液晶表示装置
    1.
    发明专利
    液晶表示装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2017072744A

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:JP2015200040

    申请日:2015-10-08

    Abstract: 【課題】縦電界及び横電界を用いた液晶配向モードを有する液晶表示装置において、消費電力を低減すること。 【解決手段】液晶表示装置は、第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた液晶層と、を備え、前記液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶分子を含み、前記第1基板は、第1電極と、複数のスリットを有する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた第1絶縁層と、を有し、前記第2基板は、第3電極と、前記第3電極と前記液晶層との間に設けられた第2絶縁層と、を有し、前記第2絶縁層は、誘電率が5.0以下、かつ、膜厚が2.5μm以上であり、波長400nmにおける光線透過率が90%以上である感放射線性樹脂組成物で構成される絶縁層と垂直配向膜との積層体であることを特徴とする。 【選択図】図3

    感放射線性組成物、重合体及びパターン形成方法

    公开(公告)号:JP2020201389A

    公开(公告)日:2020-12-17

    申请号:JP2019108261

    申请日:2019-06-10

    Abstract: 【課題】高膜厚の隔壁等を形成可能な新たなパターン形成方法、並びにこのようなパターン形成方法に好ましく使用できる感放射性組成物及び重合体を提供する。 【解決手段】本発明は、下記式(1)で表される構造単位とフッ素原子を含む基を有する構造単位とを含む重合体、酸発生剤、及び溶剤を含有する感放射線性組成物である。式(1)中、Xは、単結合、−COO−、又は−CONH−である。R 1 は、単結合又は炭素数1から6のアルカンジイル基である。R 2 は、炭素数1から4のアルキル基である。R 3 は、水素原子又はメチル基である。nは、1から4の整数である。nが2以上の場合、複数のR 2 は、それぞれ独立して上記定義を満たす。 【選択図】図1A

    硬化性組成物、及び硬化膜の形成方法

    公开(公告)号:JP2021176919A

    公开(公告)日:2021-11-11

    申请号:JP2018131844

    申请日:2018-07-11

    Abstract: 【課題】本発明によれば、高精度な積層配線等を形成するのに優れた硬化性組成物、及び高精度な積層配線等の硬化膜を容易に形成する形成方法を提供することができる。 【解決手段】(A)同一又は異なる重合体中に、下記式(1)で表される基を有する構造単位、アルコキシシリル基を有する構造単位、および環状エーテル基を有する構造単位を含む重合体成分、 (式(1)中、R 1 およびR 2 はそれぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子であり、nは1〜10の整数である。nが2以上である場合、複数のR 1 は同一でも異なっていてもよく、複数のR 2 は同一でも異なっていてもよい。*は結合部位を表す。)(B)酸発生剤、(C)溶剤、を含有する硬化性組成物。 【選択図】図3

    パターン形成方法および感放射線性組成物

    公开(公告)号:JP2020076825A

    公开(公告)日:2020-05-21

    申请号:JP2018208887

    申请日:2018-11-06

    Abstract: 【課題】 本発明は、高厚膜の隔壁等を形成するための新たな方法を提供することを目的とし、さらにはその方法に好ましく使用される感放射性組成物を提供することを目的する。 【解決手段】 本発明の目的は、少なくとも、(1)感放射線性組成物を基板上に塗布し塗膜を形成する工程、(2)前記塗膜に放射線を照射し硬化することで塗膜1を形成する工程、(3)前記塗膜1に(2)工程とは異なる波長の放射線を照射し、塗膜1の所定部分に凹部を形成する工程、(4)前記凹部に、硬化性組成物を塗布し塗膜2を形成する工程、(5)前記塗膜1の前記所定部分以外の残部を除去する工程、を備えるパターン形成方法、によって達成された。 【選択図】図1

    薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに絶縁膜
    9.
    发明专利
    薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに絶縁膜 审中-公开
    薄膜晶体管,制造方法及其绝缘膜

    公开(公告)号:JP2016103531A

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:JP2014240132

    申请日:2014-11-27

    Abstract: 【課題】環境因子への耐性又は高度な信頼性を備えた、酸化物半導体をチャネルとする薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極20と、絶縁膜60と、酸化物半導体を主成分とするチャネル40と、ソース電極52と、ドレイン電極54とを有している。加えて、絶縁膜60は、酸化物半導体に含まれる第1元素の酸化還元電位よりも低い酸化還元電位を持つ1つ又は2つ以上の第2元素62を有する化合物を含み、かつ絶縁膜60が、チャネル40に接する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供耐环境因素和高可靠性的薄膜晶体管,并且使用氧化物半导体作为沟道。解决方案:薄膜晶体管100包括栅电极20,绝缘膜60, 具有氧化物半导体作为主要成分的通道40,源电极52和漏电极54.绝缘膜60包括具有比氧化还原电位低的氧化还原电位低的氧化还原电位的具有一个或多于两个第二元素62的化合物 包含在氧化物半导体中的第一元件和绝缘膜60与沟道40接触。选择的图示:图1

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