無線装置および無線装置の製造方法

    公开(公告)号:JP2021015904A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:JP2019130233

    申请日:2019-07-12

    发明人: 山田 啓壽

    摘要: 【課題】小型化を実現しつつ2次電池に対する充電を行うことが可能な新規な構造の無線装置および無線装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態の無線装置は、基板と、前記基板の第1の面に搭載された、無線回路を含む半導体素子と、前記基板の前記第1の面に設けられ、前記半導体素子を封止する非導電層と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って設けられ、該端面において前記基板に設けられた第1の配線と接触する第1の金属膜と、前記非導電層の表面から前記基板の少なくとも1つの端面に亘って、前記第1の金属膜と離間して設けられ、該端面において前記基板に設けられた第2の配線と接触する第2の金属膜と、第1の電極が前記第1の配線と電気的に接続され、第2の電極が前記第2の配線と電気的に接続された2次電池と、を備える。 【選択図】図2

    無線通信モジュール、プリント基板、および製造方法

    公开(公告)号:JP2021007250A

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:JP2020169041

    申请日:2020-10-06

    摘要: 【課題】本発明の一実施形態は、アンテナの影響を受ける領域を小さくする無線通信モジュールを提供する。 【解決手段】本発明の一態様の無線通信モジュールは、基板と、高周波信号を少なくとも送信または受信する半導体チップと、絶縁体と、導電膜と、給電線と、第1から第3の導体パターンと、第1および第2のビアと、を備える。半導体チップ、給電線、第1および第2の導体パターンは、基板の第1の配線層に設置される。第3の導体パターンは、グラウンド電位であり、基板の第2の配線層に設置される。絶縁体は、半導体チップを包み込む。導電膜は、絶縁体の側面の少なくとも一部を覆う。給電線は、半導体チップと導電膜とを電気的に接続する。第1および第2の導体パターンは、導電膜と接触する。第1のビアは、第1の導体パターンと、第3の導体パターンとを、接続する。第2のビアは、第2の導体パターンと、第3の導体パターンとを、電気的に接続する。 【選択図】図2

    センサ
    7.
    发明专利
    センサ 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019012087A

    公开(公告)日:2019-01-24

    申请号:JP2018202980

    申请日:2018-10-29

    IPC分类号: G01R33/09 G01L19/06 G01L9/16

    摘要: 【課題】外部からの磁気ノイズの影響を低減しながらも、センサ感度を高めることができる磁気シールドパッケージを提供すること。 【解決手段】磁気デバイスと、磁気デバイスの下に設けられた圧力検知素子と、圧力検知素子の下方に設けられ、圧力検知素子の直下の少なくとも一部に第1の開口が設けられた第1の磁性体と、磁気デバイスを覆う第2の磁性体と、圧力検知素子の下方に設けられ、圧力検知素子が設けられる面とは異なる面に電極を備えた基板と、を有し、第1の磁性体および第2の磁性体の少なくとも1つは金属からなり、圧力検知素子の端子に電気的に接続される配線の少なくとも1つが第1の磁性体および第2の磁性体と電気的に絶縁されている、センサ。 【選択図】図1

    無線装置
    10.
    发明专利
    無線装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2018117215A

    公开(公告)日:2018-07-26

    申请号:JP2017005986

    申请日:2017-01-17

    IPC分类号: H01Q1/38 H01L23/32 H01Q13/10

    摘要: 【課題】インターポーザ基板の反りを有効に抑制できる新規な構造の無線装置を提供する。 【解決手段】実施形態の無線装置は、複数の導体層を含むインターポーザ基板と、インターポーザ基板に搭載された、送受信回路を内蔵する半導体チップと、インターポーザ基板上に配置され、半導体チップを封止する非導電体と、を備える。インターポーザ基板の複数の導体層のうち、インターポーザ基板の厚み方向の中心に対して対称な位置に存在する第1導体層と第2導体層とに、スロットアンテナとして機能する開口部を有し、導体部の面積が略等しいアンテナ用導体パターンがそれぞれ設けられている。第1導体層に設けられたアンテナ用導体パターンの開口部を第1開口部、第2導体層に設けられたアンテナ用導体パターンの開口部を第2開口部としたときに、第1開口部の第2導体層における正射影が第2開口部と重なる。 【選択図】図3