KR20210027765A - Yttrium-based ceramics and method for manufacturing the same

    公开(公告)号:KR20210027765A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:KR1020190108593A

    申请日:2019-09-03

    Inventor: 오윤석 이성민

    Abstract: 세라믹 모 기판으로서 세라믹 기판 또는 이트륨계 소재를 포함하는 코팅막이 형성된 세라믹 기판을, 이트륨계 화합물 형성용 염 용액으로 코팅하여 크랙 속에 염 용액들이 침투되도록 함으로써, 크랙내부 또는 크랙 주변에 침착되는 불순물, 이물질을 억제할 수 있도록 하여 이트륨계 세라믹 부품의 클리닝, 시즈닝의 횟수를 감소시켜 공정 비용을 절감하고 생산성을 증가시키는 이트륨계 세라믹 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
    본 발명에 따른 이트륨계 세라믹 제조방법은 (a) 이트륨계 화합물 형성용 염을 용매에 용해하여 이트륨계 화합물 형성용 염 용액을 마련하는 단계; (b) 상기 이트륨계 화합물 형성용 염 용액을 세라믹 모 기판 표면에 코팅하는 단계; 및 (c) 상기 이트륨계 화합물 형성용 염 용액이 코팅된 세라믹 모 기판을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 세라믹 모 기판은 세라믹 기판이거나, 상기 세라믹 기판에 이트륨계 소재를 포함하는 코팅막이 형성된 것을 특징으로 한다.

    溶射用粉末
    7.
    发明专利
    溶射用粉末 审中-公开
    粉末喷涂粉末

    公开(公告)号:JP2016156046A

    公开(公告)日:2016-09-01

    申请号:JP2015034086

    申请日:2015-02-24

    Abstract: 【課題】 セラミックからなる溶射皮膜を緻密で耐久性に優れるものとして形成することができる緻密な溶射用粉末を提供する。 【解決手段】 ここに開示される溶射用粉末は、融点が2000℃以下のセラミック材料からなるセラミック粒子を含む。この溶射用粉末は、水銀圧入法によって得られるlog微分細孔容積分布において、メインピークの頂点は10μm以下の範囲にあり、第2ピークの頂点がメインピークの頂点よりも小さい細孔径側にあるとき、メインピークの高さH1と第2ピークの高さH2との比(H2/H1)が0.05以下である。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供致密的粉末喷涂粉末,其能够发泡耐久性优异的致密陶瓷喷涂。喷涂用粉末包括陶瓷颗粒,其包含熔点为2000℃以下的陶瓷材料。 在用于喷涂的粉末中,通过水银压入法获得的对数微分孔体积分布中的主峰的顶点在10μm以下的范围内,并且当第二峰的顶点存在于较小的 比主峰的顶点大的一侧,主峰的高度H1与第二峰的高度H2之间的比(H2 / H1)为0.05以下。图1

    波長変換部材およびその製造方法
    10.
    发明专利
    波長変換部材およびその製造方法 审中-公开
    波长转换构件及其制造方法

    公开(公告)号:JP2015216354A

    公开(公告)日:2015-12-03

    申请号:JP2015039034

    申请日:2015-02-27

    Abstract: 【課題】耐熱性に優れた波長変換部材を簡易にかつ工業的に製造できる方法、および、その方法により製造された波長変換部材を提供すること。 【解決手段】 波長変換部材1の製造方法は 蛍光体セラミックス層3を基材4の上に配置する配置工程、基材4の厚み方向と直交する方向に間隔を隔てて複数の蛍光体セミラックス素子5が配置されるように、蛍光体セラミックス層3の一部を除去する除去工程、蛍光体セラミックス素子5の表面を被覆するように、基材4の上に、無機物を含有する被覆層7を形成する形成工程、ならびに、少なくとも1つの蛍光体セラミックス素子5を含むように、被覆層7および基材4を厚み方向に切断する切断工程、を備えている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够容易且工业上制造耐热性优异的波长转换构件的方法以及通过该方法制造的波长转换构件。解决方案:波长转换构件1的制造方法包括:布置步骤 将磷光体陶瓷层3布置在基板4上; 去除一部分荧光体陶瓷层3以使得多个荧光体陶瓷元件5在与基板4的厚度方向正交的方向上间隔布置的去除步骤; 在基板4上形成含有无机材料的涂层7以覆盖荧光体陶瓷元件5的表面的形成步骤; 以及在厚度方向上切割涂层7和基板4以包括至少一个磷光体陶瓷元件5的切割步骤。

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