公开(公告)号：JP5486048B2

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：JP2012142897

申请日：2012-06-26

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 英男 大野 ,  正二 池田 ,  純 早川

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

公开(公告)号：JP5351894B2

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：JP2010526684

申请日：2009-08-21

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 英男 大野 ,  正二 池田 ,  晴弘 長谷川 ,  勝哉 三浦 ,  純 早川

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: A high thermal stability constant is achieved in a magnetoresistive element applied to a memory cell of a magnetic memory. A free layer (415) of a magnetoresistive element (304) performs write-in by using a current magnetization inversion by spin transfer torque.  The free layer (415) is formed by three or more ferromagnetic layers (403, 405, 407, 409) layered via non-magnetic antiparallel coupling layers (404, 406, 408).  The ferromagnetic layers constituting the free layer have magnetization directions (411 - 414) parallel or antiparallel to the magnetization direction (410) of a fixed layer.  The two ferromagnetic layers arranged to sandwich the antiparallel coupling layers have magnetization directions antiparallel to each other.  Moreover, the sum of the volume of the ferromagnetic layer having a single magnetization direction and the magnetization product is set substantially identical to the sum of the volume of the ferromagnetic layer having a magnetization direction antiparallel to the aforementioned direction and the magnetization product.

公开(公告)号：JP5143444B2

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：JP2007032420

申请日：2007-02-13

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 英男 大野 ,  正二 池田 ,  永▲みん▼ 李 ,  純 早川

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

公开(公告)号：JPWO2010024201A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：JP2010526684

申请日：2009-08-21

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 大野　英男 ,  英男 大野 ,  正二 池田 ,  正二 池田 ,  晴弘 長谷川 ,  晴弘 長谷川 ,  勝哉 三浦 ,  勝哉 三浦 ,  早川　純 ,  純 早川

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 磁気メモリのメモリセルに適用される磁気抵抗効果素子において高い熱安定性定数を実現する。スピントランスファートルクによる電流磁化反転を用いて書き込みを行う磁気抵抗効果素子304の自由層415を、非磁性の反平行結合層404,406,408を介して積層された3層以上の強磁性層403,405,407,409により構成した。自由層を構成する複数の強磁性層の磁化方向411−414は固定層の磁化方向410と平行あるいは反平行であり、反平行結合層を挟んで設けられた2つの強磁性層の磁化方向は互いに反平行である。また、磁化方向が一方を向いた強磁性層の体積と磁化の積の和は、磁化方向がそれと反平行を向いた強磁性層の体積と磁化の積の和と略等しく設定した。

公开(公告)号：JPWO2013069091A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：JP2013542733

申请日：2011-11-08

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  株式会社日立製作所

Inventor： 大野　英男 ,  英男 大野 ,  正二 池田 ,  正二 池田 ,  山本　浩之 ,  浩之 山本 ,  洋輔 黒崎 ,  洋輔 黒崎 ,  勝哉 三浦 ,  勝哉 三浦

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 高いTMR比、低い書き込み電流を実現し、さらに素子全体の抵抗増大を抑制しつつ、記録層及び固定層の熱安定性指数(E/kBT)を高めることで安定した動作が可能になるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。CoFeBからなる記録層21、固定層22の少なくとも一方において、トンネルバリア層10と反対側に導電性酸化物層31,32を配置した。

Abstract translation: 高TMR比，实现了低写入电流，同时进一步抑制整体增加的电阻元件中，固定层（E / kBT的）的记录层和热稳定性指数以增加稳定运行变得可能隧道磁阻 提供电阻效应元件。 记录的CoFeB构成的层21，固定层22中的至少一个被布置在所述隧道势垒层10的相对侧上的导电性氧化物层31，32。

公开(公告)号：JP5600344B2

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：JP2012504375

申请日：2011-02-14

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 英男 大野 ,  正二 池田 ,  文▲礼▼ 松倉 ,  将起 遠藤 ,  駿 金井 ,  勝哉 三浦 ,  浩之 山本

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

公开(公告)号：JPWO2011111473A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：JP2012504375

申请日：2011-02-14

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 大野　英男 ,  英男 大野 ,  正二 池田 ,  正二 池田 ,  松倉　文▲礼▼ ,  文▲礼▼ 松倉 ,  将起 遠藤 ,  将起 遠藤 ,  駿 金井 ,  駿 金井 ,  勝哉 三浦 ,  勝哉 三浦 ,  山本　浩之 ,  浩之 山本

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及び、その磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層の材料を、3d遷移金属を少なくとも1種類含んだ強磁性材料若しくはホイスラー合金で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。

公开(公告)号：JPWO2012004883A1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：JP2012523481

申请日：2010-07-09

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  株式会社日立製作所

Inventor： 大野　英男 ,  英男 大野 ,  正二 池田 ,  正二 池田 ,  山本　浩之 ,  浩之 山本 ,  伊藤　顕知 ,  顕知 伊藤 ,  高橋　宏昌 ,  宏昌 高橋

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/13 ,  H01F10/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L29/82 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 高いTMR比を維持しつつ低い書き込み電流密度を示す磁気抵抗効果素子を提供する。記録層に、第2の強磁性層/非磁性層/第1の強磁性層の積層構造を適用し、MgOバリア層と接する第2の強磁性層にはCoFeBなどのbcc結晶構造の材料を適用する。第1の強磁性層として垂直方向の異方性磁界Hk⊥が大きく、2πMs

公开(公告)号：JPWO2012004882A1

公开(公告)日：2013-09-02

申请号：JP2012523480

申请日：2010-07-09

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  株式会社日立製作所

Inventor： 大野　英男 ,  英男 大野 ,  正二 池田 ,  正二 池田 ,  伊藤　顕知 ,  顕知 伊藤 ,  山本　浩之 ,  浩之 山本 ,  勝哉 三浦 ,  勝哉 三浦

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

Abstract: 読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。膜面に垂直な方向の磁化を有する記録層506と、膜面に垂直な一方向に磁化が固定された固定層508と、固定層と記録層の間に形成された非磁性障壁層507を有する磁気抵抗効果素子の上下に、固定層の磁化の向きと逆向きの磁化を有する永久磁石層504,510を設ける。

公开(公告)号：JP5096702B2

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：JP2006181979

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 純 早川 ,  英男 大野 ,  正二 池田

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/10