温度センサ
    2.
    发明专利
    温度センサ 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2018138993A1

    公开(公告)日:2019-11-07

    申请号:JP2017039172

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 有機無機複合負特性サーミスタと、トランジスタとを備える温度センサであって、有機無機複合負特性サーミスタは、Mn、NiおよびFeを含むスピネル型半導体磁器組成物の粉末と、有機高分子成分とを含むサーミスタ層と、1対の電極層とを含み、半導体磁器組成物の粉末において、MnとNiとのモル比率が85/15≧Mn/Ni≧65/35であり、かつMnおよびNiの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が30モル部以下であり、半導体磁器組成物の粉末は、X線回折パターンの29°〜31°付近に極大値を有するピークを有し、ピークの半値幅は0.15以上であり、トランジスタは、有機無機複合負特性サーミスタの電極層のいずれか一方と接続される、温度センサ。

    増幅回路
    10.
    发明专利
    増幅回路 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2020195694A1

    公开(公告)日:2021-11-18

    申请号:JP2020009594

    申请日:2020-03-06

    Abstract: 入力端子Viに入力される信号を増幅して出力端子Voから出力する増幅回路10は、入力部Vi’に入力される入力信号を反転させた出力信号を出力部Vo’から出力端子へ出力するインバータ回路100と、入力端子とインバータ回路の入力部との間に接続された入力キャパシタCと、入力部と出力部との間に接続された帰還素子111とを備える。インバータ回路では、伝導型が互いに同じである複数のトランジスタ101〜104が擬CMOSインバータを構成する。帰還素子は、トランジスタ101等と伝導型が同じであるトランジスタ111のゲート・ドレインが接続され、チャネルにおける順方向電流が出力部から入力部へ向けて流れるようにインバータ回路に接続される。製造プロセスを複雑にすることなく、優れた周波数特性と短い起動時間とを両立させることができる。

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