公开(公告)号：JP6267403B1

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2017527908

申请日：2015-11-23

Applicant: アーティラックス インコーポレイテッド ,  ARTILUX INC.

Inventor： チェン,ス−リン ,  チェン,シュ−ルゥ

IPC: H01L31/10 ,  H04N5/369 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02019 ,  H01L21/70 ,  H01L21/77 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876

Abstract: 本明細書で導入される種々の技法の例としては、シャロートレンチアイソレーション形成中のメサ高さ調整手法、第1の手法によるトランジスタ、及び複数の吸収層手法が挙げられるが、これらに限定されない。さらに後述するように、本明細書で導入される技法は、同じ基板上にPD及びトランジスタを製造することに伴う1つ以上の従来の制限、例えば、上述した信頼性、性能、及びプロセス温度問題を個々にかつ/または集合的に解決もしくは緩和することができる多様な態様を含む。 【選択図】図6A

公开(公告)号：JP6265032B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2014092655

申请日：2014-04-28

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 辻 幸洋 ,  稲田 博史

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/105 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP6259843B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2016003963

申请日：2016-01-12

Applicant: シャープ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 吉川 弘文 ,  和泉 真 ,  荒川 泰彦 ,  渡邉 克之

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/077 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  Y02E10/544

公开(公告)号：JP2017534182A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：JP2017530346

申请日：2015-11-13

Applicant: アーティラックス インコーポレイテッドArtilux Inc. ,  アーティラックス インコーポレイテッドArtilux Inc.

Inventor： チェン，ス−リン ,  リィウ，ハン−ディン ,  チェン，シュ−ルゥ

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 光吸収装置は、基板と、第1の選択された区域上の基板の上の光吸収層と、光吸収層の上のシリコン層と、光吸収層の側壁の少なくとも一部を囲むスペーサと、スペーサの少なくとも一部を囲む絶縁層とを含み、光吸収装置は高帯域幅及び低暗電流を達成することができる。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017135229A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2016013121

申请日：2016-01-27

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 冬木 琢真 ,  有方 卓 ,  吉本 晋 ,  秋田 勝史

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/105

Abstract: 【課題】III−V族化合物半導体からなる半導体層を含む受光素子の感度を向上させることが可能な半導体積層体および受光素子を提供する。 【解決手段】半導体積層体10は、III−V族化合物半導体からなり、導電型が第1導電型である第1半導体層12と、III−V族化合物半導体からなる量子井戸受光層13と、III−V族化合物半導体からなる第2半導体層14と、III−V族化合物半導体からなり、導電型が第2導電型である第3半導体層15と、を備える。第1半導体層12、量子井戸受光層13、第2半導体層14および第3半導体層15は、この順に積層される。第2導電型のキャリアを生成する不純物の濃度は、第2半導体層14において1×10 14 cm −3 以上1×10 17 cm −3 以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017500743A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2016541002

申请日：2014-12-17

Applicant: セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス ,  セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス ,  オフィス ナショナル デチュード エ ド ルシェルシュ アエロスパティアル−オーエヌイーアールエー ,  オフィス ナショナル デチュード エ ド ルシェルシュ アエロスパティアル−オーエヌイーアールエー

Inventor： ポーティエール、ベンジャミン ,  ヴェルドゥン、ミカエル ,  ハイダル、リアド ,  ペロード、ジーン−リュック ,  パルド、ファブリセ

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 【解決手段】本発明は、一態様にあっては、中心波長λ0の周囲に集中したスペクトル帯の入射放射のための量子的光子検出素子であって、前記放射を受けることを意図した前面を示し、PN接合またはPIN接合を形成する、半導体層のスタックであってカットオフ波長λc>λ0を有する吸収材半導体でできた少なくとも1つの層と、共振光キャビティを形成する、半導体層のスタックと、を含むスタックと、前記入射放射と前記光キャビティとをカップリングする構造とを備え、前記カップリングする構造は、前記中心波長λ0において共振を形成し、前記共振により、前記中心波長において前記吸収材半導体層において80%を上回る吸収を実現し、放射波長λradにおいては共振を形成せず、前記放射波長は、動作温度において放射型再性結合率が最大となる波長であることを特徴とする光子検出素子に関する。【選択図】図3A

Abstract translation: 本发明是，在一个方面中，用于围绕中心波长.lambda.0为中心的入射辐射光谱带中的量子光子检测装置，一个前表面旨在接收辐射 示出，以形成一个PN结或PIN结，并且由具有截止波长λC> .lambda.0半导体层的堆叠，以形成一光学谐振腔吸收半导体中的至少一种层，和半导体层的叠层 的结构和堆栈，用于与所述光学腔和所述辐射入射耦合的结构，所述耦合包括，在所述中心形成在波长.lambda.0共振，由共振，在中心波长处的吸收 木材半导体层中实现吸收的80％以上，没有在发射波长上形成共振Ramudarad，发射波长，我并重新在操作温度下耦合常数最大发射 关于光子检测装置，该装置是一个波长。 点域3A

公开(公告)号：JP6041120B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2012066398

申请日：2012-03-22

Applicant: 住友電工デバイス・イノベーション株式会社

Inventor： 小山 雄司

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/052 ,  H01L31/053 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

公开(公告)号：JP2016535428A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：JP2016516518

申请日：2014-09-25

Applicant: プリンストン インフラレッド テクノロジーズ インコーポレイテッド ,  プリンストン インフラレッド テクノロジーズ インコーポレイテッド

Inventor： マーティン エイチ． エッテンバーグ ,  マーティン エイチ． エッテンバーグ

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L31/10 ,  H04N5/361 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14694 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: プレーナー構造体内に構築された短波長赤外線(SWIR)及び可視光線を撮像するフォトダイオードピクセル構造体を1次元及び2次元フォトダイオードアレイに用いることができる。フォトダイオードアレイは読出し集積回路(ROIC)、例えば、シリコン相補型金属−酸化物−半導体(CMOS)回路へ混成化することができる。各ピクセル内のフォトダイオードが表面の下に埋め込まれ、ROIC増幅回路に直接接触しない。各ピクセル内の接合型電界効果トランジスタ(JFET)を用いて、検出器から電荷が転送される。ROIC増幅回路からフォトダイオードを切り離すことによって、ピクセル内の低暗電流及び相関二重サンプリングを可能にする。

Abstract translation: 它可用于成像短波红外（SWIR）和内置于平面结构中的一维和二维光电二极管阵列可见光的光电二极管的像素结构。 光电二极管阵列读出集成电路（ROIC），例如，一个硅互补金属 - 氧化物 - 可以被杂交到半导体（CMOS）电路。 在每个像素的光电二极管嵌在表面下方，它不直接接触的ROIC放大器电路。 在每个像素（JFET）使用结型场效应晶体管，来自检测器的电荷转移。 通过断开从ROIC放大器电路的光电二极管允许在像素低的暗电流和相关双采样。

公开(公告)号：JP2016111363A

公开(公告)日：2016-06-20

申请号：JP2015233455

申请日：2015-11-30

Applicant: ラクステラ・インコーポレイテッド ,  LUXTERA,INC.

Inventor： カム−ヤン・ホン ,  ジャンロレンツォ・マシーニ ,  スバル・サーニ

IPC: H01L31/0248

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  G02B6/4292 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】慣例及び伝統的なアプローチの更なる制限及び不利益がある。 【解決手段】ゲルマニウム層コンタクトが無いシリコン上ゲルマニウム光検出器のための方法及びシステムが開示され、N型シリコン層、ゲルマニウム層、P型シリコン層、及び前記N型シリコン層と前記P型シリコン層それぞれ上の金属コンタクトを備える光検出器を有する半導体ダイにおいて、光信号を受け取り;前記ゲルマニウム層において光信号を吸収し;吸収した光信号から電気信号を生成し;及び前記N型シリコン層及びP型シリコン層を介して前記光検出器外に電気信号を伝送することを含む。光検出器は、水平又は垂直接合ダブルヘテロ構造を含み、ゲルマニウム層がN型及びP型シリコン層の上方に在り得る。i型シリコン層が、N型シリコン層とP型シリコン層の間でゲルマニウム層の下方に在り得る。ゲルマニウム層の上部がp型ドープされ得る。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：解决惯例和传统方法的进一步限制和缺点的问题。解决方案：公开了一种锗无锗锗接触的锗光探测器的方法和系统。 该方法包括以下步骤：在具有在N型硅层和P-型硅层上具有N型硅层，锗层，P型硅层和金属接触的光学检测器的半导体管芯中， 接收光信号，吸收锗层中的光信号，从吸收的光信号产生电信号，并通过N型硅层将电信号传输到光检测器外部， P型硅层。 光学检测器具有水平或垂直结双异质结构，并且锗层可以位于N型和P型硅层之上。 i型硅层可以位于N型和P型硅层之间，并且可以在锗层之下。 锗层可以在其上部被P型掺杂。选择图：图4

公开(公告)号：JP2016105377A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：JP2014243471

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社ジャパンディスプレイ

Inventor： 佐藤 敏浩

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/26 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H01L31/042 ,  H01L31/054 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3227 ,  H01L27/3246 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/4293 ,  H01L51/5275 ,  Y02E10/52

Abstract: 【課題】隣接画素への光漏れを防止できる表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置は、絶縁表面上に設けられた画素電極と、前記画素電極の端部上に設けられた画素分離膜と、前記画素電極を覆うように設けられた発光層と、前記発光層及び前記画素分離膜を覆うように設けられた対向電極と、を備え、前記画素分離膜は、光電変換素子を含み、前記光電変換素子の第1電極及び第2電極のいずれか一方は前記対向電極に電気的に接続され、他方は前記光電変換素子で生成された電流が流れる配線に電気的に接続されることを特徴とする。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够防止光泄漏到相邻像素中并提供能够降低功耗的显示装置的显示装置。解决方案：一种显示装置，包括：设置在绝缘表面上的像素电极; 设置在像素电极的端部上的像素分离膜; 设置成覆盖像素电极的发光层; 以及设置成覆盖发光层和像素分离膜的对电极。 像素分离膜包括光电转换元件。 光电转换元件的第一电极和第二电极中的任一个电连接到对电极; 另一个电连接到其中由光电转换元件产生的电流流动的布线。选择图：图4