公开(公告)号：KR102224907B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020180044429A

申请日：2018-04-17

申请人： 엘티씨 (주)

发明人： 최호성 ,  김규상 ,  배종일 ,  이종순 ,  하상구 ,  양윤모

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00

CPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  C11D11/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D7/5004

摘要： 본 발명은 미세회로를 형성하는 PCB 제조용, 특히 다층 연성 PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board) 제조 공정에 적용 가능한 드라이필름 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

公开(公告)号：JP6414072B2

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：JP2015546707

申请日：2014-11-07

申请人： 富士フイルム和光純薬株式会社

发明人： 梶川 敬之 ,  林 浩平 ,  水田 浩徳 ,  綿引 勉

IPC分类号： C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/53238

公开(公告)号：JP6396583B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2017513787

申请日：2015-09-10

申请人： ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー

发明人： ブライアン、ジョセフ、ローナン ,  フランク、フルスコッター ,  ステファノ、シアーラ ,  ソフィア、ローザ、エーベルト ,  ビョルン、ルドルフ ,  クリスチャン、アイダムスハウス

IPC分类号： C11D3/386 ,  C11D3/30 ,  C11D3/37 ,  C11D1/44

CPC分类号： C11D3/3707 ,  C11D1/02 ,  C11D1/38 ,  C11D1/66 ,  C11D1/88 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/3723 ,  C11D3/386 ,  C11D3/38618 ,  C11D3/38627 ,  C11D3/38636 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0017 ,  D06L1/00 ,  D06L1/02

公开(公告)号：JP6191372B2

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：JP2013209535

申请日：2013-10-04

申请人： セントラル硝子株式会社

发明人： 斎藤 真規 ,  齋尾 崇 ,  公文 創一 ,  荒田 忍

IPC分类号： C07C211/07 ,  C07F9/38 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02068 ,  B08B3/08 ,  C07F9/3808 ,  C11D11/0047 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218

公开(公告)号：JPWO2014168166A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015511275

申请日：2014-04-09

申请人： 和光純薬工業株式会社

发明人： 水田　浩徳 ,  浩徳 水田 ,  勉 綿引 ,  勉 綿引 ,  典明 前沢 ,  典明 前沢

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D7/32

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  H01L21/02074

摘要： 本発明は、半導体素子の製造プロセスの化学機械研磨(CMP)後洗浄工程における、(A)含窒素複素環を有するカルボン酸および(B)アルキルヒドロキシルアミンを含有し、pHが10以上の水溶液を含んでなることを特徴とする、金属配線を有する基板用洗浄剤、ならびに当該洗浄剤を用いることを特徴とする、半導体基板の洗浄方法に関する。

摘要翻译： 本发明中，在化学机械抛光（CMP）含有羧酸和（B）具有含氮杂环的烷基羟胺，pH为10以上的水性溶液中的半导体器件中，（A）的制造过程中的洗涤步骤之后 包括，其特征在于它具有洗涤剂衬底的金属布线，并且其特征在于通过使用清洗剂，一种用于清洗半导体衬底。

公开(公告)号：JP2017502491A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2016521999

申请日：2014-11-14

申请人： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド

发明人： クイ フア ,  クイ フア

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23F1/26 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： 半導体基板であって、その上にTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或いはTi又はWの合金のエッチングマスクを有する低k材料を含む半導体基板から、前記低k材料に対してTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或いはTi又はWの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去するための、2〜14の範囲のpHを有する水性除去組成物及び方法であって、除去組成物は少なくとも1つの酸化剤と、カルボン酸化合物とを含む、水性除去組成物及び方法。

摘要翻译： 一种半导体衬底，在其上的氮化钛，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，或半导体基板，其包括具有所述合金的Ti或W，氮化钛的蚀刻掩模相对于所述低k材料的低k材料，氮化钽， 包含TiNxOy，TIW，W，或Ti或W合金以选择性地去除蚀刻掩模基本上由，水性去除组合物和方法的pH为2至14，去除组合物 至少一种氧化剂，和羧酸化合物，水性去除组合物和方法。

公开(公告)号：JP2016536785A

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：JP2016522060

申请日：2014-10-09

申请人： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド

发明人： ツイ ホワ ,  ツイ ホワ

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/304

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  C23F1/40 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： 本開示は、半導体基板から、低k誘電材料に対してTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、並びにTi及びWの合金から基本的になるハードマスクを選択的に除去するための除去組成物に関する。半導体基板は、その上にTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、或いはTi又はWの合金のハードマスクを有する低k誘電材料を含む。除去組成物は、0.1重量%〜90重量%の酸化剤と、0.0001重量%〜50重量%のカルボン酸と、脱イオン水を含む除去組成物の100重量%までの残部とを含む。

摘要翻译： 本发明中，半导体衬底，氮化钛对低k介电材料，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，Ti和用于去除硬掩模选择性地去除组合物基本上由钛钨合金的 对事物。 所述半导体衬底包括在其的TiN，TaN的，包含TiNxOy，TIW，W，Ti或具有Ti或W的合金的硬掩模的低k介电材料 除去组合物包含0.1重量％至氧化剂的90重量％，0.0001重量％至50重量％和羧酸，以及余量的最多包含去离子水的去除组合物的100重量％。

公开(公告)号：JP2016148834A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：JP2015248477

申请日：2015-12-21

申请人： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED

发明人： ラジフ クリスハン アガーウォル ,  マーク リチャード ブラウン ,  アイピン ウー ,  デイビッド バリー レニー ,  リ イ−チア ,  ジーン エバード パーリス

IPC分类号： C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/38 ,  H01L21/304 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  C11D11/0047 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/423 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02334

摘要： 【課題】フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離用及び洗浄用組成物、その組成物を製造する方法、及びその組成物を用いる方法を提供する。 【解決手段】水、1又は複数のアルカリ化合物、1又は複数の腐食阻害剤、及び1又は複数の抗酸化剤の1又は複数の酸化生成物を含む、フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離用及び洗浄用組成物、その組成物を製造する方法、及びその組成物を用いる方法が提供される。 【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供光致抗蚀剂或半导体制造残渣剥离和清洁组合物，制备组合物的方法以及使用该组合物的方法。溶液：提供包含水的光致抗蚀剂或半导体制造残渣剥离和清洁组合物 ，一种或多种碱性化合物，一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种一种或多种抗氧化剂的氧化产物。 还提供了制备组合物的方法和使用该组合物的方法。选择图：无

公开(公告)号：JP2016500159A

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：JP2015543032

申请日：2013-04-24

申请人： ダイナロイ,リミティド ライアビリティ カンパニー ,  ダイナロイ,リミティド ライアビリティ カンパニー

发明人： ダルトン ピーターズ リチャード ,  ダルトン ピーターズ リチャード ,  アクラ トラビス ,  アクラ トラビス ,  カオ ユアンメイ ,  カオ ユアンメイ ,  エリック ホッシュステトラー スペンサー ,  エリック ホッシュステトラー スペンサー ,  トッド フェニス マイケル ,  トッド フェニス マイケル ,  ドナ ポラード キンバリー ,  ドナ ポラード キンバリー

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304

CPC分类号： G03F7/422 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

摘要： 基板、例えばフォトレジストウエハーから有機および有機金属物質を除去するために有用である組成物が記載されている。無機基板に対しコーティングとして最小体積の組成物を塗布し、これにより充分な熱が加えられ、有機または有機金属物質が洗い流しにより完全に除去されることになる方法が提示されている。組成物および方法は、ポジ型およびネガ型のフォトレジスト、そして厳密にはネガ型ドライフィルムフォトレジストを電子デバイスから除去し、一部の場合においては完全に溶解させるために好適であることができる。

摘要翻译： 衬底，例如，是有用的用于去除光致抗蚀剂的晶片有机和有机金属材料的组合物进行说明。 该组合物的最小体积是作为涂层施加到无机基底，从而足够的热量被施加，这将通过洗涤有机或有机金属材料被完全去除被提出的方法。 组合物和方法可以是正性作用和负性作用光刻胶，并严格负型干膜光致抗蚀剂被从电子装置中取出时，优选在某些情况下完全溶解 。

公开(公告)号：JP2015143859A

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：JP2015011054

申请日：2015-01-23

申请人： ダイナロイ・エルエルシー

发明人： ポラード,キンバリー・ドナ ,  アトキンソン,ジョン・エム ,  チャン,レイモンド ,  フェニス,マイケル・ティー ,  レクター,アリソン・シー ,  プフェッシャー,ドナルド

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  C11D11/0047 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/36 ,  C11D7/5004 ,  H01L21/02071 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  Y10T428/24802

摘要： 【課題】エッチングレジスト灰化プロセスに代わる剥離プロセスにおいて用いることができる配線工程(BEOL)の剥離剤溶液において、良好な効率性及び低く許容できる金属エッチング速度で、半導体集積回路のための半導体デバイス上に回路を製造及び/又は電極を形成するのに有用な剥離剤溶液の提供。 【解決手段】極性で非プロトン性の溶媒、水、アミン、及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない第4級水酸化物を含む剥離剤溶液。 【選択図】図4

摘要翻译： 要解决的问题：提供可用于替代蚀刻抗蚀剂灰化过程的剥离过程中的后端（BEOL）剥离溶液; 以及用于在半导体集成电路的半导体器件上制造电路和/或形成电极的剥离溶液，其具有良好的效率和低且可接受的金属蚀刻速率。解决方案：剥离溶液含有极性非质子溶剂，水，胺和四氢化氢 那不是四甲基氢氧化铵。