中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

11 records (took 0.026 seconds)

    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same
    1.
    发明专利
    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same 有权
    复合聚合离子束装置，以及加工观察方法和使用该方法的处理方法

    公开(公告)号：JP2013211280A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：JP2013123876

    申请日：2013-06-12

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  IWASAKI KOJI ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/26

    CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G03F1/74 ,  G03F1/84 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/31745

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite converging ion beam device capable of performing an observation of high resolution and fine processing, and a processing observation method and a processing method using the same.SOLUTION: A composite converging ion beam device includes a first ion beam irradiation system (10) including a liquid metal ion source generating first ions, and a second ion beam irradiation system (20) including a gas field ion source generating second ions. A second ion beam (20A) emitted by the second ion beam irradiation system (20) has a smaller beam diameter than that of a first ion beam (10A) emitted by the first ion beam irradiation system (10). The second ion beam irradiation system (20) including the gas field ion source can reduce the beam diameter to 1 nm or less, and so an observation of high resolution can be made.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够进行高分辨率和精细加工的观察的复合会聚离子束装置，以及使用其的处理观察方法和处理方法。解决方案：复合会聚离子束装置包括第一离子 包括产生第一离子的液态金属离子源的射束照射系统（10）和包括产生第二离子的气体场离子源的第二离子束照射系统（20）。 由第二离子束照射系统（20）发射的第二离子束（20A）的光束直径小于由第一离子束照射系统（10）发射的第一离子束（10A）的光束直径。 包括气体离子源的第二离子束照射系统（20）可以将光束直径减小到1nm以下，能够进行高分辨率的观察。

    Focused ion beam device
    3.
    发明专利
    Focused ion beam device 有权
    聚焦离子束装置

    公开(公告)号：JP2013089534A

    公开(公告)日：2013-05-13

    申请号：JP2011230769

    申请日：2011-10-20

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： YASAKA KOJIN ,  ARAMAKI BUNRO ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU

    IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/182

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam device which efficiently carries out fine patterning with less damage to a sample by using a gas field ionization ion source.SOLUTION: A focused ion beam device includes a gas field ionization ion source having: an emitter 41 for emitting an ion beam 1; an ion source chamber 40 for housing the emitter 41; a gas supply part 46 for supplying nitrogen to the ion source chamber 40; an extraction electrode 49 for applying an extraction voltage to ionize and extract nitrogen ions; and a temperature control part 34 for cooling the emitter 41.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种聚焦离子束装置，其通过使用气体电离离子源有效地进行精细图案化，对样品的损伤较小。 解决方案：聚焦离子束装置包括气体离子源，其具有：用于发射离子束1的发射极41; 用于容纳发射器41的离子源室40; 用于向离子源室40供给氮的气体供给部46; 用于施加提取电压以离子化并提取氮离子的提取电极49; 以及用于冷却发射器41的温度控制部34.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    Emitter structure, gas ion source, and focused ion beam device
    4.
    发明专利
    Emitter structure, gas ion source, and focused ion beam device 有权
    发射体结构，气体源和聚焦离子束装置

    公开(公告)号：JP2014191872A

    公开(公告)日：2014-10-06

    申请号：JP2013063707

    申请日：2013-03-26

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： YASAKA KOJIN ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

    IPC: H01J27/26

    CPC classification number: H01J27/26 ,  H01J1/15 ,  H01J1/18 ,  H01J3/04 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/06316

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter structure which can enhance the cooling efficiency of an emitter, and can hold the emitter stably with high accuracy for a base member, while reducing the number of components or simplifying the device, and to provide a gas ion source and a focused ion beam device.SOLUTION: An emitter structure includes a pair of electrification pins 65 fixed to a base material 61, a filament 66 connected between the pair of electrification pins 65, and an emitter 52 connected with the filament 66 and having a sharpened tip. A support member 54 is fixed to the base material 61, and the emitter 52 is connected with the support member 54.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以提高发射体的冷却效率的发射极结构，并且可以在降低元件数量或简化器件的同时，以高精度稳定地保持发射极，并且提供气体 离子源和聚焦离子束装置。发射器结构包括固定到基底材料61的一对带电引脚65，连接在一对带电引脚65之间的细丝66和与细丝66连接的发射极52和 有锋利的尖端。 支撑构件54固定到基底材料61，并且发射体52与支撑构件54连接。

    Conversing ion beam apparatus
    5.
    发明专利
    Conversing ion beam apparatus 有权
    对角离子束装置

    公开(公告)号：JP2014186894A

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：JP2013061637

    申请日：2013-03-25

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU

    IPC: H01J37/22 ,  H01J27/26 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/08 ,  H01J37/222 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2803 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable obtaining a broad FIM image at an end of an emitter and perform broad FIM observation.SOLUTION: A conversing ion beam apparatus comprises: a gas electric field ionizing ion source 10; an ion gun portion 11 that accelerates gas ions toward a sample S and irradiates the sample S with the accelerated gas ions as an ion beam 3A; a beam optical system 12 that includes at least a conversing lens electrode 35 and irradiates the sample S with the ion beam 3A while conversing it; and an image acquiring mechanism 14 that acquire FIM images at an end of the emitter 20. The image acquiring mechanism 14 includes: an alignment electrode 32 that adjusts an ion beam irradiation direction; an alignment controller 46 that applies an alignment voltage on the alignment electrode 32; a storage unit 45 that stores the acquired FIM images; and an image processing unit 47 that creates one combined FIM image by mutually combining, among the FIM images stored in the storage unit 45, plural FIM images acquired when different alignment voltages are applied.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了能够在发射器的末端获得广泛的FIM图像并进行广泛的FIM观察。解决方案：交流离子束装置包括：气体电离电离离子源10; 离子枪部分11，其将气体离子加速到样品S，并且将具有加速气体离子的样品S照射为离子束3A; 光束光学系统12，其至少包括转换透镜电极35，并在离开光束3A的同时照射样品S; 以及在发射器20的端部获取FIM图像的图像获取机构14.图像获取机构14包括：调整离子束照射方向的取向电极32; 对准控制器46，其对准电极32上施加取向电压; 存储单元45，其存储所获取的FIM图像; 以及图像处理单元47，其通过在存储在存储单元45中的FIM图像中相互组合来产生一个组合的FIM图像，当施加不同的取向电压时获取的多个FIM图像。

    Method of manufacturing emitter
    6.
    发明专利
    Method of manufacturing emitter 有权
    制造发动机的方法

    公开(公告)号：JP2013200991A

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：JP2012068032

    申请日：2012-03-23

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  AIDA KAZUO ,  ARAMAKI BUNRO ,  KOSAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  YASAKA KOJIN

    IPC: H01J9/02 ,  H01J27/26

    CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J1/15 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/02 ,  H01J9/025 ,  H01J9/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/26 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an emitter that can have a crystal structure at its topmost end put back into the original state with good reproducibility by re-arraying of atoms by treatment, can suppress a rise in lead voltage after retreatment, and can be used for a long period.SOLUTION: There is provided a method of manufacturing an emitter that includes: an electrolytic polishing step S10 of electrolytically polishing a tip portion of an emitter raw material so that the diameter gradually decreases toward the tip; a first etching step S20 of forming a pyramidal pointed portion having a tip as a peak by performing etching processing by irradiating a processed portion of the emitter raw material with a charge particle beam; a second etching step S30 of making the tip more pointed through electric field induction gas etching processing while observing the crystal structure atop of the pointed portion through an electric field ion microscope, and making the number of atoms constituting the topmost end constant or less; and a heating step S40 of heating the emitter raw material to array the atoms constituting the topmost end of the pointed portion in a pyramidal state.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了通过处理将原子重新排列，能够使其最上端的晶体结构具有良好的再现性的发光体，能够抑制再次处理后的铅电压上升，并且可以 提供了一种制造发射体的方法，其包括：电解抛光步骤S10，其对发射体原料的末端部分进行电解抛光，使得直径朝着尖端逐渐减小; 第一蚀刻步骤S20，通过用电荷粒子束照射发射体原料的处理部分进行蚀刻处理，形成具有尖端的金字塔形尖端部分作为峰值; 第二蚀刻步骤S30，通过电场离子显微镜观察尖锐部分顶部的晶体结构，并使构成最顶端的原子数恒定或更小，使尖端更尖锐地通过电场感应气体蚀刻处理; 以及加热步骤S40，其加热发射体原料以排列构成尖状部分的最顶端的原子为锥形状态。

    Focused ion beam apparatus and control method of the same
    8.
    发明专利
    Focused ion beam apparatus and control method of the same 有权
    聚焦离子束装置及其控制方法

    公开(公告)号：JP2014191982A

    公开(公告)日：2014-10-06

    申请号：JP2013066221

    申请日：2013-03-27

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： ARAMAKI BUNRO ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

    IPC: H01J27/26 ,  H01J37/08

    CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/0807

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam apparatus capable of switching ion species in a short period of time without retaining a gas before replacement in an ion source chamber, and to provide a control method of the same.SOLUTION: A control method of a focused ion beam apparatus comprises at least one of a controlling operation of a cooling apparatus 42 to maintain a temperature of a wall contacting a material gas in an ion source chamber 40 higher than a temperature at which the material gas freezes, and a controlling operation of a heater 45 to temporarily heat up an emitter 41.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在短时间内切换离子种类而不在离子源室内更换之前保留气体的聚焦离子束装置，并提供其控制方法。解决方案：控制方法 聚焦离子束装置包括冷却装置42的控制操作中的至少一个，以保持与离子源室40中的材料气体接触的温度高于材料气体冻结的温度的温度，以及控制 操作加热器45以临时加热发射器41。

    Ion beam device
    9.
    发明专利
    Ion beam device 有权
    离子束装置

    公开(公告)号：JP2013200986A

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：JP2012068016

    申请日：2012-03-23

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： ASAHATA TATSUYA ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30

    CPC classification number: H01J37/10 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/04924 ,  H01J2237/216 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/31749

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To smoothly change a beam without generating electric discharge in an ion beam optical system.SOLUTION: An ion beam device includes an ion source 101 discharging an ion beam 9, a condenser lens electrode 102, a storage section 13 storing a set voltage value of a lens corresponding to an irradiation mode, and a control section 16 which reads out the set voltage value appropriately corresponding to the next previous irradiation mode and sets the voltage value to a lens power source.

    Abstract translation: 要解决的问题：在离子束光学系统中平滑地改变光束而不产生放电。解决方案：离子束装置包括离子源101，离子束9，聚光透镜电极102，存储部分13 设置与照射模式相对应的透镜的电压值;以及控制部16，其读取与下一次照射模式适当对应的设定电压值，并将电压值设定为透镜电源。

    複合集束イオンビーム装置
    10.
    发明专利
    複合集束イオンビーム装置 有权
    复合变形离子束装置

    公开(公告)号：JP2015043343A

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：JP2014244016

    申请日：2014-12-02

    Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  NAKAGAWA YOSHITOMO ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/16 ,  H01J27/26 ,  H01J37/20

    CPC classification number: H01J37/08 ,  G01N1/04 ,  G01N1/06 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31745

    Abstract: 【課題】シリコンウェハ等の試料を汚染することなく迅速に加工することができ、高分解能の観察や微細な加工が可能な複合集束イオンビーム装置それを用いた加工観察方法、加工方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1のイオンを発生させるプラズマ型ガスイオン源を備えた第1のイオンビーム照射系10と、第2のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第2のイオンビーム照射系20と、を有し、第2のイオンビーム照射系20から射出される第2のイオンビーム20Aのビーム径は、第1のイオンビーム照射系10から射出される第1のイオンビーム10Aのビーム径よりも小さい。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种复合收敛离子束装置，其中可以迅速地进行处理而不污染诸如硅晶片的样品，并且可以进行高分辨率观察或精确加工，加工观察方法和采用 复合会聚离子束装置。解决方案：复合收敛离子束装置包括第一离子束辐射系统10，其包括用于产生第一离子的等离子体型气体离子源; 以及包括用于产生第二离子的气体场离子源的第二离子束辐射系统20。 从第二离子束辐射系统20发射的第二离子束20A的光束直径小于从第一离子束辐射系统10发射的第一离子束10A的光束直径。

Patent Agency Ranking