公开(公告)号：JP6443436B2

公开(公告)日：2018-12-26

申请号：JP2016504992

申请日：2014-10-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 工藤 和生 ,  安田 博幸 ,  山村 哲也 ,  勝井 宏充 ,  宮迫 毅明

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G03F7/023 ,  G03F7/032 ,  G03F7/037 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  H05B33/22

公开(公告)号：JP2017110217A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2016240665

申请日：2016-12-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 宮迫 毅明 ,  野々山 桂生 ,  勝井 宏充 ,  藤岡 昌泰 ,  濱田 謙一

IPC: C08J7/00 ,  H01L23/14 ,  H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  C08J5/00

Abstract: 【課題】本発明は、伸縮性に優れ、かつ素子を配設し易く、生体センサー等の各種部品の製造用に好適に用いることができる基板の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、高分子材料を主成分とし、ヤング率の異なる複数の部位を備えるシートであって、上記複数の部位のヤング率の相違が、上記部位毎の架橋度の相違に由来することを特徴とする。上記高分子材料がエラストマー材料であるとよい。上記高分子材料が、ポリブタジエンユニット及びポリイソプレンユニットのうち少なくとも1種を有するとよい。上記複数の部位の境界領域においてヤング率が連続的に変化しているとよい。上記複数の部位の境界領域においてヤング率が面方向に連続的に変化しているとよい。当該シートは、上記複数の部位として、ヤング率が0.5MPa以上である部位(A)と、ヤング率が0.5MPa未満である部位(B)とを備えるとよい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2018079601A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：JP2017038508

申请日：2017-10-25

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 藤岡 昌泰 ,  宮迫 毅明 ,  濱田 謙一 ,  林 泰斗

IPC: A61B5/00 ,  G16H20/30 ,  A63B69/00

Abstract: 運動支援装置は、生体情報取得ユニットと、記憶ユニットと、運動メニュー設定ユニットと、運動メニュー提示ユニットと、を備える。生体情報取得ユニットは、生体からの分泌物に含まれる被測定物質を測定する生体センサから、前記生体センサの測定結果を表す生体情報を取得する。記憶ユニットは、前記生体情報を記憶する。運動メニュー設定ユニットは、前記記憶ユニットに記憶された前記生体情報に基づき運動メニューを設定する。運動メニュー提示ユニットは、前記運動メニュー設定ユニットが設定した前記運動メニューを提示する。

公开(公告)号：JP2016103531A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：JP2014240132

申请日：2014-11-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 宮迫 毅明 ,  濱田 謙一 ,  石川 暁 ,  勝井 宏充

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  C08G79/00 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】環境因子への耐性又は高度な信頼性を備えた、酸化物半導体をチャネルとする薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極20と、絶縁膜60と、酸化物半導体を主成分とするチャネル40と、ソース電極52と、ドレイン電極54とを有している。加えて、絶縁膜60は、酸化物半導体に含まれる第1元素の酸化還元電位よりも低い酸化還元電位を持つ1つ又は2つ以上の第2元素62を有する化合物を含み、かつ絶縁膜60が、チャネル40に接する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供耐环境因素和高可靠性的薄膜晶体管，并且使用氧化物半导体作为沟道。解决方案：薄膜晶体管100包括栅电极20，绝缘膜60， 具有氧化物半导体作为主要成分的通道40，源电极52和漏电极54.绝缘膜60包括具有比氧化还原电位低的氧化还原电位低的氧化还原电位的具有一个或多于两个第二元素62的化合物 包含在氧化物半导体中的第一元件和绝缘膜60与沟道40接触。选择的图示：图1

公开(公告)号：JP2016018691A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：JP2014141211

申请日：2014-07-09

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 勝井 宏充 ,  宮迫 毅明 ,  工藤 和生

IPC: G03F7/012 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

Abstract: 【課題】本発明は、輝度均一性等の素子の特性、素子の寿命および歩留りの点で優れた表示装置又は照明装置、特に有機EL装置を提供することを課題とする。 【解決手段】基板と、基板上に設けられた第1電極と、第1電極を部分的に露出させるように基板および第1電極上に形成された絶縁層と、第1電極に対向して設けられた第2電極とを有する表示又は照明装置であり、絶縁層が、基板および第1電極上に形成された下層部と、下層部上に形成された上層部とを有しており、下層部は、n−テトラデカンに対する接触角が40°以下であり、絶縁層を断面形状で見た場合に、基板平面に対する下層部の勾配が5°以上50°未満であり、最大膜厚が0.2〜4μmであり、上層部は、n−テトラデカンに対する接触角が40°を超え、絶縁層を断面形状で見た場合に、基板平面に対する上層部の勾配が50°〜85°であり、最大膜厚が0.8〜5μmであり、下層部の最大膜厚1と上層部の最大膜厚2とが、最大膜厚2≧最大膜厚1を満たすことを特徴とする表示または照明装置。 【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供显示装置或照明装置，特别是提高元件特性如亮度均匀性，元件寿命和产量的有机EL器件。解决方案：显示器或照明装置包括：基板; 设置在基板上的第一电极; 绝缘层，其以所述第一电极部分地露出的方式形成在所述基板和所述第一电极上; 以及与第一电极相对设置的第二电极。 绝缘层包括：形成在基板和第一电极上的下层部分; 以及形成在下层部上的上层部。 下层部分与正十四烷的接触角为40°以下。 当绝缘层以横截面形状观察时，下层部分相对于基板平面的梯度为5°以上且小于50°，最大厚度为0.2〜4μm。 上层部分与正十四烷的接触角超过40°。 当绝缘层以横截面形状观察时，上层部分相对于基板平面的梯度为50°至85°，最大厚度为0.8至5μm。 下层部分的最大厚度1和上层部分的最大厚度2满足最大厚度2≥最大厚度1的条件。选择图：图3