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    炭化金属薄膜の蒸着方法
    1.
    发明专利
    炭化金属薄膜の蒸着方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017210685A

    公开(公告)日：2017-11-30

    申请号：JP2017104767

    申请日：2017-05-26

    Applicant: テス カンパニー、リミテッド

    Inventor： ヤン、チェヨン ,  イ、ソンウ

    IPC: C23C16/36 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/32

    CPC classification number: C23C16/453 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/505 ,  C23C4/134

    Abstract: 【課題】半導体工程において、炭化金属薄膜を蒸着し、これをハードマスクとして用いる方法を提供する。 【解決手段】従来の非晶質炭素膜をハードマスクとして用いるとき、低いエッチング選択比によるパターニングの問題と、エッチング後、ハードマスクを容易に除去し難いという問題点を解決するために、金属及び炭素を含む前駆体を用いるが、プラズマ化学気相蒸着(PECVD)方式を通じて、炭化金属薄膜を形成し、エッチング選択比を顕著に向上させ、結晶粒サイズを減少させ、薄膜を非晶質化させることにより、エッチング後、ハードマスクを容易に除去することができ、炭化金属薄膜に含まれる金属と炭素の相対的な含量を調節し、炭化金属薄膜の全体的な内部応力を顕著に低くすることができる炭化金属薄膜の蒸着方法に関する。 【選択図】図2

    基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
    3.
    发明专利
    基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 有权
    一种基板处理系统，一种制造半导体装置，程序的一种方法和一种记录介质

    公开(公告)号：JP5938506B1

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：JP2015184127

    申请日：2015-09-17

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 油谷 幸則 ,  松井 俊

    IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  C23C14/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/54

    Abstract: 【課題】処理室の状況によって流体供給装置内の流体の温度が変動してしまうことを抑制させる。 【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室に所定温度の流体を供給する流体供給部と、流体供給部から処理室へ流体を供給する流体供給管と、処理室から流体供給部へ流体を排出する第1流体排出管と、熱交換部が設けられ、流体供給管から流体供給部へ流体を排出する第2流体排出管と、流体供給管と第2流体排出管との接続部に設けられた流路切替部と、流体供給部と流路切替部とに接続された制御部と、を有する。 【選択図】図10

    Abstract translation: 在所述流体供给装置中的流体的温度从取决于所述处理腔室的情况防止。 以及处理室，用于处理衬底，用于在处理室中供给流体的预定温度的流体供给部，一流体供给管，用于从流体供应至处理腔室，从该处理室中的流体供给供应流体 用于排出流体的第一流体排出管，所述热交换单元设置，用于排出流体从流体供应管到流体供应，所述流体供给管和第二流体排出管的第二流体排出管的连接 它有一个流路切换提供单元，并且其被连接到所述流体供应和流路切换单元，向控制单元。 .The 10

    基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
    4.
    发明专利
    基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 有权
    基板处理装置，制造半导体器件的方法，程序和记录介质

    公开(公告)号：JP2016065272A

    公开(公告)日：2016-04-28

    申请号：JP2014193742

    申请日：2014-09-24

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 山本 哲夫

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557

    Abstract: 【課題】シャワーヘッドが有するガス分散板の目詰まりを抑制可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体の提供。 【解決手段】基板200を処理する処理室201と、処理室201の上流に設けられたシャワーヘッド230と、シャワーヘッド230に接続されたガス供給管242と、処理室201の下流側に接続された第一の排気管262と、シャワーヘッド230を構成する壁面の内、処理室201に隣接する第一壁面とは異なる第二壁面に接続される第二の排気管263と、第二の排気管263に設けられた圧力検知部280と、各構成を制御する制御部360とを有する基板処理装置100。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制喷淋头不被堵塞的气体分散板的基板处理装置，半导体基板，程序和记录介质的制造方法。解决方案：基板处理装置100 包括：处理基板200的处理室201; 设置在处理室201的上游的喷淋头230; 与喷淋头230连接的气体供给管242; 连接到处理室201的下游侧的第一排气管262; 第二排气管263，其连接到与构成淋浴喷头230的壁面中与处理室201相邻的第一壁面以外的第一壁面以外的第二壁面; 设置在第二排气管263上的压力检测部280; 以及控制各个结构的控制部分360.选择图：图1

    半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置
    5.
    发明专利
    半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 有权
    用于半导体器件的制造方法，程序和基板处理器件

    公开(公告)号：JP2015124422A

    公开(公告)日：2015-07-06

    申请号：JP2013270652

    申请日：2013-12-27

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 佐々木 隆史 ,  山本 哲夫

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

    CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/0262

    Abstract: 【課題】シャワーヘッド内の副生成物を効率よく除去し、パーティクル発生を抑制する。 【解決手段】シャワーヘッドを介して処理室内の基板上に成膜ガスと不活性ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する成膜工程と、前記処理室内に基板が無い状態において、前記成膜工程時に供給する前記不活性ガスよりも低い温度の不活性ガスを、前記シャワーヘッドに供給することにより、前記成膜工程によって前記シャワーヘッド内に堆積した堆積膜を除去する堆積膜除去工程と、を有するように、半導体装置の製造方法を構成する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：通过有效地除去淋浴头中的副产物来抑制形成的颗粒。解决方案：半导体器件的制造方法被配置为包括通过提供膜沉积在基板上形成膜的膜沉积工艺 气体和惰性气体通过喷淋头在处理室中的基板上，以及沉积膜去除工艺，通过提供具有比惰性的温度低的惰性气体，在沉积过程中除去沉积在喷淋头中的沉积膜 在处理室中没有基板的情况下，在成膜工艺中供应的气体到喷淋头。

    基板処理装置及び半導体装置の製造方法
    6.
    发明专利
    基板処理装置及び半導体装置の製造方法 有权
    基板加工装置及制造半导体装置的方法

    公开(公告)号：JP2015124421A

    公开(公告)日：2015-07-06

    申请号：JP2013270651

    申请日：2013-12-27

    Applicant: 株式会社日立国際電気

    Inventor： 西堂 周平

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

    CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/46

    Abstract: 【課題】サセプタとシャワーヘッドの間の温度差を抑制する。 【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に配置され基板を載置する基板載置面を表面に有すると共に第1のヒータを有する基板載置部と、第2のヒータを有するとともに基板載置面と対向する位置に設けられ基板載置面と対向する対向面を有するシャワーヘッドと、シャワーヘッドを介して基板載置面に載置された基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理室内の雰囲気を排出する排気系と、基板載置面に基板を載置した後、処理ガス供給系から処理ガスが供給されるときに、基板載置部の温度を所定の温度とし、対向面と基板載置部の温度差を所定の範囲内とするよう、第1のヒータの出力及び第2のヒータの出力を制御する制御部と、を有するように基板処理装置を構成する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：抑制基座与花洒头之间的温度差。解决方案：一种基板处理装置，其包括：处理室，其中处理基板; 衬底放置部，其布置在处理室中，并且具有放置基板的衬底放置表面，并且还具有第一加热器; 具有第二加热器的喷头设置在与基板放置表面相对的位置处，并且具有与基板放置表面相对的相对表面; 处理气体供给系统，其通过所述淋浴头供给用于处理放置在所述基板配置面上的所述基板的处理气体; 用于排出处理室中的气氛的排气系统; 以及控制部分，其控制第一加热器的输出和第二加热器的输出，使得当在将基板放置在基板放置表面上之后从处理气体供应系统供应处理气体时，基板放置部分处于 相对表面和基板放置部之间的温度差在预定范围内。

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