公开(公告)号：JPWO2015137193A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016507466

申请日：2015-03-03

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 恭志 中川 ,  恭志 中川 ,  齊藤　隆一 ,  隆一 齊藤 ,  俊輔 栗田 ,  俊輔 栗田 ,  酒井　達也 ,  達也 酒井

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: パターンウエハへの埋め込み性に優れ、膜応力の低減化を実現し得る半導体デバイス製造用組成物を提供すること。有機溶媒[I]中において、金属化合物と、過酸化水素と、を混合することにより得られる生成物と、有機溶媒[II]と、を含有する半導体デバイス製造用組成物を提供する。本発明に係る半導体デバイス製造用組成物は、パターンウエハへの埋め込み性に優れ、更に、多層レジストプロセスによるパターン形成において、膜応力の低減化をも可能する。

公开(公告)号：JPWO2014156374A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 恭志 中川 ,  恭志 中川 ,  酒井　達也 ,  達也 酒井 ,  俊輔 栗田 ,  俊輔 栗田 ,  慧 出井 ,  慧 出井 ,  和憲 高梨 ,  和憲 高梨 ,  嘉夫 滝本 ,  嘉夫 滝本 ,  元成　正之 ,  正之 元成

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325

Abstract: 本発明は、複数の金属原子と、架橋配位子と、ヒドロキシ酸エステル、β−ジケトン、β−ケトエステル及びβ−ジカルボン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物に由来する配位子(b)とを有し、上記架橋配位子が、式(1)で表される化合物に由来する架橋配位子(a)を含み、上記架橋配位子(a)の架橋配位子全体に対する含有率が50モル%以上である錯体を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。式(1)中、R1は、n価の有機基である。Xは、−OH、−COOH、−NCO又は−NHR2である。nは、2〜4の整数である。

Abstract translation: 本发明包括多个金属原子的，和桥连配体，羟基酸酯，β-二酮，由至少一种化合物衍生的配体选自β-酮酯和β-二羧酸酯组成的组中 （b）和所说的桥连配体包括从由下式表示的化合物的桥连配体（1）（a）中，桥接桥连配体的配体（a）中 内容整个为多层无机膜形成组合物含有抗蚀剂过程复杂是至少50摩尔％。 其中（1）中，R 1为n价有机基团。 X是-OH，-COOH，一个-NCO或-NHR2。 n为2〜4的整数。

公开(公告)号：JPWO2015012177A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015528248

申请日：2014-07-16

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 俊輔 栗田 ,  徹 木村 ,  嘉夫 滝本 ,  和憲 高梨

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/32 ,  C09K13/00 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31122

Abstract: 本発明は、基板の上面側に無機膜を形成する工程、上記無機膜の上面側にレジストパターンを形成する工程、及び上記レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより、基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、上記無機膜を、ポリ酸又はその塩、及び溶媒を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物により形成することを特徴とする。上記レジストパターン形成工程が、レジスト組成物で上記無機膜の上面側にレジスト膜を形成する工程、上記レジスト膜を露光する工程、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程を含むとよい。

Abstract translation: 本发明包括在所述衬底的上表面上形成的无机膜，以形成在所述无机膜的上表面侧上的抗蚀剂图案的步骤，以及通过干法蚀刻一个或多个与的掩模更多次的抗蚀剂图案，在基板上的图案 的图案形成方法，包括形成所述无机膜，聚酸或其盐，并由此形成一个多层的抗蚀剂含有溶剂处理无机膜形成组合物。 抗蚀剂图案形成步骤中，在具有抗蚀剂组合物中的无机膜的上表面侧上形成的抗蚀剂膜的步骤，曝光抗蚀剂膜，并且可以包括显影曝光的抗蚀剂膜的工序。

公开(公告)号：JPWO2015037398A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015536505

申请日：2014-08-18

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 恭志 中川 ,  隆一 齊藤 ,  賢治 藤田 ,  俊輔 栗田 ,  達也 酒井

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C09D1/00 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本発明は、チタン、タンタル、ジルコニウム及びタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1種の複数の金属原子と、上記複数の金属原子間を架橋する酸素原子と、上記金属原子に配位する多座配位子とを含む金属化合物、及び溶媒を含有し、上記金属化合物の静的光散乱法によって測定される絶対分子量が、8,000以上50,000以下である多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。上記金属化合物は、金属原子に2個の架橋酸素原子が結合している構造を主に含むことが好ましい。

Abstract translation: 本发明中，钛，钽，多个选自锆和钨，和氧原子的多个金属原子之间的桥接的组中选择的金属原子的和至少一个，多齿配位至金属原子 含有配体的金属化合物，和溶剂含有由金属化合物的静态光散射法测定的绝对分子量为多层无机膜形成组合物抗蚀剂工艺是8,000〜50,000。 金属化合物优选主要包含其中在金属原子上的两个桥接氧原子键合的结构。