公开(公告)号：JP2018157196A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018013532

申请日：2018-01-30

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ショウノ, エリック キハラ

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/14 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 【課題】基板を熱処理するための装置において、熱処理中のガス分配を改善するための装置を提供する。 【解決手段】装置は、本体230と、角度が付いたガス源アセンブリ246と、ガス注入チャネル249とを含む。ガス注入チャネルは、互いに異なる、第1半角と第2半角とを有する。基板のエッジに向かってガスを導くために、処理チャンバ内で改良型の側方ガスアセンブリを使用することで、基板全体における成長均一性が制御される。不均一な半角を有するガスチャネルを通してガスを導くことで、基板のエッジにおける又はエッジ付近での反応が著しく増大し、それにより、基板の全体的な厚さ均一性の向上がもたらされる。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP2018527471A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2018527020

申请日：2016-07-01

Applicant: パラグラフ リミテッド

Inventor： トーマス,サイモン チャールズ スチュアート

IPC: C30B29/64 ,  C01B32/186 ,  C01B33/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C01B32/186 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45572 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257

Abstract: 二次元材料を製造する方法。前駆体の分解範囲内である温度であって、分解前駆体から放出された化学種から二次元結晶材料を形成可能にする温度に、反応チャンバー内に保持された基板を加熱することと、基板表面から前駆体用の流入口に向かって延びる急峻な温度勾配(好ましくは1メートルあたり>1000℃)を形成することと;前駆体を、比較的低温の流入口を通じ、基板表面に向かう温度勾配に通して導入することとを含む、グラフェン、またはグラフェンのような他の二次元材料を製造する方法。急峻な温度勾配により、前駆体は基板表面に近接するまで実質的に低温のままであることが保証され、よって前駆体が基板の表面に近接する前に分解または他の反応をおこすのを最小限に抑える。 前駆体流入口と基板との間の間隔は100mm未満である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6370630B2

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：JP2014156999

申请日：2014-07-31

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 高橋 英志 ,  三谷 慎一 ,  佐藤 裕輔

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C23C16/45561 ,  C30B25/14

公开(公告)号：JP6349205B2

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：JP2014180854

申请日：2014-09-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤倉 序章

IPC: C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：JP2018506184A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：JP2017538587

申请日：2015-12-23

Applicant: エスケー シルトロン カンパニー リミテッド

Inventor： チョ、マン−キ ,  カン、トン−ホ

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  H01L21/6719

Abstract: 実施例は、ウェーハにおけるエピタキシャル成長が遂行される反応チャンバの再稼動準備段階として、反応チャンバ内部に設けられて前記ウェーハが安着されるサセプタを予め設定された第1位置に維持し、メインバルブから流入される水素ガスの流量をスリットバルブから流入される水素ガスの流量より大きくなるように設定する段階と、前記サセプタを予め設定された第2位置に移動させる段階と、前記第2位置にサセプタが維持される間前記メインバルブから流入される水素ガスの量は前記スリットバルブから流入される水素ガスの量より小さくなるように設定する段階を含む。したがって、反応チャンバ下部に停滞した水分及び汚染物質が水素ガスの流動によって排出口の方向に円滑に排出され得る。【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018006753A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2017128007

申请日：2017-06-29

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 林 載 順 ,  朴 圭 熙 ,  ゾ 侖 廷 ,  李 ヒョン 錫 ,  趙 基 熙

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/30 ,  C30B25/00 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/291 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 【課題】アスペクト比の高い立体構造上に対しても、一定の厚さを有する薄膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に抑制ガスを供給し、ソースガスを供給し、反応ガスを供給して、基板上に電極層を形成することを含み、抑制ガスはソースガスの基板上への物理的な吸着を抑制する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017199810A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016089735

申请日：2016-04-27

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 大野 彰仁 ,  ▲濱▼野 健一 ,  金澤 孝

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素エピタキシャルウエハを製造することができる炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素エピタキシャルウエハの製造装置を得る。 【解決手段】成長炉1の内壁に付着した炭化珪素を窒化、酸化又は酸窒化させて安定化させる。次に、成長炉1内に基板2を搬入する。次に、成長炉1内にプロセスガスを導入し、基板2上に炭化珪素エピタキシャル層を成長させて炭化珪素エピタキシャルウエハを製造する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6218921B2

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：JP2016507016

申请日：2013-04-10

Applicant: ピコサン オーワイ ,  PICOSUN OY

Inventor： マリネン ティモ ,  ヴァハマキ ハッリ

IPC: F04B39/00 ,  F04B37/16 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45555 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/025 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B35/00 ,  F04C2230/91 ,  F05C2253/12

公开(公告)号：JP6180439B2

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：JP2014554695

申请日：2013-01-29

Applicant: クラッシック ダブリュビージー セミコンダクターズ エービー ,  Classic WBG Semiconductors AB

Inventor： ジャンゼン エリック ,  コルディナ オロフ

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/325 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/02 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36

公开(公告)号：JP6180208B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2013142617

申请日：2013-07-08

Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

Inventor： 山田 拓未 ,  佐藤 裕輔

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/165 ,  C30B29/406