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公开(公告)号：JP2008537281A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：JP2007556156
申请日：2006-01-24
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ
Inventor： ゲリー エデン，ジェイ , ピー オストロム，ネルズ , シェン，クオ−フェン , パーク，サン−ジン
CPC classification number: H01J61/09 , H01J1/025 , H01J9/02 , H01J17/066 , H01J37/32018 , H01J37/32596 , H01J65/046
Abstract: デバイスは、誘電体を、第１の導電層または基板の上に積層することによって作製される。 第２の導電層または構造は、該誘電体層上に重ね合わされる。 いくつかのデバイスにおいては、第２の導電層または構造及び該誘電体層を貫通するマイクロキャビティが形成される。 他のデバイスにおいて、該マイクロキャビティは、該第１の導電層を貫通する。 該第２の導電層または構造および該マイクロキャビティの内面は、第２の誘電体層で被覆される。 そして、該マイクロキャビティには、放電ガスが充填される。 適切な大きさの時間依存性電位が該導体間に印加され、マイクロプラズマ放電が該マイクロキャビティ内で生成される。 これらのデバイスは、該導体が封止されて、該導体を、プラズマへの曝露による劣化から保護するため、寿命の延長を呈することができる。 該デバイスのいくつかはフレキシブルであり、該誘電体は、ミラーとして機能するように選択することができる。
【選択図】図２-
2.发明专利
公开(公告)号：JP3981081B2
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：JP2003546374
申请日：2002-11-11
Applicant: サエス・ゲッタース・ソチエタ・ペル・アツィオニ
Inventor： ガリトニョッタ，アレッサンドロ , コラツァ，アレッシオ , ボフィト，クラウディオ
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公开(公告)号：JP2009516344A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：JP2008540693
申请日：2006-11-17
Inventor： スティーブン バラット、デイビッド , ジョン ホールデン、デレク
IPC: H01J61/067 , H01J1/02 , H01J9/02 , H01J61/06 , H01J61/09
CPC classification number: H01J61/09 , H01J1/025 , H01J9/02 , H01J9/022 , H01J61/06 , Y10T29/49204 , Y10T428/12354
Abstract: 開放端チューブおよびプラグを備える電極部品（１）、電極、および、該電極を備える電気機器が提供される。 また、電極部品を形成する方法が提供される。
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公开(公告)号：JP2008507096A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：JP2007521666
申请日：2005-07-12
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ
Inventor： ゲリー エデン，ジェイ , パーク，キュン−ホ , パーク，サング−ジン
CPC classification number: H01J1/025 , B82Y10/00 , H01J3/025 , H01J17/066 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2217/49
Abstract: 【課題】電界放出ナノ構造（１８）がマイクロ放電装置の動作を支援するようにしたマイクロ放電装置を提供する。
【解決手段】上記電界放出ナノ構造は、上記マイクロ放電装置の中に組み込まれ、又は上記マイクロ放電装置の電極（１４，１６，３６，３８）の近くに配置される。 上記電界放出ナノ構造は、上記電界放出ナノ構造を欠く以外は全く同一な装置に比べ、動作電圧及び点火電圧を低減し、同時にまた上記マイクロ放電装置の放射出力を増加させる。
【選択図】図１-
公开(公告)号：JP2005518637A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：JP2003570382
申请日：2003-01-24
Inventor： シュルトハイス クリストフ , ブート ローター−ハインツ−オットー
IPC: C23C14/30 , H01J1/02 , H01J3/02 , H01J37/077 , H05H1/24
Abstract: 安定集束された電子ビームの形成用の、ガス放電を介してトリガされるビーム通路火線源が提案されており、この火線源は、中空陰極と通路出口側との間の１０
−４ パスカルの圧力差でガス供給することによって特徴付けられ、その結果、外部磁場によって支持されて、トリガプラズマ中の荷電坦体を増量することによって、中空陰極ガス放電を高い信頼度で点火して、内部通路の不安定性、接触乃至損傷の傾向なしにシステムから出ることができる。-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5301838B2
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：JP2007556156
申请日：2006-01-24
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ
Inventor： ゲリー エデン，ジェイ , シェン，クオ−フェン , ピー オストロム，ネルズ , パーク，サン−ジン
CPC classification number: H01J61/09 , H01J1/025 , H01J9/02 , H01J17/066 , H01J37/32018 , H01J37/32596 , H01J65/046
Abstract: A method for fabricating microcavity discharge devices and arrays of devices. The devices are fabricated by layering a dielectric on a first conducting layer. A second conducting layer or structure is overlaid on the dielectric layer. In some devices, a microcavity is created that penetrates the second conducting layer or structure and the dielectric layer. In other devices, the microcavity penetrates to the first conducting layer. The second conducting layer or structure together with the inside face of the microcavity is overlaid with a second dielectric layer. The microcavities are then filled with a discharge gas. When a time-varying potential of the appropriate magnitude is applied between the conductors, a microplasma discharge is generated in the microcavity. These devices can exhibit extended lifetimes since the conductors are encapsulated, shielding the conductors from degradation due to exposure to the plasma. Some of the devices are flexible and the dielectric can be chosen to act as a mirror.
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7.发明专利
公开(公告)号：JP2008535193A
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：JP2008504682
申请日：2006-04-05
Inventor： フランチェスコ， チノ マタコッタ，
IPC: H01J37/30 , H01J27/16 , H01J37/075 , H01J37/077 , H05H1/24 , H05H1/46
Abstract: 高密度の電子及びプラズマのビームを発生し、加速し、伝播する装置及びプロセスであって、装置は、ガスを含んだ第１絶縁チューブと、第１絶縁チューブに気密に接続された中空のカソードと、中空のカソードに気密に接続され、溶着室内に突出して溶着室に接続された第２絶縁チューブと、第２絶縁チューブの回りに中間に位置して配置されたアノードと、カソード及びアノードに電圧を印加する手段と、溶着室からガスを排出する手段と、第１絶縁チューブ内にてガスをプラズマに自発的に転換する手段とを備える。
【選択図】図２-
公开(公告)号：JP3906207B2
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：JP2003570382
申请日：2003-01-24
Inventor： シュルトハイス クリストフ , ブート ローター−ハインツ−オットー
IPC: C23C14/30 , H01J37/077 , H01J1/02 , H01J3/02 , H05H1/24
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公开(公告)号：JP4510941B2
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：JP53805298
申请日：1998-02-28
Applicant: ティーレン マルクス
Inventor： ティーレン マルクス
IPC: H01J1/30 , H01J61/073 , H01J1/02 , H01J9/02 , H01J61/067 , H01J61/09
CPC classification number: H01J9/022 , H01J1/025 , H01J61/0672 , H01J61/0677 , H01J61/09
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10.发明专利
公开(公告)号：JP2005510033A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：JP2003546374
申请日：2002-11-11
Applicant: サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ
Inventor： ガリトニョッタ，アレッサンドロ , コラツァ，アレッシオ , ボフィト，クラウディオ
Abstract: その内面、外面又は両方の面の少なくとも一部がゲッター材層（２１；３１；４１；４１'）で被覆された中空カソード（２０；３０；４０）を記載する。 さらに、本発明の該中空カソードを製造するためのいくつかの方法を記載する。
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