公开(公告)号：JP2015046212A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2014149747

申请日：2014-07-23

Applicant: Tdk株式会社 ,  Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU

IPC: G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01L29/82

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/1269 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996

Abstract: 【課題】ノイズを小さくすることが可能な磁気センサを提供することを目的とする。【解決手段】チャンネル層と、チャンネル層の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層と、チャンネル層の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層とを備え、第一の部分のチャンネル層の厚さと、第二の部分のチャンネル層の厚さが異なり、チャンネル層と磁化自由層の界面の抵抗が、チャンネル層と磁化固定層の界面の抵抗よりも低いことを特徴とする磁気センサ。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够降低噪声的磁传感器。解决方案：磁传感器包括通道层，布置在沟道层的第一部分上并检测外部磁场的磁化自由层，以及磁化固定层 布置在与第一部分不同的沟道层的第二部分上。 沟道层的第一部分的厚度和沟道层的第二部分的厚度是不同的，并且沟道层和无磁化层之间的界面的电阻低于通道之间的界面的电阻 层和磁化固定层。

公开(公告)号：JP2017118132A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2017023752

申请日：2017-02-13

Applicant: Tdk株式会社 ,  Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU ,  KOIKE YUTO ,  ISHIDA YOICHI

IPC: H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 【課題】半導体チャンネル層とトンネル層との間の格子定数、及びトンネル層と強磁性層との間の格子定数のずれによって生じる界面でのスピン散乱を抑制するスピン注入電極構造、およびスピン伝導素子を提供する。【解決手段】半導体チャンネル層に接する側のトンネル層の格子定数と、強磁性層に接する側のトンネル層の格子定数が異なり、半導体チャンネル層に接するトンネル層と強磁性層に接するトンネル層が、単一の結晶構造であるようにする。【選択図】図4

公开(公告)号：JP2017085178A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2017023764

申请日：2017-02-13

Applicant: Tdk株式会社 ,  Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU ,  KOIKE YUTO ,  ISHIDA YOICHI

IPC: H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 【課題】半導体チャンネル層とトンネル層、及びトンネル層と強磁性層との間の格子定数のずれによって生じる界面でのスピン散乱を抑制し、高出力を得るためのスピン注入電極構造、又はスピン伝導素子を提供する。【解決手段】半導体チャンネル層上にトンネル層と強磁性層を設け、半導体チャンネル層と接する第一トンネル層の格子定数と、強磁性層と接する第二トンネル層の格子定数が異なり、さらに、第一トンネル層と第二トンネル層は、それぞれ異なる結晶系である。【選択図】図4

公开(公告)号：JP2013074018A

公开(公告)日：2013-04-22

申请号：JP2011210588

申请日：2011-09-27

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU

IPC: H01L29/82 ,  G01R33/06 ,  G01R33/09 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin conduction element capable of minimizing noise or error caused by an external magnetic field entering into a semiconductor channel.SOLUTION: A spin conduction element 1 utilizing magnetic resistance includes a first ferromagnetic body 12A for injecting spin into a semiconductor channel, a second ferromagnetic body 12B for extracting the spin from the semiconductor channel, a semiconductor channel 7 extending from the first ferromagnetic body 12A to the second ferromagnetic body 12B, and a magnetic shield S1 covering the second ferromagnetic body 12B and/or the semiconductor channel 7, and an insulating film provided between the second ferromagnetic body 12B and/or the semiconductor channel 7 and the magnetic shield S1.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够使由进入半导体通道的外部磁场引起的噪声或误差最小化的自旋导电元件。 解决方案：利用磁阻的自旋导电元件1包括用于将自旋注入半导体通道的第一铁磁体12A，用于从半导体沟道中提取自旋的第二铁磁体12B，从第一铁磁体 主体12A到第二铁磁体12B，以及覆盖第二铁磁体12B和/或半导体沟道7的磁屏蔽S1，以及设置在第二铁磁体12B和/或半导体沟道7与磁屏蔽之间的绝缘膜 S1。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012142409A

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：JP2010293732

申请日：2010-12-28

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU ,  KAKINUMA YUJI

IPC: H01L29/82

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin current circuit artificially having diode characteristics by using spin electronics.SOLUTION: A spin current circuit comprises a main conductive area 3A formed in a semiconductor layer 10C; a first sub conductive area 3B formed in the semiconductor layer and branched off from the main conductive area; a second sub conductive area 3C formed in the semiconductor layer and branched off from the main conductive area; a main ferromagnetic body 1 formed on the main conductive area 3A, and injecting electrons into the main conductive area through a tunnel barrier layer 5; a collection electrode 4 formed on the main conductive area 3A; a first sub ferromagnetic body 2' formed on the first sub conductive area 3B, and fixing a magnetization direction in the same direction of the main ferromagnetic body 1; and a second sub ferromagnetic body 2'' formed on the second sub conductive area 3C, and fixing a magnetization direction different from the first sub ferromagnetic body 2'; and a voltage detection circuit for detecting voltage between the first sub ferromagnetic body 2' and the second sub ferromagnetic body 2''.

Abstract translation: 要解决的问题：通过使用自旋电子装置人工提供具有二极管特性的自旋电流电路。 解决方案：自旋电流电路包括形成在半导体层10C中的主导电区域3A; 形成在半导体层中并从主导电区域分支的第一副导电区域3B; 形成在半导体层中并从主导电区域分支的第二副导电区域3C; 形成在主导电区域3A上的主铁磁体1，并且通过隧道势垒层5将电子注入主导电区域; 形成在主导电区域3A上的收集电极4; 形成在第一副导电区域3B上的第一子铁磁体2'，并且将磁化方向固定在主铁磁体1的相同方向上; 和形成在第二副导电区域3C上的第二副铁磁体2“，并且固定与第一副铁磁体2'不同的磁化方向; 以及用于检测第一次铁磁体2'和第二次铁磁体2“之间的电压的电压检测电路。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011176108A

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：JP2010038854

申请日：2010-02-24

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： SASAKI TOMOO ,  OIKAWA TORU ,  NOGUCHI KIYOSHI

IPC: H01L29/82 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39

CPC classification number: G01R33/1284 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic sensor detecting magnetic flux from a fine region and suppressing an increase in element resistance. SOLUTION: The magnetic sensor 1 has: a channel 7; a ferromagnetic body 12 and first and second reference electrodes 20A and 20B on the channel 7; a magnetic shield S1 for covering a part of the channel 7 opposing the ferromagnetic body 12; and an insulating film 7a disposed between the channel 7 and the magnetic shield S1. The magnetic shield S1 has a through-hole H extending toward the part of the channel 7 which opposes the ferromagnetic body 12. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种从微细区域检测磁通量并抑制元件电阻增加的磁传感器。 解决方案：磁传感器1具有：通道7; 通道7上的铁磁体12和第一和第二参考电极20A和20B; 用于覆盖与铁磁体12相对的通道7的一部分的磁屏蔽S1; 以及设置在通道7和磁屏蔽S1之间的绝缘膜7a。 磁屏蔽S1具有朝向与铁磁体12相对的通道7的部分延伸的通孔H.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010021291A

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：JP2008179530

申请日：2008-07-09

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： OIKAWA TORU

IPC: H01L29/82

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin FET capable of actualizing a function identical with that of half metal at a room temperature. SOLUTION: A semiconductor substrate 1 comprises (100) Si, tunnel barrier wall layers 4 and 6 comprise (100) MgO, and a source electrode 5 and drain electrode 7 comprise (100) Co X Fe 1-X (0≤X≤1), respectively. The magnetizing direction MS of the source electrode 5 is fixed, and the magnetizing direction MD of the drain electrode 7 can be changed externally. The element can actualize spin FET at a room temperature although no half metal is used. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够在室温下实现与半金属相同功能的自旋FET。 解决方案：半导体衬底1包括（100）Si，隧道阻挡壁层4和6包括（100）MgO，源电极5和漏电极7包括（100）Co X Fe 1-X （0≤X≤1）。 源电极5的磁化方向MS固定，并且可以从外部改变漏电极7的磁化方向MD。 尽管不使用半金属，元件可以在室温下实现自旋FET。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009158592A

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：JP2007332719

申请日：2007-12-25

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： OIKAWA TORU

IPC: H01L29/82

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor spin device capable of enhancing an MR ratio, and to provide a spin FET capable of enhancing the MR ratio, especially, between a source and a drain.
SOLUTION: Interface resistance on the source side of a spin MOSFET and interface resistance on the drain side are originally different in value, but impurities are added on the interfaces to nearly equalize them to each other. Consequently, the electric symmetry of the spin MOSFET is secured and an increase in the MR ratio is found out by analyzing conditions of this case.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高MR比率的半导体自旋装置，并且提供能够提高MR比率的自旋FET，特别是在源极和漏极之间。 解决方案：自旋MOSFET源极侧的接口电阻和漏极侧的接口电阻本来是不同的，但杂质在接口上增加到几乎相互平衡。 因此，通过分析这种情况的条件，确保了自旋MOSFET的电对称性并且发现MR比的增加。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009054866A

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：JP2007221488

申请日：2007-08-28

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： OIKAWA TORU

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin transistor capable of preventing drop of the amount of carriers injected in a drain and drop of carrier injection variation by magnetization reversal.
SOLUTION: This spin transistor 1 is provided with: a source 20 formed of a ferromagnetic material; the drain 30 formed of a ferromagnetic material; an SOI substrate 1A forming a Schottky junction with the source 20 and the drain 30; a main gate electrode 40 arranged on the back surface of the SOI substrate 1A, and controlling the potential of an SOI layer 10 of the SOI substrate 1A; an auxiliary gate electrode 50 controlling the potential of a semiconductor layer in the vicinity of the drain; and a channel layer 66.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止在漏极中注入的载流子的下降和通过磁化反转的载流子注入变化的下降的自旋晶体管。 解决方案：该自旋晶体管1设置有：由铁磁材料形成的源极20; 漏极30由铁磁材料形成; 形成与源极20和漏极30的肖特基结的SOI衬底1A; 布置在SOI衬底1A的背面上的主栅电极40，并控制SOI衬底1A的SOI层10的电位; 控制漏极附近的半导体层的电位的辅助栅电极50; 和通道层66。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008034466A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：JP2006203456

申请日：2006-07-26

Applicant: Tdk Corp ,  Tdk株式会社

Inventor： TAGAMI MASAMICHI ,  KOGA KEIJI ,  OIKAWA TORU

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic storage device for which power consumption is remarkably reduced. SOLUTION: In the magnetic storage device 1; a yoke 20 is arranged to cover, in the circumferential direction, a part of wire 5 extending in the desired direction, a magnetoresistive element 4 permitting write of information with the magnetic field generated from the wire 20 is arranged at the area near the wire 20, and moreover a magnetic path length of the yoke 20 is set to 6 μm or less. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种显着降低功耗的磁存储装置。

解决方案：在磁存储装置1中; 磁轭20沿圆周方向布置成沿着期望的方向延伸的线5的一部分，允许在从线20产生的磁场中写入信息的磁阻元件4布置在线20附近的区域 磁轭20的磁路长度设定为6μm以下。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT