公开(公告)号：KR102233437B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020197024878A

申请日：2010-08-31

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 라진더 딘드사 ,  아키라 코시시 ,  알렉세이 마라크타노프

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32807 ,  H01L21/67011 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H05H1/46

Abstract: 기판의 프로세싱 동안 플라즈마 프로세싱 챔버의 프로세싱 챔버 내의 RF 전류에 저 임피던스 RF 복귀 경로를 제공하는 무선 주파수 (RF) 접지 복귀 장치가 제공된다. RF 접지 복귀 장치는 한정 링들의 세트를 포함하고, 한정 링들의 세트는 기판 프로세싱 동안 기판을 에칭하는 플라즈마를 유지하도록 구성되는 한정된 챔버 볼륨을 둘러싸도록 구성된다. RF 접지 복귀 장치는 또한 하부 전극 지지 구조체를 포함한다. RF 접지 복귀 장치는 또한 RF 콘택 인에블된 컴포넌트를 포함하며, RF 콘택 인에블된 컴포넌트는, 저 임피던스 RF 복귀 경로가 RF 전류를 RF 소스로 되돌아 복귀시키는 것을 용이하게 하도록 한정 링들의 세트와 하부 전극 지지 구조체 사이에 RF 콘택을 제공한다.

公开(公告)号：JP6396822B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2015027433

申请日：2015-02-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 永海 幸一

IPC: H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

公开(公告)号：JP6330087B2

公开(公告)日：2018-05-23

申请号：JP2017124857

申请日：2017-06-27

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リン シング ,  ブッフベルガー ダグラス エー ジュニア ,  ショウ シャオピング ,  ヌグエン アンドリュー ,  シェイナー アンチェル

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/6831

公开(公告)号：JP2018078515A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2016220641

申请日：2016-11-11

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 永島 望 ,  奥西 直彦

IPC: H05H1/46 ,  H03H7/075

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6831 ,  H01L2021/6015 ,  H03H1/0007 ,  H03H2001/0092 ,  H05H2001/4682

Abstract: 【課題】複数のフィルタのコイルの温度を低下させ、且つ、複数のフィルタ間でのインピーダンスの周波数特性の差異を抑制することを可能とする。 【解決手段】 一実施形態のフィルタ装置は、複数のコイル及び複数のグランド部材を備える。複数のコイルは、それらの中心軸線が互いに平行であるように設けられている。複数のグランド部材は、複数のコイルの外側で該複数のコイルの中心軸線に平行に延びる。複数のグランド部材は、互いに離間している。複数のコイルはそれぞれ、該複数のコイルのうちの最近傍の他のコイルに対して同一の第1の距離を有する。複数のグランド部材はそれぞれ、複数のコイルのうちの最近傍のコイルに対して同一の第2の距離を有する。複数のコイルそれぞれから複数のグランド部材のうち第2の距離を隔てて配置されたグランド部材の個数は同数である。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2017212051A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2016102794

申请日：2016-05-23

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 西島 貴史

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/3347

Abstract: 【課題】チルティング角度の変化量が許容範囲内で低下させることを目的とする。 【解決手段】真空排気可能な処理容器10と、被処理基板を載置する下部電極11の周囲に配置されるフォーカスリング15と、下部電極11に対向して配置される内側上部電極21iと、その外側に配置される外側上部電極21oと、内側上部電極21iと外側上部電極21oとの間にあり、フォーカスリング15の上方に配置される石英部材22と、処理空間Pに処理ガスを供給するガス供給部39と、処理ガスのプラズマを生成するための第1高周波を下部電極11もしくは内側上部電極21i及び外側上部電極21oに印加する第1高周波電源32と、外側上部電極21oに第1直流電圧を印加する可変直流電源40と、第1直流電圧をチルティング角度の変化量を低下するように制御する制御部100と、を有するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017208548A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：JP2017098761

申请日：2017-05-18

Applicant: エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド

Inventor： ニコラ ロネイ ,  マクシム バルバラ

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76898 ,  H01J2237/334

Abstract: 【課題】エッチされたフィーチャの対称性の改善。 【解決手段】シリコン基板に1つ又は2つ以上のフィーチャをプラズマエッチングする方法であって、堆積工程とエッチ工程とを交互に繰り返す周期的なエッチプロセスを用いてメインエッチを実行する工程、及びオーバーエッチを実行して前記フィーチャのプラズマエッチングを完了する工程を含み、前記オーバーエッチは、第1の種類の1又は2以上のエッチ工程と、第2の種類の1又は2以上のエッチ工程とを含み、前記第1及び第2の種類のエッチ工程の各々は前記シリコン基板のイオン衝撃によるエッチングを含み、第2の種類の1又は2以上のエッチ工程中のイオン衝撃は第1の種類の1又は2以上のエッチ工程中のイオン衝撃に対して内向きの傾きを有する方法が提供される。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2017143057A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016234648

申请日：2016-12-02

Applicant: ラム リサーチ コーポレーション ,  LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： ヒュンジュン・キム ,  スニル・カプーア ,  カール・リーサー ,  ビンス・バーカート

IPC: H03H7/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 【課題】スリップリングを使用して回転可能なペデスタルに、RF電力と非RF電力をアーキングを生じることなく供給することができる電力伝送システムを提供する。 【解決手段】処理システム400を構成するプラズマシステム404はRF電源104と、マッチネットワーク106と、分配器および結合器をさらに含む。チャンバ102b内の回転可能なペデスタル140には、絶縁システム402を介してプラズマ処理用のRF信号と加熱器要素416a用のAC信号が供給され、ペデスタルからは熱電対418aの検知温度信号(DC信号)が絶縁システムを介して温度制御装置TCに供給される。絶縁システムは複数のチャネルからなるスリップリングと異なるタイプの信号を遮断するコンデンサを有する。任意の2つの隣接するチャネル間のアーキングを防止するために、チャネル間の電圧降下が均等になるように各チャネルに電圧のレベル及び極性が割り当てられる。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6140286B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2015525690

申请日：2013-08-06

Applicant: ベルンドルフ ヒューク バント−ウント プレシュブレヒテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： アンドレアス ゲベシュバー ,  ダニエル ハイム ,  ヨハン ライマー ,  トマス ミュラー ,  ミヒャエル プロシェク ,  オットー シュタドラー ,  ヘルベルト ステーリ

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/503

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32577

公开(公告)号：JP6063264B2

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：JP2013004786

申请日：2013-01-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 木原 嘉英 ,  望月 広実 ,  本田 昌伸 ,  川又 誠也 ,  小林 憲 ,  吉田 亮一

IPC: H05H1/46 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

公开(公告)号：JP2016134461A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015007363

申请日：2015-01-19

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 寺内 宏満 ,  飯田 勉 ,  大平原 勇造

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715

Abstract: 【課題】歩留まりを向上させたプラズマ処理方法またはプラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に処理対象のウエハを配置し、前記処理室内にプラズマ形成用の第1の高周波電力による電界を供給してプラズマを形成し、前記試料台内部に配置された電極にバイアス電位形成用の第2の高周波電力を供給して前記ウエハ上面の膜を処理するプラズマ処理方法であって、前記第1及び第2の高周波電力のうち少なくとも何れかは、各々所定の期間だけ所定の複数の振幅になる変化を所定の周期で繰り返すものであり、前記膜の処理中に、前記少なくとも何れかの高周波電力の前記周期、前記期間の比率及び振幅のうちで前記振幅の所定の大きさを最後に増加させる、または前記振幅の所定の大きさを最初に減少させて当該高周波電力の供給を変化させる工程を備えたプラズマ処理方法。 【選択図】 図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供提高产量的等离子体处理方法或等离子体处理方法。解决方案：将设置在真空容器内的处理室中的样品台上的作为处理对象的晶片的等离子体处理方法供给电 基于用于等离子体形成到处理室中的第一高频功率来形成等离子体，并且将设置在样品台中的第二高频电源提供用于形成偏置电位的电极以处理晶片的上表面上的膜的电场 以下步骤。 第一高频功率和第二高频功率中的至少一个在预定周期重复地变化，以便仅在预定周期具有多个预定振幅。 在膜的处理期间，期间内的预定振幅幅度，至少任何高频功率的周期和幅度的速率最终都会增加，或者首先降低预定幅度的幅度，然后 高频电源的供应多种多样。选择图：图2