圧粉磁心、磁心用粉末およびそれらの製造方法
    2.
    发明专利
    圧粉磁心、磁心用粉末およびそれらの製造方法 有权
    磁芯,磁芯用粉末,生产粉芯的方法,以及用于制造磁芯用粉末的方法

    公开(公告)号:JP2016058496A

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:JP2014182730

    申请日:2014-09-08

    Abstract: 【課題】比抵抗および強度に優れる圧粉磁心を提供する。 【解決手段】本発明の圧粉磁心は、軟磁性粒子と、軟磁性粒子の少なくとも一部の表面を被覆する酸化アルミニウムからなる第1被覆層と、第1被覆層の少なくとも一部の表面を被覆する窒化アルミニウムからなる第2被覆層と、軟磁性粒子の焼鈍温度よりも低い軟化点を有する低融点ガラスからなり第2被覆層の少なくとも一部の表面を被覆する第3被覆層と、を有することを特徴とする。第1被覆層となる酸化物層および第2被覆層となる窒化物層は、例えば、ガス水アトマイズ粉を窒化処理することにより形成され得る。本発明の圧粉磁心は、三層構造の粒界部を有することにより、従来よりも高比抵抗と高強度を安定的に発揮するようになったと考えられる。 【選択図】図1A

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有优异的电阻率和优异的强度的防尘芯。解决方案:本发明的防尘芯的特征在于包括:软磁性颗粒; 第一覆盖层,其由氧化铝形成并且覆盖每个软磁性颗粒的表面的至少一部分; 第二覆盖层,其由氮化铝形成并且覆盖所述第一覆盖层的表面的至少一部分; 以及第三覆盖层,其由软熔点低于软磁性颗粒的退火温度并且覆盖第二覆盖层的表面的至少一部分的低熔点玻璃形成。 用作第一覆盖层的氧化物层和用作第二覆盖层的氮化物层可以例如通过使气水雾化粉末进行氮化物处理来形成。 认为通过具有三层结构的晶界,本发明的防尘芯体更稳定地表现出比常规防尘芯体高的电阻率和高强度。选择的图示:图1A

    圧粉磁心、磁心用粉末およびそれらの製造方法
    4.
    发明专利
    圧粉磁心、磁心用粉末およびそれらの製造方法 有权
    磁芯,磁芯用粉末,生产粉芯的方法,以及用于制造磁芯用粉末的方法

    公开(公告)号:JP2016058732A

    公开(公告)日:2016-04-21

    申请号:JP2015174749

    申请日:2015-09-04

    CPC classification number: H01F1/147 H01F1/24

    Abstract: 【課題】比抵抗または強度に優れる圧粉磁心を提供する。 【解決手段】本発明の圧粉磁心は、軟磁性粒子と、軟磁性粒子の表面を被覆する窒化アルミニウムからなる第1被覆層と、軟磁性粒子の焼鈍温度よりも低い軟化点を有する低融点ガラスからなり第1被覆層の少なくとも一部の表面を被覆する第2被覆層と、を有することを特徴とする。窒化アルミニウムからなる第1被覆層は、第2被覆層を構成する低融点ガラスとの濡れ性に優れると共に、軟磁性粒子と第2被覆層の低融点ガラスとの間において、構成元素が拡散することを抑制する。このような第1被覆層と第2被覆層の相乗作用により、本発明の圧粉磁心は従来よりも高比抵抗と高強度を安定的に発揮するようになったと考えられる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有优异的电阻率或优异强度的防尘芯。解决方案:本发明的防尘芯的特征在于包括:软磁性颗粒; 第一覆盖层,其由氮化铝形成并覆盖每个软磁性颗粒的表面; 以及第二覆盖层,其由软熔点低于软磁性颗粒的退火温度的低熔点玻璃构成,并且覆盖第一覆盖层的表面的至少一部分。 由氮化铝形成的第一覆盖层对构成第二覆盖层的低熔点玻璃具有优异的润湿性,同时防止各软磁体和低熔点玻璃之间的构成元素的扩散 第二覆盖层。 认为通过第一覆盖层和第二覆盖层的协同效应,本发明的防尘芯体更稳定地表现出比常规防尘芯体高的电阻率和高强度。选择的图:图1

    光電変換素子
    8.
    发明专利
    光電変換素子 审中-公开
    的光电转换元件

    公开(公告)号:JP2017017129A

    公开(公告)日:2017-01-19

    申请号:JP2015131056

    申请日:2015-06-30

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 【課題】光吸収層としてCZTS系化合物半導体を用いた光電変換素子において、短波長域での量子効率を向上させること。 【解決手段】光電変換素子10は、Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS)系化合物半導体からなる光吸収層16と、光吸収層16の表面に形成されたバッファ層18とを備えている。バッファ層18は、光吸収層16の表面に形成されたCdSからなる第1層18a、及び、第1層18aの表面に形成された(Zn 1-x Sn x )O y (但し、0
    【選択図】図4

    Abstract translation: 提供了一种使用该化合物CZTS半导体作为光吸收层,以提高在短波长范围内的量子效率的光电转换元件。 一种光电转换元件10包括由Cu2ZnSnS4(CZTS)的光吸收层16系化合物半导体,形成在光吸收层16的表面上的缓冲层18。 缓冲层18,(第一层18A由形成的光吸收层16层的CdS的表面上,并且,形成在第一层18A(的Zn1-xSnx)Oy公司的表面上,其中,0

    蓄電デバイス用電極及び蓄電デバイス

    公开(公告)号:JP2021121992A

    公开(公告)日:2021-08-26

    申请号:JP2020014669

    申请日:2020-01-31

    Abstract: 【課題】新規な活物質を有する蓄電デバイス用電極及び蓄電デバイスを提供する。 【解決手段】本開示は、蓄電デバイスに用いられる蓄電デバイス用電極であって、電極活物質として、基本組成式ET 2 Bi 2 O 9 (但し、EはCa、Sr及びBaのうち1以上、TはNb及びTaのうち1以上である)で表される酸化物、Er 2 GaO 6 及びFeTiO 3 のうち1以上を有するものである。 【選択図】図1

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