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公开(公告)号：JP2018531863A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2018508761
申请日：2016-08-18
Applicant: コーニング インコーポレイテッド
Inventor： バトラー,ダグラス ルウェリン , デイネカ,マシュー ジョン , ホートフ,ダニエル ウォレン , パワーズ,デイル ロバート , タンドン,プシュカー
CPC classification number: C03B19/1492 , B32B17/06 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B37/01446 , C03B37/01466 , C03B2201/02 , C03B2201/08 , C03B2201/30 , C03B2201/31 , C03B2201/32 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03B2201/42 , C03B2203/12 , C03B2207/20 , C03C13/045 , C03C17/02 , C03C17/3417 , C03C23/0025 , C03C2201/02 , C03C2201/08 , C03C2201/31 , C03C2201/32 , C03C2201/34 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , G02B6/00 , G02B6/132
Abstract: 層状ガラスの構造及び製造方法が記載される。本方法は、高密度ガラス基板上にスートを堆積させて複合構造を形成する工程、及び、該複合構造を焼結して層状ガラス構造を形成する工程を含む。高密度ガラス基板は、平面を含むように修正された光ファイバプリフォームに由来しうる。複合構造は、1つ以上のスート層を含みうる。層状ガラス構造は、複数の複合構造を組み合わせてスタックを形成した後、該スタックを焼結及び融着することによって形成することができる。層状ガラス構造は、さらに、軟化するまで加熱され、線形寸法が制御されるように延伸されてもよい。層状ガラス構造又は延伸された層状ガラス構造は、平坦な導波管として構成されうる。
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公开(公告)号：JP6408699B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2017516767
申请日：2014-12-29
Applicant: ジュシ グループ カンパニー リミテッド
Inventor： カオ グロング , シング ウェンゾング , ザング リン , グ グイジアング
IPC: C03C13/02
CPC classification number: C03C3/087 , C03C3/095 , C03C13/00 , C03C2201/32 , C03C2201/3423 , C03C2201/42 , C03C2201/50 , C03C2213/00
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3.发明专利
公开(公告)号：JP6195880B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2015202956
申请日：2015-10-14
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C3/06 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , C03C2201/42 , C03C2218/33
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4.发明专利SiO2−TiO2系ガラスの製造方法、SiO2−TiO2系ガラスからなる板状部材の製造方法、製造装置およびSiO2−TiO2系ガラスの製造装置 有权产生的SiO2-TiO2体系玻璃，制造由SiO 2系玻璃的TiO 2，制造装置和SiO2-TiO2体系的玻璃制造装置的板状构件的方法的方法
公开(公告)号：JP6079779B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2014522684
申请日：2013-06-27
Applicant: 株式会社ニコン
CPC classification number: C03B19/1415 , C03B11/00 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B19/1476 , C03B19/1492 , C03B23/0013 , C03B23/0496 , C03B32/005 , C03C3/04 , C03C3/06 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/52
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公开(公告)号：JP6020234B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2013026521
申请日：2013-02-14
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C3/06 , C03C3/112 , H01L21/027 , C03B20/00
CPC classification number: C03B19/1453 , C03B19/1461 , C03B25/02 , C03C3/06 , C03B2201/12 , C03B2201/42 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , C03C2203/44 , C03C2203/54
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Patent Agency Ranking6.发明专利マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 有权基板的掩模坯件，所述多层反射膜涂覆基材，透射式掩模坯件，反射型掩模基板，一个透射掩模，反射掩模的制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JPWO2013146990A1
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014502925
申请日：2013-03-28
Inventor： 敏彦 折原 , 敏彦 折原 , 和宏 浜本 , 和宏 浜本 , 弘文 小坂井 , 弘文 小坂井 , 臼井 洋一 , 洋一 臼井 , 笑喜 勉 , 勉 笑喜 , 順一 堀川 , 順一 堀川
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C2201/42 , C03C2218/33 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085
Abstract: リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって前記基板の転写パターンが形成される側の主表面は、1μm?1μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ(Rms)が0.15nm以下であり、且つ、空間周波数1μm−1以上のパワースペクトル密度が10nm4以下であることを特徴とするマスクブランク用基板である。
Abstract translation: 在其上形成底物空白的衬底在光刻使用的掩模的转印图案的主表面上，1微米？1微米面积原子力显微镜测量根意味着得到的方形粗糙度（Rms ）小于或等于0.15纳米，和一个空白掩模基板，其中所述空间频率1微米-1或更少10nm4更多的功率谱密度。
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7.发明专利Substrate for mask blank, substrate with multilayer reflection membrane, transmission type mask blank, reflection type mask blank, transmission type mask, reflection type mask, and method of manufacturing semiconductor device 有权用于掩模布的基板，具有多层反射膜的基板，透射型掩模挡板，反射型掩模挡板，透射型掩模，反射型掩模和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014186333A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014093017
申请日：2014-04-28
Inventor： ORIHARA TOSHIHIKO , HAMAMOTO KAZUHIRO , KOSAKAI HIROFUMI , USUI YOICHI , SHOKI TSUTOMU , HORIKAWA JUNICHI
CPC classification number: G03F1/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C17/3435 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C23/0075 , C03C2201/42 , C03C2218/33 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F1/22 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/70733 , H01L21/3081 , H01L21/3085
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a mask blank capable of preventing pseudo-defect detection caused by a surface roughness of a substrate or a membrane in defect inspection using a highly sensitive defect inspection instrument to facilitate detection of critical defects such as foreign matters and flaws.SOLUTION: The substrate for a mask blank used for lithography has a root-mean-square roughness (Rms) obtained by measuring a region of 1 μm × 1 μm with an atomic force microscope of not greater than 0.15 nm on a main surface of a side of the substrate formed with a transcription pattern, and a power spectrum density for a spacial frequency of not less than 1 μmof not greater than 10 nm.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模坯料的基板，其能够使用高灵敏度缺陷检查仪器在缺陷检查中防止由基板或膜的表面粗糙度引起的伪缺陷检测，以便于检测诸如外来的关键缺陷 问题和缺点。解决方案：用于光刻的掩模板的基板具有通过用原子力显微镜测量1μm以上的区域而获得的均方根粗糙度（Rms），在 形成有转录图案的基板侧的主表面，空间频率的功率谱密度不小于1μm，不大于10nm。
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公开(公告)号：JP2014033221A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：JP2013207313
申请日：2013-10-02
Applicant: Asahi Glass Co Ltd , 旭硝子株式会社
Inventor： KOIKE AKIO , EBIHARA KEN
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B19/1492 , C03B2201/21 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/14 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , Y02P40/57
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate which is excellent in flatness and suitable for an EUV mask or an EUV mask blanks.SOLUTION: In a substrate for an EUV mask, material of the substrate is silica glass containing 1 to 12 mass% of TiO, surface roughness (rms) of the substrate is 2 nm or less in a surface quality region, and maximum stress variation (PV) of the substrate is 0.2 MPa or less in the surface quality region.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种平面度优异且适用于EUV掩模或EUV掩模坯料的基板。解决方案：在用于EUV掩模的基板中，基板的材料是含有1〜12质量％ TiO 2，表面质量区域的基板的表面粗糙度（rms）为2nm以下，表面质量区域的基板的最大应力变化（PV）为0.2MPa以下。
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公开(公告)号：JPWO2012008343A1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2012524525
申请日：2011-07-06
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/027 , C03C3/06 , C03C3/076 , C03C19/00
CPC classification number: B29D11/00769 , B24B9/10 , B29C59/002 , B29C59/026 , C03B19/14 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C19/00 , C03C2201/42 , C03C2204/08 , G03F7/0002 , Y10T428/24355
Abstract: 本発明は、主表面と側面とを有する、インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材であって、前記側面の算術平均粗さ(Ra)が、1nm以下であり、前記側面の、10μmから1mmの波長領域の凹凸の二乗平均平方根(MSFR_rms)が、10nm以下である、インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材に関する。
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公开(公告)号：JP5064508B2
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：JP2009532178
申请日：2008-09-09
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/027 , B29C33/38 , B29C33/42 , B29C39/26 , C03C3/06
CPC classification number: B29C33/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C2201/12 , C03C2201/42 , G03F7/0002
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