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    圧力センサモジュール及び蓋体
    2.
    发明专利
    圧力センサモジュール及び蓋体 有权
    压力传感器模块和盖子

    公开(公告)号：JP2015135339A

    公开(公告)日：2015-07-27

    申请号：JP2015046488

    申请日：2015-03-09

    申请人： 株式会社フジクラ

    发明人： 冨田 道和

    IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L9/00

    CPC分类号： G01L9/06 ,  G01L19/0038 ,  G01L19/069 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L23/053 ,  H01L25/167 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152

    摘要： 【課題】圧力センサモジュール内部への光の進入を抑制し、出力特性の変化又は誤動作を 防止することができる圧力センサモジュールを提供する。 【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、基板(2)と、前記基板(2)に接合さ れた蓋体(3)と、前記基板(2)及び前記蓋体(3)により囲まれてなる内部空間(C )に収容された、半導体圧力センサ素子(10)及び前記半導体圧力センサ素子(10) と機能的に接続された集積回路素子(20)と、前記内部空間(C)と外部空間とを連通 させる圧力導入孔(S1)と、前記外部空間と前記内部空間(C)との間に設けられ、前 記圧力導入孔(S1)の孔軸が変曲して形成された光遮断部(R1)と、を有する。 【選択図】図3A

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种压力传感器模块，其能够抑制光进入压力传感器模块的内部并防止输出特性或故障的变化。解决方案：根据本发明的压力传感器模块具有 ：电路板（2）; 连接到电路板（2）的盖子（3）; 半导体压力传感器元件（10）和与半导体压力传感器元件（10）功能性连接的集成电路元件（20），两者都容纳在由电路板（2）封闭形成的内部空间（C）中，并且 盖子（3）; 用于具有内部空间（C）和外部空间彼此连通的压力引入孔（S1）; 设置在所述外部空间和所述内部空间（C）之间并由所述压力导入孔（S1）的孔轴形成的遮光部（R1）变形。

    力変換素子
    4.
    发明专利
    力変換素子 有权
    力传感器

    公开(公告)号：JP2014215098A

    公开(公告)日：2014-11-17

    申请号：JP2013090884

    申请日：2013-04-24

    申请人： 横河電機株式会社 ,  Yokogawa Electric Corp

    发明人： TAKENAKA KAZUMA

    IPC分类号： G01L1/18 ,  H01L29/84

    CPC分类号： H01L29/84 ,  G01L1/16 ,  G01L1/18 ,  G01L5/162 ,  G01L5/167 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/008 ,  G01L9/06 ,  H01L29/1602

    摘要： 【課題】高配向性ダイヤモンドを用いたピエゾ抵抗体の結晶方位依存性を利用した力変換素子等を提供する。【解決手段】ダイヤモンドピエゾ抵抗体のピエゾ抵抗係数の絶対値が、 方向を主軸としたときのピエゾ抵抗係数π11またはπ12の絶対値よりも大きくなるように、前記ダイヤモンドピエゾ抵抗体を形成する。高配向性ダイヤモンドを用いたピエゾ抵抗体の結晶方位依存性を利用して種々の力変換素子を得ることができる。【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供力传感器等，利用使用高取向金刚石的压电阻器的晶体取向依赖性。解决方案：形成金刚石压电电阻器，使得压电 - 当假设<100>方向为主轴时，金刚石压电电阻器的电阻系数大于压电阻系数的绝对值; 11或＆pgr; 12。 通过利用使用高取向金刚石的压电电阻的晶体取向依赖性可以获得各种力传感器。

    Semiconductor mechanical amount sensor
    5.
    发明专利
    Semiconductor mechanical amount sensor 有权

    公开(公告)号：JP2004061164A

    公开(公告)日：2004-02-26

    申请号：JP2002216648

    申请日：2002-07-25

    申请人： Denso Corp ,  株式会社デンソー

    发明人： YOSHIHARA SHINJI ,  TOYODA INEO ,  SUZUKI YASUTOSHI

    IPC分类号： G01P21/00 ,  G01L1/22 ,  G01L9/00 ,  G01L9/06 ,  G01L27/00 ,  G01P15/12 ,  H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L29/84

    CPC分类号： G01L9/0054 ,  G01L9/06 ,  G01L27/005 ,  G01L27/007

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diaphragm semiconductor pressure sensor which can detect sensor output and failure diagnosis output from a bridge circuit formed by gauge resistances and can adjust offset voltage of both outputs.
    SOLUTION: Each of the four gauge resistances Ra-Rd consists of separated gauge resistances Ra1-Rd2. Terminals B1 and C1, led out of wirings H2 and H9 located between the separated gauge resistances and having the same voltage when pressure is not applied thereon, can be used as failure diagnosis output terminals. In addition, each of the sensor output terminals C and B consists of three terminals Ba-Bc and Ca-Cc, respectively, and each of the three terminals led out of different positions of the wiring resistances of H3 and H8, respectively. One of the failure diagnosis output terminals B1 consists of three terminals B1a-B1c, each of which is led out from different positions of the wiring resistances of H2.
    COPYRIGHT: (C)2004,JPO

    Pressure detecting circuit
    6.
    发明专利
    Pressure detecting circuit 失效
    压力检测电路

    公开(公告)号：JPS59162431A

    公开(公告)日：1984-09-13

    申请号：JP3595983

    申请日：1983-03-07

    申请人： Hitachi Ltd

    发明人： UCHIYAMA KAORU ,  KURITA MASAHIRO

    IPC分类号： G01L9/04 ,  G01L9/00 ,  G01L9/06

    CPC分类号： G01L9/06

    摘要： PURPOSE:To prevent the hunting of a switch and to make characteristic aging less, by comparing the outputs of intermediate points of a bridge formed by strain gages, controlling a driving terminal by feedback, and providing hysteresis. CONSTITUTION:A bridge circuit comprises resistors 4, 5, 6, and 7, whose resistances are decreased and increased with respect to pressures, and which are semiconductor piezoelectric resistors that are diffused and formed in silicon diaphragm. A pressure measuring strain gage is formed by the bridge circuit. The outputs of the intermediate points of the bridge circuit are compared and processed. The measured output corresponding to the pressure is outputted as a switching output for controlling the air fuel ratio and the like of an internal combustion engine. Meanwhile, the output of a comparator 10 is fed back to the driving terminal of the bridge circuit. Hysteresis is provided in the measured output from the comparator 10. Thus the hunting of the switch is prevented, abrasion and the like are not generated due to the constitution having no mechanical contact points and the like, and the characteristic aging variation are reduced.

    摘要翻译： 目的：通过比较由应变计形成的桥梁的中间点的输出，通过反馈控制驱动端子并提供滞后，防止开关的捕获和特性老化较少。 构成：桥接电路包括电阻器4,5,6和7，其电阻相对于压力减小并增加，并且是在硅膜片中扩散和形成的半导体压电电阻器。 压力测量应变计由桥式电路形成。 对桥接电路的中间点的输出进行比较和处理。 输出对应于压力的测量输出作为用于控制内燃机的空燃比等的切换输出。 同时，比较器10的输出反馈到桥式电路的驱动端。 在比较器10的测量输出中提供迟滞。因此，由于没有机械接触点等的结构，防止开关的振荡，不产生磨损等，并且特性老化变化减小。

    圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法
    7.
    发明专利
    圧力センサチップ、圧力発信器、および圧力センサチップの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018159594A

    公开(公告)日：2018-10-11

    申请号：JP2017056192

    申请日：2017-03-22

    申请人： アズビル株式会社

    发明人： 徳田 智久

    IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L19/06 ,  G01L9/00

    CPC分类号： G01L9/06 ,  G01L1/2287

    摘要： 【課題】測定レンジのマルチ化を実現することが可能な新たなチップ構造を有する圧力センサチップを提供する。 【解決手段】本発明に係る圧力センサチップ1は、第1主面および第2主面に開口した圧力導入路111を有する第1層11と、圧力導入路の一端を覆うダイアフラム124と、第1ひずみゲージ126と、第2ひずみゲージ125とを有し、第1層の第2主面上に配置された第2層12と、第3主面と、第3主面に形成された凹部131とを有し、第3主面が第2層上に配置された第3層13とを有し、凹部は、ダイアフラムを介して圧力導入路と対面して形成され、凹部は、第1主面と垂直な方向から見て圧力導入路の内側に形成され、第1ひずみゲージは、第1主面と垂直な方向から見て凹部の外側の領域に形成され、第2ひずみゲージは、第1主面と垂直な方向から見て第1ひずみゲージよりも内側の領域に形成されていることを特徴とする。 【選択図】図1B

    圧力センサチップ及び圧力センサ
    8.
    发明专利
    圧力センサチップ及び圧力センサ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017156241A

    公开(公告)日：2017-09-07

    申请号：JP2016040305

    申请日：2016-03-02

    申请人： オムロン株式会社

    发明人： 森原 大輔 ,  井上 勝之

    IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L9/00

    CPC分类号： G01L9/06

    摘要： 【課題】小型化および高精度化が可能な圧力センサチップを提供する。 【解決手段】半導体基板内に形成され密閉された圧力基準室と、該圧力基準室と外部との間に形成され前記圧力基準室内の圧力と外部の圧力の差によって変形するダイアフラムと、前記ダイアフラムに設けられ該ダイアフラムの変形に応じた電気信号を発生可能なセンサ部と、を備える圧力センサチップであって、前記半導体基板の平面視において、前記圧力基準室、前記ダイアフラム及び前記センサ部を含む検出部の周囲のうち一部を接続部とし、前記接続部を残して前記検出部の周囲に当該半導体基板を貫通する貫通溝が形成され、前記半導体基板内における前記検出部以外の部分と前記検出部とを前記貫通溝によって分離する。 【選択図】図1