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公开(公告)号：JPWO2021095413A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020038477
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , C01B33/18 , H01L21/304
Abstract: タングステンやコバルト等の導電体金属を含む半導体基板を高速かつ平坦に研磨することができるとともに、研磨後の表面欠陥を低減できる化学機械研磨組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、(B)水酸基及びエーテル基を有する化合物と、を含有する。 −COO − M + ・・・・・(1) (M + は1価の陽イオンを表す。)
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公开(公告)号：JP2018177974A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017079692
申请日：2017-04-13
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/22 , C11D7/26 , C11D7/10
Abstract: 【課題】被処理体を加工等処理するために固定層を介して被処理体を支持体に固定する方法において、被処理体から支持体を剥離した後の被処理体の表面(固定面)の固定層由来の残渣等の汚染を効果的に除去できる洗浄用組成物、およびそれを用いた被処理体の処理方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る洗浄用組成物は、カリウムおよびナトリウムを含有し、被処理体の支持体から剥離した面を洗浄するための洗浄用組成物であって、前記カリウムの含有量をM K (ppm)、前記ナトリウムの含有量をM Na (ppm)としたときに、M K /M Na =5×10 3 〜1×10 5 であることを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2021095412A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2020038474
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , C01B33/18 , H01L21/304
Abstract: タングステンやコバルト等の導電体金属を含む半導体基板を高速かつ平坦に研磨することができるとともに、研磨後の表面欠陥を低減できる化学機械研磨組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、(B)不飽和結合を有するカルボン酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、を含有する。 −COO − M + ・・・・・(1) (M + は1価の陽イオンを表す。)
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公开(公告)号：JPWO2021095414A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020038480
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
Abstract: タングステンやコバルト等の導電体金属を含む半導体基板を高速かつ平坦に研磨することができるとともに、研磨後の表面欠陥を低減できる化学機械研磨組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、(B)シラン化合物と、を含有する。 −COO − M + ・・・・・(1) (M + は1価の陽イオンを表す。)
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公开(公告)号：JP2017204518A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：JP2016094396
申请日：2016-05-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: C11D7/26 , C11D7/22 , C11D7/04 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 【課題】被研磨体の金属配線等に与えるダメージを抑制し、被研磨体の表面より汚染を効果的に除去できる半導体洗浄用組成物、およびそれを用いた洗浄方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る半導体洗浄用組成物は、カリウムおよびナトリウムを含有する半導体洗浄用組成物であって、前記カリウムの含有量をM K (ppm)、前記ナトリウムの含有量をM Na (ppm)としたときに、M K /M Na =5×10 3 〜1×10 5 であることを特徴とする。 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018182069A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017079693
申请日：2017-04-13
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 【課題】被処理体を加工等処理するために固定層を介して被処理体を支持体に固定する方法において、被処理体から支持体を剥離した後の被処理体の表面(固定面)の固定層由来の残渣等の汚染を効果的に除去できる洗浄用組成物、およびそれを用いた被処理体の処理方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る洗浄用組成物は、被処理体の支持体から剥離した面を洗浄するための濃縮された洗浄用組成物であって、粒子径が0.1〜0.3μmの粒子を3×10 1 〜1.5×10 3 個/mL含有することを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018177975A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017079694
申请日：2017-04-13
Applicant: JSR株式会社
IPC: C11D7/22 , H01L21/304 , C11D7/32
Abstract: 【課題】被処理体から支持体を剥離した後の被処理体の表面の固定層由来の残渣等の汚染を効果的に除去できる洗浄用組成物、処理方法の提供。 【解決手段】被処理体の支持体から剥離した面を洗浄するための洗浄用組成物であって、カリウムと、ナトリウムと、式(1)で表される化合物Aとを含有し、前記カリウムの含有量をM K (ppm)、前記ナトリウムの含有量をM Na (ppm)としたときに、M K /M Na =1×10 −1 〜1×10 4 である洗浄用組成物。 (R 1 〜R 4 は各々独立にH又は有機基;M − はアニオン)好ましくは、被処理体の支持体から剥離した面を洗浄するために、1〜500倍に希釈して使用する、洗浄用組成物。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016171294A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015100014
申请日：2015-05-15
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/37 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/3409 , C11D3/36 , C11D3/361 , C11D3/3707 , C11D3/3757 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D1/146
Abstract: 【課題】配線基板に用いられる配線材料およびバリアメタル材料の腐食や欠陥の発生を同時に抑制すると共に、配線基板上の金属酸化膜や有機残渣を効率的に除去することができる洗浄用組成物、およびそれを用いた洗浄方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る洗浄用組成物は、(A)炭素数8〜20の炭化水素基を有する脂肪酸、炭素数3〜20の炭化水素基を有するホスホン酸、炭素数3〜20の炭化水素基を有する硫酸エステル、炭素数3〜20の炭化水素基を有するアルケニルコハク酸、及びこれらの塩よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物、(B)有機酸、(C)水溶性アミン、(D)水溶性重合体、および水系媒体を含み、pHが9以上であることを特徴とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以同时抑制布线材料和用于布线板的阻挡金属材料的腐蚀的缺陷组合物，以及缺陷的发生，并有效地除去金属氧化物膜和有机残留物 线路板以及利用该清洗组合物的清洗方法。本发明的清洗组合物含有（A）至少一种选自脂肪酸的化合物，所述脂肪酸包括具有8-20个碳原子的烃基 原子，包括具有3-20个碳原子的烃基的膦酸，包含具有3-20个碳原子的烃基的硫酸酯，包含具有3-20个碳原子的烃基的烯基琥珀酸，以及盐 ，（B）有机酸，（C）水溶性胺，（D）水溶性聚合物和水性介质，所述清洗组合物的pH为9以上。 ： 图1
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公开(公告)号：JP6892035B1
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：JP2021502915
申请日：2020-10-12
Applicant: JSR株式会社
Abstract: タングステンやコバルト等の導電体金属を含む半導体基板を高速かつ平坦に研磨することができるとともに、研磨後の表面欠陥を低減できる化学機械研磨組成物、及び化学機械研磨方法を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、(B)シラン化合物と、を含有する。 −COO − M + ・・・・・(1) (M + は1価の陽イオンを表す。)
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公开(公告)号：JPWO2016158648A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017509859
申请日：2016-03-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 本発明に係る化学機械研磨用処理組成物は、(A)水溶性アミン、(B)芳香族炭化水素基を有する繰り返し単位を有する水溶性重合体、および水系媒体を含み、好ましくは(C)芳香族炭化水素基を有する有機酸を含有し、pHが9以上であることを特徴とする。
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