公开(公告)号：KR20210024689A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020217005915A

申请日：2018-03-05

Applicant: 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트

Inventor： 로만 오슈트홀트 ,  노르베르트 암브로지우스 ,  아르네 슈노어 ,  다니엘 둔커

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  B23K103/00 ,  B81C1/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: B23K26/0006 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1626 ,  B81B1/004 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00595 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  C03C23/0025 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/54 ,  B81B2201/052 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/0392 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0143

Abstract: 본 발명은 투명한 또는 투과성 유리 기판 (2) 안으로 적어도 하나의 관통구멍 (1) 을 도입하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 유리 기판 (2) 은 전자기 방사선, 특히 레이저를 이용해 빔축 (s) 을 따라 선택적으로 변조된다. 상기 변조들이 유리 기판 (2) 안에서 빔축 (s) 을 따라, 서로 다른 특성들을 갖는 전자기 방사선에 의해, 예컨대 서로 다른 펄스 에너지에 의해, 생성됨으로써, 상기 유리 기판 (2) 안의 에칭공정이 비균질하게 서로 다른 에칭률들로 진행된다. 이를 통해, 상기 투명한 또는 투과성 재료 안에서 에칭 처리를 근거로 생기는 관통구멍 (1) 을 타겟팅하여 그리고 선택적으로 상기 변조들의 서로 다른 특성들을 통해 형성하는 그리고 예컨대 상기 관통구멍 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 를 변화시키는 가능성이 만들어내진다.

公开(公告)号：JP2018069685A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016215418

申请日：2016-11-02

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 松尾 伸史

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1433 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1642 ,  B41J2002/14491 ,  B81B1/004 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00087 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032

Abstract: 【課題】撥水膜に形成される第3貫通孔の横断面の形状および大きさが、酸化膜に形成される第2貫通孔の横断面の形状および大きさとほぼ等しいノズル基板を提供する。 【解決手段】ノズル基板3は、シリコン基板30と、シリコン基板30の第2表面に形成された酸化シリコン膜31と、酸化シリコン膜31の表面に形成された撥水膜32とを含む。ノズル孔20の第1貫通孔20a,20b1は、シリコン基板30の第1表面側にノズル孔20に対応した開口を有するレジストマスクを形成してシリコン基板30をエッチングすることで形成する。その後、レジストマスクを除去し、シリコン基板30をハードマスクとして酸化シリコン膜31と撥水膜32を連続してエッチングすることで、酸化シリコン膜31を貫通し第1貫通孔20a,20b1に連通する第2貫通孔20b2と、撥水膜32を貫通し第2貫通孔20b2に連通する第3貫通孔20b3を形成する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2018052033A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016192983

申请日：2016-09-30

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 吉池 政史

IPC: B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81B7/007 ,  B41J2/14 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1607 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1621 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14362 ,  B41J2002/14491 ,  B81B2201/052 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013

Abstract: 【課題】樹脂部に積層された配線における電気接続の信頼性の低下を抑制できるMEMSデバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、MEMSデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部(38)、及び、樹脂部(38)の表面の少なくとも一部を覆う第1の配線(電極膜56)を有する基板(封止板33)を備え、第1の配線(電極膜56)は、樹脂部(38)と重なる位置から樹脂部(38)から外れた位置まで前記一の面における第1の方向に沿って延設され、樹脂部(38)の幅(w5)は、第1の方向に交差する第2の方向おいて、当該樹脂部(38)を覆う第1の配線(電極膜56)の幅(w3)以上であることを特徴とするMEMSデバイス(液体噴射ヘッド3)。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP3984689B2

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：JP30861997

申请日：1997-11-11

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 隆行 八木 ,  順一 小林 ,  保志 川角 ,  幸宏 早川 ,  靖司 松野 ,  昌弘 滝沢 ,  憲史 牧野 ,  桂 藤田 ,  玄三 門間

IPC: B41J2/05 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01B21/30 ,  G01N37/00 ,  G01Q60/38 ,  G01Q70/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/13 ,  B81B2201/052

公开(公告)号：JP2007526138A

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：JP2007501810

申请日：2005-02-16

Applicant: ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

Inventor： ジェフリー アール． ポラード ,  マイケル ディー． ミラー

IPC: B81C1/00 ,  B41J2/16

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1634 ,  B81B2201/052

Abstract: 説明する実施形態はスロット付き基板（３００）及びその形成方法に関する。 例示的な一方法は、第１のスロット部分（４１０ａ）を基板（３００）の第１の表面（３０２）に形成し、第１のスロット部分（４１０ａ）は第１の表面（３０２）にフットプリント（４０４）を画定する。 方法はまた、第１のスロット部分（４１０ａ）を通して第２のスロット部分（４１０ａ
1 ）を形成し、第２のスロット部分（４１０ａ
1 ）と合致して基板（３００）を貫通する流体取扱スロット（３０５）を形成するのに十分な程度、基板（３００）の第２の表面（３０３）を通して第３のスロット部分（４１０ａ
2 ）を形成する。

公开(公告)号：JP2017174985A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016059813

申请日：2016-03-24

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 寺崎 敦則

IPC: H01L21/316 ,  B41J2/16 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14032 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00619 ,  B41J2002/14467 ,  B41J2202/22 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014

Abstract: 【課題】シリコン基板に形成された非常に深く、高アスペクト比の構造の壁面に成膜された保護膜において、底面の保護膜を除去する際に側壁の保護膜へダメージを与えないプロセス設計思想を提供する。 【解決手段】シリコン基板の第一の面から200μm以上あるいは300μm以上の深さLを有する有底の構造体を形成する工程と、該構造体の内壁に保護膜を形成する工程と、該構造体の底部に形成された保護膜を、プラズマエッチングによって構造体の側壁に形成された保護膜に対して選択的に除去するプラズマエッチング工程と、を有し、プラズマエッチングは、シースの長さsが、深さLが200μm以上の場合は10倍以上、300μm以上の場合は5倍以上であるプラズマを発生させ、かつプラズマ中で生成したイオンの平均自由行程が、シースの長さ以上の条件で行う、シリコン基板の加工方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015023092A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2013148763

申请日：2013-07-17

Applicant: キヤノン株式会社 ,  Canon Inc

Inventor： MINAMI SEIKO ,  SAKAI TOSHIYASU

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00587 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116

Abstract: 【課題】反応性イオンエッチングによって形成する貫通穴の開口寸法を微細化した場合でも、開口の広がりを抑制できる基板の加工方法を提供すること。【解決手段】反応性イオンエッチングによって基板に貫通穴を形成する基板の加工方法であって、第一の層と前記第一の層を覆う第二の層とを第一の面側に有する基板を用意する工程と、用意した基板に、前記第一の面の反対側の面である第二の面から反応性イオンエッチングを行い、前記基板に第一の面から第二の面までを貫通する貫通穴を形成し、前記反応性イオンエッチングを前記第一の層に到達させる工程と、を有し、前記第二の層は前記第一の層よりも前記反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが低い層であることを特徴とする基板の加工方法。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：即使当通过反应离子蚀刻形成的通孔的开口尺寸小型化时，也可提供能够抑制开口扩展的基板的处理方法。解决方案：一种用于形成基板的处理方法 通过反应离子蚀刻在基板中的通孔包括制备具有第一层的第一层和覆盖第一侧上的第一层的第二层的基板的步骤，以及在如此制备的基板中形成通孔的步骤， 通过在与第一表面相对的一侧上从第二表面进行反应离子蚀刻，使得反应离子蚀刻到达第一层，从而第二面到第二面。 第二层的反应离子蚀刻的蚀刻速率低于第一层的蚀刻速率。

公开(公告)号：JP2013188968A

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：JP2012057638

申请日：2012-03-14

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： TAKAHASHI HIDEJI

IPC: B41J2/135

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00626 ,  H01L21/30608

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce errors of magnitudes of openings of straight parts when forming the straight parts and tapered parts on silicon substrates different in plane directions, respectively.SOLUTION: A laminated substrate 53 formed by laminating a first active layer 23 whose plane direction is and a second active layer 24 whose plane direction is is formed at one face side of a BOX layer 51. A frame-shaped mask pattern layer 60a having a mask opening 60b is formed in a position in which a nozzle 12 on the second active layer 24 should be formed. Straight parts 20 of the nozzle 12 are formed in the mask opening 60b by forming a non-penetration hole 70 reaching one face of the BOX layer 51. A non-masked portion 24a of the second active layer 24 and the internal face of the non-penetration hole 70 are cover with thermal oxide films 72. An exposed portion 24b is formed on the second active layer 24 by removing the mask pattern layer 60a. Tapered parts 21 of the nozzle 12 are formed by crystal-anisotropy etching the second active layer 24 from the exposed portion 24b.

Abstract translation: 要解决的问题：分别在平面方向上形成硅基板上的直线部分和锥形部分时减小直线部分开口的大小的误差。解决方案：层叠基板53，其层叠第一有源层23，其平面方向 是<111>，并且平面方向为<100的第二有源层24形成在BOX层51的一个正面侧。具有掩模开口60b的框状掩模图案层60a形成在其中 应形成第二有源层24上的喷嘴12。 通过形成到BOX层51的一个面的非贯通孔70，在掩模开口60b中形成喷嘴12的直线部分20.第二有源层24的非掩模部分24a和非绝缘部分 穿透孔70覆盖有热氧化膜72.通过去除掩模图案层60a，在第二有源层24上形成暴露部分24b。 通过从暴露部分24b蚀刻第二有源层24的晶体各向异性形成喷嘴12的锥形部分21。

公开(公告)号：JP4960965B2

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：JP2008534810

申请日：2005-10-10

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： キア シルバーブルック，

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/05 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1404 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2002/14403 ,  B41J2002/14475 ,  B41J2202/11 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0126

公开(公告)号：JP2003531739A

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：JP2001580801

申请日：2001-05-02

Applicant: シルバーブルック リサーチ ピーティワイ リミテッド

Inventor： シルバーブルック，キーア

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B41J2/1645 ,  B41J2/14427 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1648 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/031 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/052 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49401

Abstract: A thermal bend actuator ( 6 ) is provided with a group of upper arms ( 23, 25, 26 ) and a group of lower arms ( 27, 28 ) which are non planar, so increasing the stiffness of the arms. The arms ( 23, 25, 26,27,28 ) may be spaced transversely of each other and do not overly each other in plan view, so enabling all arms to be formed by depositing a single layer of arm forming material