R33/093
Abstract: 出力の大きな磁気再生ヘッドを提供するために、絶縁体下地層103と、非磁性体からなる非磁性細線104と、第1の素子部(105a,106a、107a)と第2の素子部(105b、106b、108b)とを有し、非磁性細線104の一端107bと第1の素子部は電流供給回路の一部をなし、非磁性細線104の他端108bと第2の素子部は電圧測定回路の一部をなす磁気再生ヘッドにおいて、非磁性細線104は、体心立方格子あるいは面心立方格子の結晶構造をとり、絶縁体下地層103と非磁性細線104と障壁層105a、105bはすべて同一の面方位の結晶質とする。
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7.发明专利
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公开(公告)号：JP4575396B2
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2007013816
申请日：2007-01-24
Applicant: 株式会社日立製作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3903 , G11B5/398 , Y10T428/11
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10.发明专利
公开(公告)号：JP5416781B2
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：JP2011531771
申请日：2010-08-04
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G01R33/1284 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/22 , H01L43/08
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