公开(公告)号：JP4528124B2

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：JP2004538829

申请日：2003-08-22

Applicant: フラウンホファー ゲセルシャフト ツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ.

Inventor： クエンザー，ハンス−ヨアヒム ,  シュルツ，アルネ，ヴァイト ,  メルツ，ピーター

IPC: B81C99/00 ,  H01L23/02 ,  B81C1/00 ,  C03B19/02 ,  C03B23/02 ,  H01L21/02 ,  H01L23/14

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C03B19/02 ,  C03B23/02

公开(公告)号：JP4960965B2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

公开(公告)号：JP2011129940A

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：JP2011010801

申请日：2011-01-21

Applicant: Avantor Performance Materials Inc ,  アバンター・パフォーマンス・マテリアルズ・インコーポレイテッドAvantor Performance Materials, Inc.

Inventor： KIM SANG IN ,  HONG SEONG JIN

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L31/04

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce or essentially remove a salient or a protrusion which generally extends upward from an almost plane surface of a polysilicon film that is formed by low-temperature poly Si (LTPS) annealing of an amorphous silicon film deposited on a substrate.
SOLUTION: A flattening solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or higher and contains water, at least one kind of a strong base, and at least one kind of an etching speed control agent. The method of use thereof includes a process which makes the almost plane surface of polysilicon film contact with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the salient or the protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了减少或基本上去除通常由沉积的非晶硅膜的低温多晶硅（LTPS）退火形成的多晶硅膜的几乎平面表面向上延伸的突出或突起， 在基板上。 解决方案：高水性和强碱性的平坦化溶液的pH为12以上，并且含有水，至少一种强碱和至少一种蚀刻速度控制剂。 其使用方法包括使多晶硅膜的大致平面与高度水溶性且强碱性的溶液接触足够的时间以选择性地从几何平面多晶硅膜的表面突出或突出的方法 没有显着蚀刻几乎平面的多晶硅膜。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015523716A

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：JP2015513329

申请日：2013-05-21

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ,  ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

Inventor： リー，ユイチョウ ,  マルテン ノラー，バスティアン ,  マルテン ノラー，バスティアン ,  ジロー，クリストフ ,  フランツ，ディアナ

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 【課題】特定の非イオン界面活性剤を含むCMP組成物下で、III−V材料を化学機械研磨(CMP)する、半導体装置の製造方法。【解決手段】(A)無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、(B)少なくとも1種の両親媒性非イオン界面活性剤と、(M)水性媒体とを含む化学機械研磨組成物の存在下で、少なくとも1種のIII−V材料を含む層又は基板を、化学機械研磨する半導体装置の製造方法であって、両親媒性非イオン界面活性剤が(b1)少なくとも1種の疎水性基と、(b2)ポリアルキレン基からなる群より選択される少なくとも1種の親水性基とを持ち、当該ポリオキシアルキレン基が、(b22)オキシエチレン単位以外のオキシアルキレンモノマーを含む。

Abstract translation: 甲在CMP组合物含有特定的非离子表面活性剂，III-V族材料，以化学机械研磨（CMP），一种制造半导体器件的方法。 （A）无机粒子，有机粒子，或它们的混合物或复合物，（B）的化学机械抛光组合物，其包含至少一种两亲性非离子型表面活性剂，和（M）含水介质 在该目的，一个层或衬底包含至少一种III-V族材料，用于半导体装置中，所述两亲性非离子表面活性（b1）中的至少一种化学机械抛光的制造方法的存在 具有疏水性基团，和选自（b2）的聚亚烷基组成的组中选择的至少一种亲水基团，所述聚氧化烯基包括比（B22）氧化乙烯单元以外的氧化烯单体。

公开(公告)号：JP2012191052A

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：JP2011054334

申请日：2011-03-11

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： SAITO TOMOHIRO

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS capable of obtaining excellent element characteristics.SOLUTION: A MEMS manufacturing method comprises: a step of forming a lower electrode 12A on a substrate 10; a step of forming an auxiliary structure 13A which is brought into an electrically floating state so as to be adjacent to the lower electrode 12A, on the substrate 10; a step of forming a sacrificial film on the lower electrode 12A, the auxiliary structure 13A, and the substrate 10; a step of forming an upper electrode 16 on the sacrificial film; and a step of removing the sacrificial film and disposing the upper electrode 16 above the lower electrode 12A via a cavity 21A. The sacrificial films formed on the lower electrode 12A and the auxiliary structure 13A have a flat upper surface. The upper electrode 16 formed on the sacrificial film has a flat lower surface.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够获得优异的元件特性的MEMS。 解决方案：MEMS制造方法包括：在基板10上形成下电极12A的步骤; 在基板10上形成与下部电极12A相邻的电浮动状态的辅助结构13A的工序; 在下电极12A，辅助结构13A和基板10上形成牺牲膜的步骤; 在牺牲膜上形成上电极16的步骤; 以及去除牺牲膜并经由空腔21A将上电极16设置在下电极12A上方的步骤。 形成在下电极12A和辅助结构13A上的牺牲膜具有平坦的上表面。 形成在牺牲膜上的上电极16具有平坦的下表面。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2005538570A

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：JP2004538829

申请日：2003-08-22

Applicant: フラウンホファー ゲセルシャフトツール フェールデルンク ダー アンゲヴァンテン フォルシュンク エー.ファオ.

Inventor： クエンザー，ハンス−ヨアヒム ,  シュルツ，アルネ，ヴァイト ,  メルツ，ピーター

IPC: B81C99/00 ,  B81C1/00 ,  C03B19/02 ,  C03B23/02 ,  H01L21/02 ,  H01L23/02 ,  B81C5/00

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C03B19/02 ,  C03B23/02

Abstract: ガラスタイプの材料からなる平面基板の構造化方法が開示されており、この方法は、減厚表面区域に対して盛上った表面区域を得るように、その少なくとも1つの表面区域内で平面半導体基板厚を削減するステップと、平面半導体基板の盛上った表面区域を、盛上った表面区域内に陥凹部を導入するように機械的な方法で局所的に材料を除去することによって構造化するステップと、ガラスタイプの平面基板の少なくとも一部分が、減厚表面区域を覆うように、この平面半導体基板の構造化表面をガラスタイプの平面基板に接続するステップと、陰圧条件で実施される第1加熱段階において、この接続した平面基板が、この減厚表面区域に沿って液密接続を形成し、陰圧条件で液密なかたちで陥凹部を覆い、直後に第2加熱段階において、ガラス状材料の少なくともいくつかの区域がこの平面半導体基板の構造化表面の陥凹部内に流れるように、減厚表面区域を覆うガラスタイプの平面基板を加熱するステップとを特徴とする。 ガラスタイプの平面基板およびその用途も開示されている。

公开(公告)号：JP6336009B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2016220903

申请日：2016-11-11

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： クスナトディノフ ニャーズ ,  ラブレイク エル ドウェイン

IPC: B29C59/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0118 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/7684

公开(公告)号：JP5526061B2

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：JP2011054334

申请日：2011-03-11

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 友博 齋藤

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

公开(公告)号：JP2009511295A

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

Abstract: 【課題】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを製造するための優れた方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳプロセスで吊り下げられたビームを形成する方法が開示される。 プロセスでは、基板（５）にピット（８）をエッチングする。 犠牲材料（１０）を、ピット（８）内及び周囲の基板表面上に付着させる。 次に、周囲の基板表面及びピット（８）の周囲から犠牲材料（１０）を除去し、したがって犠牲材料とピットの少なくとも２つの側壁の間にギャップがある。 次に、残りの犠牲材料がピットの側壁と接触するように、犠牲材料をリフローするように加熱する。 次に、通常は金属であるビーム（１２）の材料を、基板表面及びリフローした犠牲材料に付着させ、次に犠牲材料を除去して、吊り下げられたビームを形成する。 ビームは、インクジェットプリンタの加熱要素として使用することができる。
【選択図】図３４

公开(公告)号：JP2008277715A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：JP2007129942

申请日：2007-05-16

Applicant: Mallinckrodt Baker Inc ,  マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッドMallinckrodt Baker, Inc.

Inventor： KIM SANG IN ,  HONG SEONG JIN

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce or essentially remove an upheaval or protrusion which generally extends upward from an almost plane surface of polysilicon film that is manufactured by low-temperature polysilicon silicon (LTPS) annealing of an amorphous silicon film deposited on a substrate.
SOLUTION: The planarizing solution which is highly aqueous and strongly basic has a pH of 12 or more and contains water, at least one kind of strong base, and at least one kind of etching speed controlling agent. The method of use thereof includes a process which contacts the almost plane surface of polysilicon film with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the upheaval or protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了减少或基本上去除通常从多晶硅膜的几乎平面表面向上延伸的动态或突起，所述多晶硅膜由沉积在其上的非晶硅膜的低温多晶硅硅（LTPS）退火制造 基质。 解决方案：高水性和强碱性的平坦化溶液的pH为12以上，并且含有水，至少一种强碱和至少一种蚀刻速度控制剂。 其使用方法包括与多晶硅膜的几乎平面表面接触的方法，该溶液是高度水溶性且强碱性的溶液足够长的时间以选择性地蚀刻几乎平面多晶硅膜的表面而没有蚀刻的动态或突起 显着地是几乎平面的多晶硅膜。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT