公开(公告)号：KR20210034601A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020217002855A

申请日：2019-08-01

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 가즈요시 이노우에 ,  마사토시 시바타 ,  에미 가와시마 ,  겐이치 사사키 ,  아츠시 야오

IPC分类号： C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/72 ,  C04B2235/3286

摘要： 하기 조성식 (2) 로 나타내고, 하기 (A) ∼ (K) 에 규정하는 X 선 (Cu-Kα 선) 회절 측정에 의해 관측되는 입사각 (2θ) 의 범위에서 회절 피크를 갖는 결정 구조 화합물 A.
(In
x Ga
y Al
z )
2 O
3 ····(2)
(식 (2) 중, 0.47 ≤ x ≤ 0.53, 0.17 ≤ y ≤ 0.43, 0.07 ≤ z ≤ 0.33, x ＋ y ＋ z = 1 이다.)
31°∼ 34°···(A), 36°∼ 39°···(B), 30°∼ 32°···(C), 51°∼ 53°···(D), 53°∼ 56°···(E), 62°∼ 66°···(F), 9°∼ 11°···(G), 19°∼ 21°···(H), 42°∼ 45°···(I), 8°∼ 10°···(J), 17°∼ 19°···(K)

公开(公告)号：JP2018536556A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2018518446

申请日：2016-10-07

申请人： パーティクル3ディー アプス ,  Particle3D ApS

发明人： アンデルセン,モアテン ウスタゴール ,  イェンセン,マルティン ボンデ ,  スロッツ,カスパー

IPC分类号： B33Y10/00 ,  B29C64/106 ,  B33Y40/00 ,  B29C64/314 ,  B29C64/379 ,  B22F3/16 ,  B22F3/105 ,  B28B3/20 ,  B28B1/30

CPC分类号： C09D11/037 ,  A61C13/00 ,  A61C13/0013 ,  B22F1/0074 ,  B22F3/008 ,  B22F3/1055 ,  B28B1/001 ,  B29C64/106 ,  B29C64/153 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/00 ,  B33Y70/00 ,  C04B28/006 ,  C04B28/04 ,  C04B28/34 ,  C04B33/04 ,  C04B35/01 ,  C04B35/08 ,  C04B35/111 ,  C04B35/14 ,  C04B35/16 ,  C04B35/447 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/46 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/5152 ,  C04B35/553 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58007 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58028 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/583 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/636 ,  C04B2111/00129 ,  C04B2111/00181 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/95 ,  C09D11/033 ,  C09D11/32 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  C09D11/52 ,  Y02P10/295 ,  Y02P40/165 ,  C04B24/085 ,  C04B22/064

摘要： 本発明は、少なくとも1つの金属材料および/またはセラミック材料および/またはポリマー材料および/または固形の炭素含有材料を、懸濁液の全重量の50〜95重量%(w/w)含み、かつ1以上の脂肪酸またはその誘導体を、懸濁液の全重量の少なくとも5重量%含む懸濁液に関する。また、本発明は、このような懸濁液の、3D印刷方法における使用に関する。

公开(公告)号：JP6437075B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2017201461

申请日：2017-10-18

申请人： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ,  KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

发明人： ロンダ コルネリス レインダー ,  ブーレカンプ ヤコブス ジェラルダス ,  スプアー サンドラ ヨハンナ マリア パウラ ,  バン ドンゲン アン‐マリエ アンドレ ,  ウィチョレク ハーフリート カール ,  ケウラー ウィルヘルムス コーネリス

IPC分类号： G01T1/161 ,  G01T1/202 ,  C09K11/00 ,  C09K11/80 ,  G01T1/20

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C04B35/01 ,  C04B35/44 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/764 ,  G01T1/2006 ,  G01T1/2023 ,  G01T1/2985

公开(公告)号：JP2018193290A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018002051

申请日：2018-01-10

申请人： 株式会社コベルコ科研

发明人： 西山 功兵 ,  田尾 幸樹

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  C04B35/01

CPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/34

摘要： 【課題】Gaが多量に添加されたIn−Ga−Zn−Sn系酸化物焼結体においても、ボンディング時の割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および当該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】金属元素がIn、Ga、Zn及びSnから構成され、Ga 2 In 6 Sn 2 O 16 、ZnGa 2 O 4 およびInGaZnO 4 を含む酸化物焼結体であって、酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、In、Ga、Zn及びSnの含有量の割合(原子%)を、それぞれ[In]、[Ga]、[Zn]及び[Sn]としたとき、下記式(1)〜(3)を満足することを特徴とする酸化物焼結体。[Ga]≧37原子%・・・(1)、[Sn]≦15原子%・・・(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7・・・(3) 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6430427B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2016053865

申请日：2016-03-17

申请人： JX金属株式会社

发明人： 遠藤 瑶輔 ,  佐藤 和幸 ,  鈴木 了

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01M4/525 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  C04B35/01

CPC分类号： H01J37/3426 ,  B28B3/02 ,  B28B11/243 ,  C01G51/42 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3435 ,  H01M4/0426

公开(公告)号：JP6428780B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2016542516

申请日：2015-06-18

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 宮永 美紀 ,  綿谷 研一 ,  曽我部 浩一 ,  粟田 英章

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  C04B35/01

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP6412549B2

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：JP2016252917

申请日：2016-12-27

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  丸山 哲紀

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  C04B35/01 ,  H01L21/336

CPC分类号： C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/94 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02

公开(公告)号：JP6396889B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2015506820

申请日：2014-03-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 泉 有仁枝 ,  小林 義政 ,  森本 健司 ,  川崎 真司

IPC分类号： C04B37/02

CPC分类号： C04B37/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/28 ,  B23K35/32 ,  B23K35/325 ,  B23K2103/02 ,  B23K2103/08 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/14 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/26 ,  B23K2103/52 ,  B32B3/12 ,  B32B7/04 ,  B32B9/005 ,  B32B15/04 ,  B32B2305/024 ,  C04B35/01 ,  C04B35/111 ,  C04B35/12 ,  C04B35/26 ,  C04B35/45 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B37/003 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/023 ,  C04B37/025 ,  C04B38/0016 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/61 ,  C04B38/0074

公开(公告)号：JP6365294B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2014260010

申请日：2014-12-24

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 藤井 順 ,  桜井 英章 ,  曽山 信幸

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  C09D1/00 ,  C01G53/00

CPC分类号： B05D3/0209 ,  B05D3/0218 ,  B05D3/0413 ,  B05D5/00 ,  C01G53/70 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319

公开(公告)号：JP2018021254A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017132400

申请日：2017-07-06

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  中島 基 ,  馬場 晴之

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B28B1/008 ,  B28B11/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/02 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 【課題】新規な金属酸化物、または新規なスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】導電性材料と、絶縁性材料と、を有するスパッタリングターゲットであって、絶縁性材料は、元素M1(元素M1は、Al、Ga、Si、Mg、Zr、Be、及びBから選ばれる一種または複数種)を含む酸化物、窒化物または酸窒化物を有し、導電性材料は、インジウムおよび亜鉛を含む酸化物、窒化物または酸窒化物を有し、導電性材料と、絶縁性材料とは、互いに分離している、スパッタリングターゲットを用いて金属酸化物膜を成膜する。 【選択図】図1